Detalhes do produto:
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Nome do produto: | Motorista do Mosfet que usa o transistor | modelo: | AP6H03S |
---|---|---|---|
Bloco: | SOP-8 | Marcação: | AP6H03S YYWWWW |
Tensão da VDSDrain-fonte: | 30v | Tensão do rce de VGSGate-Sou: | ±20A |
Realçar: | transistor do mosfet do canal de n,transistor de alta tensão |
Motorista do Mosfet de AP6H03S que usa o transistor, transistor alto durável do ampère
Motorista do Mosfet que usa a descrição do transistor:
A trincheira avançada de AP6H03Suses
tecnologia para fornecer o RDS excelente (SOBRE) e a baixa carga da porta.
Os MOSFETs complementares podem ser usados para formar a
o nível deslocou o interruptor lateral alto, e para um anfitrião de outro
aplicações
Motorista do Mosfet que usa características do transistor
N-canal
VDS = 30V, IDENTIFICAÇÃO =7.5A
NChannel do RDS (SOBRE < 16m="">
)
VDS = 30V, IDENTIFICAÇÃO =7.5A
Poder superior do RDS (SOBRE < 16m="">
) e capacidade entregando atual
O produto sem chumbo é adquirido
Pacote de superfície da montagem
Motorista do Mosfet que usa a aplicação do transistor
Circuitos duramente comutados e de alta frequência do ●
Fonte de alimentação ininterrupta do ●
Marcação do pacote e informação pedindo
Identificação do produto | Bloco | Marcação | Qty (PCS) |
AP6H03S | SOP-8 | AP6H03S YYWWWW | 3000 |
Avaliações máximas absolutas Tc=25℃ salvo disposição em contrário
Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
VDS | Tensão da Dreno-fonte | 30 | V |
VGS | Tensão do rce da porta-Sou | ±20 | V |
D Mim |
Corrente do dreno – contínua (TC=25℃) | 7,5 | A |
Corrente do dreno – contínua (TC=100℃) | 4,8 | A | |
IDM | Corrente do dreno – Pulsed1 | 30 | A |
EAS | Única energia 2 da avalancha do pulso | 14 | mJ |
IAS | Única corrente 2 de Avalanched do pulso | 17 | A |
Paládio |
Dissipação de poder (TC=25℃) | 2,1 | W |
Dissipação de poder – Derate acima de 25℃ | 0,017 | W/℃ | |
TSTG | Variação da temperatura do armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
TJ | Variação da temperatura de funcionamento da junção | -55 a 150 | ℃ |
Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
VDS | Tensão da Dreno-fonte | 30 | V |
VGS | Tensão do rce da porta-Sou | ±20 | V |
D Mim |
Corrente do dreno – contínua (TC=25℃) | 7,5 | A |
Corrente do dreno – contínua (TC=100℃) | 4,8 | A | |
IDM | Corrente do dreno – Pulsed1 | 30 | A |
EAS | Única energia 2 da avalancha do pulso | 14 | mJ |
IAS | Única corrente 2 de Avalanched do pulso | 17 | A |
Paládio |
Dissipação de poder (TC=25℃) | 2,1 | W |
Dissipação de poder – Derate acima de 25℃ | 0,017 | W/℃ | |
TSTG | Variação da temperatura do armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
TJ | Variação da temperatura de funcionamento da junção | -55 a 150 | ℃ |
Características térmicas
Símbolo | Parâmetro | Tipo. | Máximo. | Unidade |
RθJA | Junção da resistência térmica a ambiental | --- | 60 | ℃/W |
Características elétricas (℃ de TJ =25, salvo disposição em contrário) fora das características
Símbolo | Parâmetro | Circunstâncias | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidade |
BVDSS | Tensão de divisão da Dreno-fonte | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
△ BVDSS/△ TJ | Coeficiente de temperatura de BVDSS | Referência a 25℃•, ID=1mA | --- | 0,04 | --- | V/℃ |
IDSS |
Corrente do escapamento da Dreno-fonte |
VDS=30V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | A |
VDS=24V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 10 | A | ||
IGSS | Corrente do escapamento da Porta-fonte | VGS=± 20V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
Símbolo | Parâmetro | Circunstâncias | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidade |
BVDSS | Tensão de divisão da Dreno-fonte | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
△ BVDSS/△ TJ | Coeficiente de temperatura de BVDSS | Referência a 25℃•, ID=1mA | --- | 0,04 | --- | V/℃ |
IDSS |
Corrente do escapamento da Dreno-fonte |
VDS=30V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | A |
VDS=24V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 10 | A | ||
IGSS | Corrente do escapamento da Porta-fonte | VGS=± 20V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
RDS (SOBRE) | Em-resistência estática da Dreno-fonte | VGS=10V, ID=6A | --- | 15 | 20 | mΩ |
VGS=4.5V, ID=3A | --- | 23 | 30 | mΩ | ||
VGS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | VGS=VDS, I =250UA | 1,2 | 1,5 | 2,5 | V |
△VGS (th) | Coeficiente de temperatura de VGS (th) | --- | -4 | --- | mV/℃ | |
gfs | Transcondutância dianteira | VDS=10V, I D=6A | --- | 13 | --- | S |
Qg | Porta total Charge3, 4 | --- | 4,1 | 8 | ||
Qgs | Carga 3 da Porta-fonte, 4 | --- | 1 | 2 | ||
Qgd | Carga do Porta-dreno | --- | 2,1 | 4 | ||
TD (sobre) | Tempo de atraso de ligação 3, 4 | --- | 2,6 | 5 | ||
Tr | Tempo de elevação | --- | 7,2 | 14 | ||
TD (fora) | Tempo de atraso 3 da volta-Fora, 4 | --- | 15,8 | 30 | ||
Tf | Tempo de queda 3, 4 | --- | 4,6 | 9 | ||
Ciss | Capacidade da entrada | --- | 345 | 500 | ||
Coss | Capacidade de saída | --- | 55 | 80 | ||
Crss | Capacidade reversa de transferência | --- | 32 | 55 | ||
Rg | Resistência da porta | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | --- | 3,2 | 6,4 | Ω |
É | Corrente de fonte contínua |
VG=VD=0V, corrente da força |
--- | --- | 7,5 | A |
ISMO | Corrente de fonte pulsada | --- | --- | 30 | A | |
VSD | O diodo envia Voltage3 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
rr t |
Tempo de recuperação reversa | VGS=0V, IS=1A, di/dt=100A/µs | --- | --- | --- | ns |
Qrr | Carga reversa da recuperação | --- | --- | --- | nC |
É | Corrente de fonte contínua |
VG=VD=0V, corrente da força |
--- | --- | 7,5 | A |
ISMO | Corrente de fonte pulsada | --- | --- | 30 | A | |
VSD | O diodo envia Voltage3 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
rr t |
Tempo de recuperação reversa | VGS=0V, IS=1A, di/dt=100A/µs | --- | --- | --- | ns |
Qrr | Carga reversa da recuperação | --- | --- | --- | nC |
Solda de Reflow
A escolha do método de aquecimento pode ser influenciada pelo pacote plástico de QFP). Se o infravermelho ou o aquecimento da fase de vapor estão usados e o pacote não está absolutamente seco (menos de 0,1% índices de umidade por peso), a vaporização da pequena quantidade de umidade neles pode causar o rachamento do corpo plástico. O pré-aquecimento é necessário para secar a pasta e para evaporar o agente obrigatório. Duração do pré-aquecimento: 45 minutos em 45 °C.
A solda de Reflow exige a pasta da solda (uma suspensão de partículas finas da solda, de fluxo e de agente obrigatório) para ser aplicada à placa dos circuitos impressos a impressão, pela reprodução por meio de "stencil" ou pela pressão-seringa da tela dispensando antes da colocação do pacote. Diversos métodos existem reflowing; por exemplo, convecção ou convecção/aquecimento infravermelho em um tipo forno do transporte. Os tempos da taxa de transferência (pré-aquecimento, soldando e refrigerando) variam entre 100 e 200 segundos segundo o método de aquecimento.
Escala de temperaturas típica do pico do reflow de 215 ao °C 270 segundo o material da pasta da solda. A parte-superfície
temperatura dos pacotes se preferível ser mantido abaixo do °C 245 para densamente/grandes pacotes (pacotes com uma espessura
2,5 milímetros ou com um volume pacotes grossos de 350 milímetros/grandes assim chamados). A temperatura da parte-superfície dos pacotes se preferível ser mantido abaixo do °C 260 para pacotes finos/pequenos (pacotes com uma espessura < 2="">
1' Ram do st acima da taxa | max3.0+/-2 /sec | - |
Pré-aqueça | 150 ~200 | segundo 60~180 |
2' Ram do nd acima | max3.0+/-2 /sec | - |
Junção da solda | 217 acima | segundo 60~150 |
Temp máximo | 260 +0/-5 | segundo 20~40 |
Do Ram taxa para baixo | 6 /sec máximo | - |
Solda da onda:
A única solda convencional da onda não é recomendada para os dispositivos de superfície (SMDs) da montagem ou as placas dos circuitos impressos com uma densidade componente alta, porque a construção de uma ponte sobre e a não-molhadela da solda podem apresentar problemas graves.
Solda do manual:
Fixe o componente primeiramente soldando duas ligações diagonal-opostas da extremidade. Use um ferro de solda da baixa tensão (24 V ou menos) aplicado à parte plana da ligação. O tempo do contato deve ser limitado a 10 segundos em até 300 °C. Ao usar uma ferramenta dedicada, todas ligações restantes podem ser soldadas em uma operação dentro de 2 a 5 segundos entre 270 e 320 °C.
Pessoa de Contato: David