|
Detalhes do produto:
|
| número da peça: | AP1334GEU-HF | Prazo de execução: | Em estoque |
|---|---|---|---|
| Rosh: | Sim | Circunstância: | Novo |
| Amostra:: | apoio | Tipo:: | As mesmas folha de dados |
| Realçar: | transistor de poder do Mosfet 8A,transistor de poder do Mosfet 0.35W,Transistor de interruptor do poder de AP1334GEU-HF |
||
Preço da vantagem do componente eletrônico AP1334GEU-HF para o estoque original
Descrição
As séries AP1334 são de poder avançado inovaram projeto e tecnologia de processamento do silicone conseguir o mais baixo possível na resistência e no desempenho de comutação rápido. Fornece o desenhista um dispositivo eficiente extremo para o uso em uma vasta gama de aplicações do poder.
Ratings@Tj máximo absoluto =25oC. (salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão da Dreno-fonte | 20 | V |
| VGS | Tensão da Porta-fonte | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Drene a corrente3, VGS @ 4.5V | 2,1 | |
| ID@TA =70℃ | Drene a corrente3, VGS @ 4.5V | 1,7 | |
| IDM | Corrente pulsada1do dreno | 8 | |
| PD@TA =25℃ | Dissipação de poder total | 0,35 | W |
| TSTG | Variação da temperatura do armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Variação da temperatura de funcionamento da junção | -55 a 150 | ℃ |
Dados térmicos
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
| Rthj-a | Resistência térmica máxima,3Junção-ambientais | 360 | ℃/W |
AP1334GEU-H
Characteristics@Tj elétrico =25oC (salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| BVDSS | Tensão de divisão da Dreno-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (SOBRE) | Em-resistência estática2da Dreno-fonte | VGS =4.5V, IDENTIFICAÇÃO =2A | - | - | 65 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICAÇÃO =1.5A | - | - | 75 | mΩ | ||
| VGS =1.8V, IDENTIFICAÇÃO =1A | - | - | 85 | mΩ | ||
| VGS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 0,3 | - | 1 | V |
| gfs | Transcondutância dianteira | VDS =5V, IDENTIFICAÇÃO =2A | - | 12 | - | S |
| IDSS | Corrente do escapamento da Dreno-fonte | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | A |
| IGSS | Escapamento da Porta-fonte | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +30 | A |
| Qg | Carga total da porta |
Identificação =2A VDS =10V VGS =4.5V |
- | 9 | 14,4 | nC |
| Qgs | Carga da Porta-fonte | - | 1 | - | nC | |
| Qgd | Carga do Porta-dreno (“Miller”) | - | 2,5 | - | nC | |
| TD (sobre) | Tempo de atraso de ligação |
IDENTIFICAÇÃO =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V |
- | 6 | - | ns |
| tr | Tempo de elevação | - | 7 | - | ns | |
| TD (fora) | Tempo de atraso da volta-fora | - | 18 | - | ns | |
| tf | Tempo de queda | - | 3 | - | ns | |
| Ciss | Capacidade entrada |
VG.S =0V VDS =10V f=1.0MHz |
- | 570 | 912 | PF |
| Coss | Capacidade de saída | - | 70 | - | PF | |
| Crss | Capacidade reversa de transferência | - | 60 | - | PF | |
| Rg | Resistência da porta | f=1.0MHz | - | 2,4 | 4,8 | Ω |
Diodo do Fonte-dreno
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| VSD | Envie na tensão2 | É =1.2A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
| trr | Tempo de recuperação reversa |
É =2A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs |
- | 14 | - | ns |
| Qrr | Carga reversa da recuperação | - | 7 | - | nC |
Notas:
largura 1.Pulse limitada pela temperatura de junção máxima.
teste 2.Pulse
3.Surface montou FR4 na placa, segundo do ≦ 10 de t.
Nossas vantagens:
Nós temos a equipe profissional para servir-lo, sistema profissional da ordem do ERP, sistema do armazenamento de WSM, apoio comprando em linha, cotação do apoio BOM,
mais todos os artigos são com bom preço e de alta qualidade.
Pessoa de Contato: David
