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Módulo AP6982GN2-HF do Mosfet do transistor de G2012 20V 12A 10mr 2.4W

Name: Módulo AP6982GN2-HF do Mosfet do transistor de G2012 20V 12A 10mr 2.4W
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: AP6982GN2-HF

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Certificado

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações

Revisões do cliente

nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

—— -- Jason de Canadá

Sob a recomendação de meu amigo, nós sabemos sobre Hua Xuan Yang, um perito superior no semicondutor e na indústria dos componentes eletrônicos, que nos permitiu de reduzir nosso tempo precioso e não tem que arriscar a tentativa outras fábricas.

—— -- Виктор de Rússia

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Módulo AP6982GN2-HF do Mosfet do transistor de G2012 20V 12A 10mr 2.4W

Imagem Grande : Módulo AP6982GN2-HF do Mosfet do transistor de G2012 20V 12A 10mr 2.4W

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Shenzhen, China
Marca:	Hua Xuan Yang
Certificação:	RoHS、SGS
Número do modelo:	AP6982GN2-HF

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Negociação
Preço:	Negotiation
Detalhes da embalagem:	Encaixotado
Tempo de entrega:	1 - 2 semanas
Termos de pagamento:	L/C T/T WESTERN UNION
Habilidade da fonte:	18,000,000PCS/pelo dia

Contato

Módulo AP6982GN2-HF do Mosfet do transistor de G2012 20V 12A 10mr 2.4W

descrição

Tipo:	Transistor do efeito de campo	Nome do produto:	AP6982GN2-HF
Qualidade:	original	Aplicação:	Aparelhos eletrodomésticos
Logotipo:	personalizado	Vth::	0.7V
Realçar:	módulo do Mosfet do transistor 2.4W , módulo do Mosfet do transistor 10mr , Transistor de efeito de campo de AP6982GN2-HF

Alternativa do mosfet do transistor de G2012 20V 12A 10mr para AP6982GN2-HF

Descrição:

As séries AP6982 são de poder avançado inovaram projeto e

tecnologia de processamento do silicone para conseguir sobre o mais baixo possível? resistência e desempenho de comutação rápido. Fornece

desenhista com um dispositivo eficiente extremo para o uso em um largo

escala de aplicações do poder.

Ratings@Tj máximo absoluto =25o.C (salvo disposição em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Avaliação	Unidades
VDS	Tensão da Dreno-fonte	20	V
VGS	Tensão da Porta-fonte	+8	V
ID@TA =25℃	Dreno contínuo³ @ VGS atuais =4.5V	11
ID@TA =70℃	Dreno contínuo³ @ VGS atuais =4.5V	8,7
IDM	Corrente pulsada^1do dreno	40
PD@TA =25℃	Dissipação de poder total³	2,4	W
TSTG	Variação da temperatura do armazenamento	-55 a 150	℃
TJ	Variação da temperatura de funcionamento da junção	-55 a 150	℃

Dados térmicos

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade
Rthj-a	Resistência térmica máxima,^3Junção-ambientais	52	℃/W

Characteristics@Tj elétrico =25oC (salvo disposição em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Condições de teste	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
BVDSS	Tensão de divisão da Dreno-fonte	VGS =0V, IDENTIFICAÇÃO =250UA	20	-	-	V
RDS (SOBRE)	Em-resistência estática^2da Dreno-fonte	VGS =4.5V, IDENTIFICAÇÃO =10A	-	9,3	12,5	mΩ
		VGS =2.5V, IDENTIFICAÇÃO =5A	-	11,3	16	mΩ
		VGS =1.8V, IDENTIFICAÇÃO =2A	-	15	21	mΩ
VGS (th)	Tensão do ponto inicial da porta	VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =250UA	0,3	0,5	1	V
gfs	Transcondutância dianteira	VDS =5V, IDENTIFICAÇÃO =10A	-	34	-	S
IDSS	Corrente do escapamento da Dreno-fonte	VDS =16V, VGS =0V	-	-	10	A
IGSS	Escapamento da Porta-fonte	VGS =+8V, VDS =0V	-	-	+100	nA
Qg	Carga total da porta	Identificação =10A VDS =10V VGS =4.5V	-	22	35,2	nC
Qgs	Carga da Porta-fonte		-	2,5	-	nC
Qgd	Carga do Porta-dreno (“Miller”)		-	7	-	nC
TD (sobre)	Tempo de atraso de ligação	VDS =10V	-	9	-	ns
tr	Tempo de elevação	Identificação =1A	-	13	-	ns
TD (fora)	Tempo de atraso da volta-fora	RG =3.3Ω	-	40	-	ns
tf	Tempo de queda	VGS =5V	-	10	-	ns
tf	Tempo de queda		-	10	-	ns
Ciss	Capacidade entrada	VGS =0V VDS =10V f=1.0MHz	-	1500	2400	PF
Coss	Capacidade de saída		-	170	-	PF
Crss	Capacidade reversa de transferência		-	155	-	PF
Rg	Resistência da porta	f=1.0MHz	-	2	4	Ω

Diodo do Fonte-dreno

Símbolo	Parâmetro	Condições de teste	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
VSD	Envie na tensão²	É =2A, VGS =0V	-	-	1,2	V
trr	Tempo de recuperação reversa	É =10A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	11	-	ns
Qrr	Carga reversa da recuperação	É =10A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	5	-	nC

Notas:

1. Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
teste 2.Pulse
3.Surface montou em 1 na almofada do cobre² 2oz FR4 da placa, t<> 10s; 165^oC/W quando montado na almofada de cobre mínima.

Este produto é sensível à descarga eletrostática, segura por favor com cuidado.

Este produto não é autorizado para ser usado como um componente crítico de um sistema de manutenção das funções vitais ou de outros sistemas similares.

O APEC não será responsável para nenhuma responsabilidade que levanta-se da aplicação ou o uso de todo o produto ou circuito descreveu neste acordo, nem atribuirá qualquer licença sob seus direitos de patente ou atribuirá os direitos de outro.

O APEC reserva o direito de fazer sem aviso prévio mudanças a todo o produto neste acordo melhorar a confiança, a função ou o projeto.

etiqueta:

Pessoa de Contato: David

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1. Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
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1. Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.teste 2.Pulse3.Surface montou em 1 na almofada do cobre2 2oz FR4 da placa, t<> 10s; 165oC/W quando montado na almofada de cobre mínima.

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1. Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
teste 2.Pulse
3.Surface montou em 1 na almofada do cobre² 2oz FR4 da placa, t<> 10s; 165^oC/W quando montado na almofada de cobre mínima.