Detalhes do produto:
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Nome do produto: | Transistor de poder do Mosfet | modelo: | AP25N10X |
---|---|---|---|
Bloco: | SOP-8 | Marcação: | AP25N10S XXX YYYY |
Tensão da VDSDrain-fonte: | 100V | Tensão do rce de VGSGate-Sou: | ±20V |
Realçar: | transistor do mosfet do canal de n,transistor de alta tensão |
Conversores do transistor de poder 25A do Mosfet de AP25N10X 100V TO-252 SOP-8 DC-DC
Descrição do transistor de poder do Mosfet:
Uso VD avançado de AP25N10X A MAIORIA de tecnologia a
forneça baixo RDS (SOBRE), baixa carga da porta, interruptor rápido
Este dispositivo é projetado especialmente obter a melhor aspereza
e apropriado usar-se dentro
Baixo RDS (sobre) & FOM
Extremamente - baixa perda do interruptor
Estabilidade e uniformidade ou inversores excelentes
Características do transistor de poder do Mosfet
VDS =100V MIM D =25 A
RDS (SOBRE) < 55m="">
RDS (SOBRE) < 85m="">
Aplicação do transistor de poder do Mosfet
Controlo do motor eletrônico da fonte de alimentação do consumidor
C.C. isolada Síncrono-correção
aplicações da Síncrono-correção
Marcação do pacote e informação pedindo
Identificação do produto | Bloco | Marcação | Qty (PCS) |
AP25N10S | SOP-8 | AP25N10S XXX YYYY | 3000 |
AP25N10D | TO-252-3 | AP25N10D XXX YYYY | 2500 |
Ratings@Tj máximo absoluto =25 C (salvo disposição em contrário)
Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
VDS | Tensão da Dreno-fonte | 100 | V |
VGS | Tensão da Porta-fonte | +20 | V |
ID@TC =25℃ | Drene a corrente, VGS @ 10V | 25 | A |
ID@TC =100℃ | Drene a corrente, VGS @ 10V | 15 | A |
IDM | Dreno pulsado Current1 | 60 | A |
PD@TC =25℃ | Dissipação de poder total | 44,6 | W |
PD@TA =25℃ | Dissipação de poder total | 2 | W |
T STG | Variação da temperatura do armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
T J | Variação da temperatura de funcionamento da junção | -55 a 150 |
℃ |
Rthj-c | Resistência térmica máxima, Junção-caso | 2,8 | ℃/W |
Rthj-a |
Resistência térmica máxima, Junção-ambiental (Montagem do PWB) |
62,5 | ℃/W |
Characteristics@Tj bonde =25 C (salvo disposição em contrário)
Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
BVDSS | Tensão de divisão da Dreno-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 100 | - | - | V |
RDS (SOBRE) |
Dreno-fonte estática em Resistance2 |
VGS =10V, I =12A | - | - | 55 | mΩ |
VGS =5V, IDENTIFICAÇÃO =8A | - | - | 85 | mΩ | ||
VGS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 0,9 | - | 2,5 | V |
gfs | Transcondutância dianteira | VDS =10V, I =12A | - | 14 | - | S |
IDSS | Corrente do escapamento da Dreno-fonte | VDS =80V, VGS =0V | - | - | 25 | A |
IGSS | Escapamento da Porta-fonte | VGS = +20V, VDS =0V | - | - | +100 | nA |
Qg | Porta total Charge2 | ID=12A | - | 13,5 | 21,6 | nC |
Qgs | Carga da Porta-fonte | - | 3 | - | nC | |
Qgd | Carga do Porta-dreno (“Miller”) | - | 9 | - | nC | |
TD (sobre) | Atraso de ligação Time2 | VDS =50V | - | 6,5 | - | ns |
tr | Tempo de elevação | - | 18 | - | ns | |
TD (fora) | Tempo de atraso da volta-fora | - | 20 | - | ns | |
tf | Tempo de queda | - | 5 | - | ns | |
Ciss | Capacidade da entrada |
VGS =0V VDS =25V |
- | 840 | 1340 | PF |
Coss | Capacidade de saída | - | 115 | - | PF | |
Crss | Capacidade reversa de transferência | - | 80 | - | PF | |
Rg | Resistência da porta | f=1.0MHz | - | 1,6 | - | Ω |
VSD | Envie em Voltage2 | IS=12A, VGS =0V | - | - | 1,3 | V |
trr | Recuperação reversa Time2 |
IS=12A, VGS =0V dI/dt=100A/µs |
- | 40 | - | ns |
Qrr | Carga reversa da recuperação | - | 70 | - | nC |
Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
BVDSS | Tensão de divisão da Dreno-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 100 | - | - | V |
RDS (SOBRE) |
Dreno-fonte estática em Resistance2 |
VGS =10V, I =12A | - | - | 55 | mΩ |
VGS =5V, IDENTIFICAÇÃO =8A | - | - | 85 | mΩ | ||
VGS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 0,9 | - | 2,5 | V |
gfs | Transcondutância dianteira | VDS =10V, I =12A | - | 14 | - | S |
IDSS | Corrente do escapamento da Dreno-fonte | VDS =80V, VGS =0V | - | - | 25 | A |
IGSS | Escapamento da Porta-fonte | VGS = +20V, VDS =0V | - | - | +100 | nA |
Qg | Porta total Charge2 | ID=12A | - | 13,5 | 21,6 | nC |
Qgs | Carga da Porta-fonte | - | 3 | - | nC | |
Qgd | Carga do Porta-dreno (“Miller”) | - | 9 | - | nC | |
TD (sobre) | Atraso de ligação Time2 | VDS =50V | - | 6,5 | - | ns |
tr | Tempo de elevação | - | 18 | - | ns | |
TD (fora) | Tempo de atraso da volta-fora | - | 20 | - | ns | |
tf | Tempo de queda | - | 5 | - | ns | |
Ciss | Capacidade da entrada |
VGS =0V VDS =25V |
- | 840 | 1340 | PF |
Coss | Capacidade de saída | - | 115 | - | PF | |
Crss | Capacidade reversa de transferência | - | 80 | - | PF | |
Rg | Resistência da porta | f=1.0MHz | - | 1,6 | - | Ω |
VSD | Envie em Voltage2 | IS=12A, VGS =0V | - | - | 1,3 | V |
trr | Recuperação reversa Time2 |
IS=12A, VGS =0V dI/dt=100A/µs |
- | 40 | - | ns |
Qrr | Carga reversa da recuperação | - | 70 | - | nC |
Notas:
1. Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima. teste 2.Pulse
3.Surface montado em 1 dentro
almofada 2 de cobre da placa FR4
Atenção
1, algum e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto não tem as especificações que podem segurar as aplicações que exigem extremamente níveis elevados de confiança, tais como sistemas de manutenção das funções vitais, sistemas de controlo de avião, ou outras aplicações cuja a falha pode razoavelmente ser esperada conduzir a dano físico e/ou material sério. Consulte-o com seu mais próximo representativo da microeletrônica de APM antes de usar algum produto da microeletrônica de APM descrito ou contido nisto em tais aplicações.
2, microeletrônica de APM não supõem nenhuma responsabilidade para as falhas de equipamento que resultam de usar produtos nos valores que excedem, mesmo momentaneamente, os valores avaliados (tais como avaliações máximas, escalas da condição operacional, ou outros parâmetros) alistados em especificações de produtos de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto.
3, especificações de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descreveram ou contiveram aqui o instipulate o desempenho, as características, e as funções dos produtos descritos no estado independente, e não são garantias do desempenho, das características, e das funções dos produtos descritos como montado nos produtos ou no equipamento do cliente. Para verificar os sintomas e os estados que não podem ser avaliados em um dispositivo independente, o cliente deve sempre avaliar e testar os dispositivos montados nos produtos ou no equipamento do cliente.
4, semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD. esforçam-se para fornecer os produtos altos de alta qualidade da confiança. Contudo, alguns e todos os produtos de semicondutor falham com alguma probabilidade. É possível que estas falhas probabilísticas poderiam causar os acidentes ou os eventos que poderiam pôr em perigo as vidas humanas que poderiam causar o fumo ou o fogo, ou que poderiam causar dano à outra propriedade. O equipamento de Whendesigning, adota medidas de segurança de modo que estes tipos dos acidentes ou dos eventos não possam ocorrer. Tais medidas incluem mas não são limitadas aos circuitos protetores e aos circuitos da prevenção de erro para o projeto seguro, o projeto redundante, e o projeto estrutural.
5, caso exister ou todos os produtos da microeletrônica de APM (que incluem dados, serviços técnicos) descritos ou contidos nisto forem controlados sob alguns de leis e de regulamentos aplicáveis de controlo de exportações locais, tais produtos não devem ser exportados sem obter a licença de exportação das autoridades referidas de acordo com a lei acima.
6, nenhuma parte desta publicação podem ser reproduzidos ou transmitido em todo o formulário ou por qualquer meio, eletrônico ou mecânico, incluindo a fotocópia e a gravação, ou o qualquer sistema de armazenamento ou de recuperação de informação, ou de outra maneira, sem a autorização escrita prévia do semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD.
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8, alguns e toda a informação descritos ou contidos nisto são sujeitos mudar sem aviso prévio devido ao produto/melhoria da tecnologia, etc. Ao projetar o equipamento, refira da “a especificação entrega” para o produto da microeletrônica de APM que você pretende usar.
Pessoa de Contato: David