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MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Revisões do cliente
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MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V
MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V

Imagem Grande :  MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: 20G04S
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V

descrição
Nome do produto: transistor de poder do mosfet Tipo: Transistor do Mosfet
Identificação do produto: 20G04S VDS: 40V
Características: Pacote de superfície da montagem VGS: ±20V
Realçar:

transistor do mosfet do canal de n

,

transistor de alta tensão

MOSFET do modo do realce de 20G04S 40V N+P-Channel

 

Descrição

A trincheira avançada dos usos 20G04S

tecnologia para fornecer R excelenteDS(SOBRE) e baixa carga da porta.

Os MOSFETs complementares podem ser usados para formar a

o nível deslocou o interruptor lateral alto, e para um anfitrião de outro

aplicações

 

Características gerais

N-canal

VDS =40V, ID =20A

RDS(SOBRE)< 35m=""> GS=10V

RDS(SOBRE)< 42m=""> GS=4.5V

P-canal

VDS =-40V, ID = -18A

RDS(SOBRE)<40m> GS=-10V

RDS(SOBRE)< 70m=""> GS=-4.5V

Poder superior e capacidade entregando atual

O produto sem chumbo é adquirido

Pacote de superfície da montagem

 

Aplicação

Aplicação do interruptor do poder do ●

Circuitos duramente comutados e de alta frequência do ●

Fonte de alimentação ininterrupta do ●

 

 

Marcação do pacote e informação pedindo

 

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V 0

Avaliações máximas absolutas (TC=25℃unless notáveis de outra maneira)
 
MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V 1
Características elétricas de N-CH (TA=25℃unless notável de outra maneira)

 

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V 2

 

 

Características elétricas de P-CH (TA=25℃unless notáveis de outra maneira)
 
MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V 3
 
Notas:
1. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
2. Superfície montada FR4 na placa, segundo do ≤ 10 de t.
3. Teste do pulso: ≤ 300μs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.
4. Garantido pelo projeto, não sujeito à produção
 
Características típicas do N-canal
 
MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V 4MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V 5MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V 6MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V 7MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V 8MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V 9
MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V 10
 
 
 
 
Características típicas do P-canal
 
MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V 11MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V 12MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V 13MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V 14MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V 15MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V 16
 
 

Contacto
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Pessoa de Contato: David

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