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Motorista do Mosfet de AP6H03S que usa o transistor, transistor alto durável do ampère

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Revisões do cliente
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Motorista do Mosfet de AP6H03S que usa o transistor, transistor alto durável do ampère

Motorista do Mosfet de AP6H03S que usa o transistor, transistor alto durável do ampère
Motorista do Mosfet de AP6H03S que usa o transistor, transistor alto durável do ampère Motorista do Mosfet de AP6H03S que usa o transistor, transistor alto durável do ampère

Imagem Grande :  Motorista do Mosfet de AP6H03S que usa o transistor, transistor alto durável do ampère

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: AP6H03S
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: negociação
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Motorista do Mosfet de AP6H03S que usa o transistor, transistor alto durável do ampère

descrição
Nome do produto: Motorista do Mosfet que usa o transistor modelo: AP6H03S
Bloco: SOP-8 Marcação: AP6H03S YYWWWW
Tensão da VDSDrain-fonte: 30v Tensão do rce de VGSGate-Sou: ±20A
Realçar:

transistor do mosfet do canal de n

,

transistor de alta tensão

Motorista do Mosfet de AP6H03S que usa o transistor, transistor alto durável do ampère

 

Motorista do Mosfet que usa a descrição do transistor:

 

A trincheira avançada de AP6H03Suses
tecnologia para fornecer o RDS excelente (SOBRE) e a baixa carga da porta.
Os MOSFETs complementares podem ser usados para formar a
o nível deslocou o interruptor lateral alto, e para um anfitrião de outro
aplicações

 

Motorista do Mosfet que usa características do transistor

N-canal
VDS = 30V, IDENTIFICAÇÃO =7.5A
NChannel do RDS (SOBRE < 16m=""> )
VDS = 30V, IDENTIFICAÇÃO =7.5A
Poder superior do RDS (SOBRE < 16m=""> ) e capacidade entregando atual
O produto sem chumbo é adquirido
Pacote de superfície da montagem

 

Motorista do Mosfet que usa a aplicação do transistor


Circuitos duramente comutados e de alta frequência do ●
Fonte de alimentação ininterrupta do ●

 

 

Marcação do pacote e informação pedindo

 

 

Identificação do produto Bloco Marcação Qty (PCS)
AP6H03S SOP-8 AP6H03S YYWWWW 3000

 

Avaliações máximas absolutas Tc=25℃ salvo disposição em contrário

 

 

Símbolo Parâmetro Avaliação Unidades
VDS Tensão da Dreno-fonte 30 V
VGS Tensão do rce da porta-Sou ±20 V

 

D

Mim

Corrente do dreno – contínua (TC=25℃) 7,5 A
Corrente do dreno – contínua (TC=100℃) 4,8 A
IDM Corrente do dreno – Pulsed1 30 A
EAS Única energia 2 da avalancha do pulso 14 mJ
IAS Única corrente 2 de Avalanched do pulso 17 A

 

Paládio

Dissipação de poder (TC=25℃) 2,1 W
Dissipação de poder – Derate acima de 25℃ 0,017 W/℃
TSTG Variação da temperatura do armazenamento -55 a 150
TJ Variação da temperatura de funcionamento da junção -55 a 150
Símbolo Parâmetro Avaliação Unidades
VDS Tensão da Dreno-fonte 30 V
VGS Tensão do rce da porta-Sou ±20 V

 

D

Mim

Corrente do dreno – contínua (TC=25℃) 7,5 A
Corrente do dreno – contínua (TC=100℃) 4,8 A
IDM Corrente do dreno – Pulsed1 30 A
EAS Única energia 2 da avalancha do pulso 14 mJ
IAS Única corrente 2 de Avalanched do pulso 17 A

 

Paládio

Dissipação de poder (TC=25℃) 2,1 W
Dissipação de poder – Derate acima de 25℃ 0,017 W/℃
TSTG Variação da temperatura do armazenamento -55 a 150
TJ Variação da temperatura de funcionamento da junção -55 a 150

 

Características térmicas

 

Símbolo Parâmetro Tipo. Máximo. Unidade
RθJA Junção da resistência térmica a ambiental --- 60 ℃/W

 

Características elétricas (de TJ =25, salvo disposição em contrário) fora das características

 

 

Símbolo Parâmetro Circunstâncias Mínimo. Tipo. Máximo. Unidade
BVDSS Tensão de divisão da Dreno-fonte VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
△ BVDSS/△ TJ Coeficiente de temperatura de BVDSS Referência a 25℃•, ID=1mA --- 0,04 --- V/℃

 

IDSS

 

Corrente do escapamento da Dreno-fonte

VDS=30V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 A
VDS=24V, VGS=0V, TJ=125℃ --- --- 10 A
IGSS Corrente do escapamento da Porta-fonte VGS=± 20V, VDS=0V --- --- ± 100 nA
Símbolo Parâmetro Circunstâncias Mínimo. Tipo. Máximo. Unidade
BVDSS Tensão de divisão da Dreno-fonte VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
△ BVDSS/△ TJ Coeficiente de temperatura de BVDSS Referência a 25℃•, ID=1mA --- 0,04 --- V/℃

 

IDSS

 

Corrente do escapamento da Dreno-fonte

VDS=30V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 A
VDS=24V, VGS=0V, TJ=125℃ --- --- 10 A
IGSS Corrente do escapamento da Porta-fonte VGS=± 20V, VDS=0V --- --- ± 100 nA

 

RDS (SOBRE) Em-resistência estática da Dreno-fonte VGS=10V, ID=6A --- 15 20
VGS=4.5V, ID=3A --- 23 30
VGS (th) Tensão do ponto inicial da porta VGS=VDS, I =250UA 1,2 1,5 2,5 V
△VGS (th) Coeficiente de temperatura de VGS (th) --- -4 --- mV/℃
gfs Transcondutância dianteira VDS=10V, I D=6A --- 13 --- S

 

Qg Porta total Charge3, 4   --- 4,1 8  
Qgs Carga 3 da Porta-fonte, 4 --- 1 2
Qgd Carga do Porta-dreno --- 2,1 4
TD (sobre) Tempo de atraso de ligação 3, 4   --- 2,6 5  
Tr Tempo de elevação --- 7,2 14
TD (fora) Tempo de atraso 3 da volta-Fora, 4 --- 15,8 30
Tf Tempo de queda 3, 4 --- 4,6 9
Ciss Capacidade da entrada   --- 345 500  
Coss Capacidade de saída --- 55 80
Crss Capacidade reversa de transferência --- 32 55
Rg Resistência da porta VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz --- 3,2 6,4 Ω

 

É Corrente de fonte contínua

 

VG=VD=0V, corrente da força

--- --- 7,5 A
ISMO Corrente de fonte pulsada --- --- 30 A
VSD O diodo envia Voltage3 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1 V

rr

t

Tempo de recuperação reversa VGS=0V, IS=1A, di/dt=100A/µs --- --- --- ns
Qrr Carga reversa da recuperação --- --- --- nC
É Corrente de fonte contínua

 

VG=VD=0V, corrente da força

--- --- 7,5 A
ISMO Corrente de fonte pulsada --- --- 30 A
VSD O diodo envia Voltage3 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1 V

rr

t

Tempo de recuperação reversa VGS=0V, IS=1A, di/dt=100A/µs --- --- --- ns
Qrr Carga reversa da recuperação --- --- --- nC

 

Solda de Reflow

A escolha do método de aquecimento pode ser influenciada pelo pacote plástico de QFP). Se o infravermelho ou o aquecimento da fase de vapor estão usados e o pacote não está absolutamente seco (menos de 0,1% índices de umidade por peso), a vaporização da pequena quantidade de umidade neles pode causar o rachamento do corpo plástico. O pré-aquecimento é necessário para secar a pasta e para evaporar o agente obrigatório. Duração do pré-aquecimento: 45 minutos em 45 °C.

 

A solda de Reflow exige a pasta da solda (uma suspensão de partículas finas da solda, de fluxo e de agente obrigatório) para ser aplicada à placa dos circuitos impressos a impressão, pela reprodução por meio de "stencil" ou pela pressão-seringa da tela dispensando antes da colocação do pacote. Diversos métodos existem reflowing; por exemplo, convecção ou convecção/aquecimento infravermelho em um tipo forno do transporte. Os tempos da taxa de transferência (pré-aquecimento, soldando e refrigerando) variam entre 100 e 200 segundos segundo o método de aquecimento.

 

Escala de temperaturas típica do pico do reflow de 215 ao °C 270 segundo o material da pasta da solda. A parte-superfície

temperatura dos pacotes se preferível ser mantido abaixo do °C 245 para densamente/grandes pacotes (pacotes com uma espessura

2,5 milímetros ou com um volume pacotes grossos de 350 milímetros/grandes assim chamados). A temperatura da parte-superfície dos pacotes se preferível ser mantido abaixo do °C 260 para pacotes finos/pequenos (pacotes com uma espessura < 2="">

 

1' Ram do st acima da taxa max3.0+/-2 /sec -
Pré-aqueça 150 ~200 segundo 60~180
2' Ram do nd acima max3.0+/-2 /sec -
Junção da solda 217 acima segundo 60~150
Temp máximo 260 +0/-5 segundo 20~40
Do Ram taxa para baixo 6 /sec máximo -

Solda da onda:

A única solda convencional da onda não é recomendada para os dispositivos de superfície (SMDs) da montagem ou as placas dos circuitos impressos com uma densidade componente alta, porque a construção de uma ponte sobre e a não-molhadela da solda podem apresentar problemas graves.

 

Solda do manual:

Fixe o componente primeiramente soldando duas ligações diagonal-opostas da extremidade. Use um ferro de solda da baixa tensão (24 V ou menos) aplicado à parte plana da ligação. O tempo do contato deve ser limitado a 10 segundos em até 300 °C. Ao usar uma ferramenta dedicada, todas ligações restantes podem ser soldadas em uma operação dentro de 2 a 5 segundos entre 270 e 320 °C.

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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