China Transistor de efeito de campo do MOS

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de efeito de campo N do MOS de 60N06HX 60V

Nome do produto:transistor de poder do mosfet

Temperatura de junção::150℃

Materiais:silício
Transistor do Mosfet do canal de 60N03PIT 30V N, transistor de poder superior

Nome do produto:transistor de poder do mosfet

Temperatura de junção::150℃

Materiais:silício
Temperatura de junção material 150℃ do silicone do transistor de efeito de campo do MOS de 50N06P/T 60V

Nome do produto:transistor de poder do mosfet

Temperatura de junção::150℃

Materiais:silício
O transistor de poder do Mosfet de G40N10 100V, transistor do canal de N jejua interruptor

Nome do produto:transistor de poder do mosfet

Temperatura de junção::150℃

Materiais:silício
Carga da porta do transistor de efeito de campo do MOS de 18N20X 200V baixa para a aplicação de comutação

Nome do produto:transistor de poder do mosfet

Temperatura de junção::150℃

Materiais:silício
identificação 6,0 A do transistor de efeito de campo VDSS do modo do realce 2N7002 20v

Nome do produto:transistor de poder do mosfet

Temperatura de junção::150℃

Materiais:silício
Plástico do transistor de efeito de campo SOT-23 do MOS HXY3404 encapsulado

Nome do produto:transistor de poder do mosfet

Temperatura de junção::150℃

Materiais:silício
Tipo interruptor de HXY3400 N da carga do transistor para aplicações portáteis

Nome do produto:transistor de poder do mosfet

Temperatura de junção::150℃

Materiais:silício
O plástico do transistor de efeito de campo SOT-23 do MOS do canal 20-V de HXY2312 N (D-S) encapsula

Nome do produto:transistor de poder do mosfet

Temperatura de junção::150℃

Materiais:silício
Plástico do transistor de efeito de campo SOT-23 do MOS do canal de HXY2308 N encapsulado

Nome do produto:transistor de poder do mosfet

RDS (SOBRE):136mΩ

Matéria:Pacote de superfície da montagem
transistor de poder do Mosfet 11A, interruptor de alta frequência do transistor de poder superior

Nome do produto:transistor de poder do mosfet

Aplicação:Interruptor de alta frequência

Materiais:silício
MOSFET do canal 20-V do transistor de efeito de campo N do MOS de HXY2302Z (D-S)

Nome do produto:transistor de poder do mosfet

Transistor do Mosfet do poder:SOT-23 Plástico-encapsulam

TJ:150℃

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Transistor de efeito de campo do MOS

China Transistor de efeito de campo do MOS

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de efeito de campo N do MOS de 60N06HX 60V

Transistor do Mosfet do canal de 60N03PIT 30V N, transistor de poder superior

Temperatura de junção material 150℃ do silicone do transistor de efeito de campo do MOS de 50N06P/T 60V

O transistor de poder do Mosfet de G40N10 100V, transistor do canal de N jejua interruptor

Carga da porta do transistor de efeito de campo do MOS de 18N20X 200V baixa para a aplicação de comutação

identificação 6,0 A do transistor de efeito de campo VDSS do modo do realce 2N7002 20v

Plástico do transistor de efeito de campo SOT-23 do MOS HXY3404 encapsulado

Tipo interruptor de HXY3400 N da carga do transistor para aplicações portáteis

O plástico do transistor de efeito de campo SOT-23 do MOS do canal 20-V de HXY2312 N (D-S) encapsula

Plástico do transistor de efeito de campo SOT-23 do MOS do canal de HXY2308 N encapsulado

transistor de poder do Mosfet 11A, interruptor de alta frequência do transistor de poder superior

MOSFET do canal 20-V do transistor de efeito de campo N do MOS de HXY2302Z (D-S)

transistor de poder do mosfet

Transistor do nível da lógica HXY4616, MOSFET complementar de alta tensão do transistor 30V

Alta tensão VDS 40V VGS ±20v do transistor de poder ±20v do Mosfet HXY4616 VGS

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V