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10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet

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Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Revisões do cliente
nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

—— -- Jason de Canadá

Sob a recomendação de meu amigo, nós sabemos sobre Hua Xuan Yang, um perito superior no semicondutor e na indústria dos componentes eletrônicos, que nos permitiu de reduzir nosso tempo precioso e não tem que arriscar a tentativa outras fábricas.

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10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet

10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet
10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet

Imagem Grande :  10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: 10G03S
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia
Contato

10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet

descrição
Nome do produto: transistor de poder do mosfet Tipo: Transistor do Mosfet
Número do modelo: 10G03S Temperatura de junção:: 150℃
Aplicação: Aplicação do interruptor do poder Características: O produto sem chumbo é adquirido
Realçar:

transistor do mosfet do canal de n

,

transistor de alta tensão

MOSFET do modo do realce de 10G03S 30V N+P-Channel

 

 

Descrição

A trincheira avançada dos usos 10G03S

tecnologia para fornecer R excelenteDS(SOBRE) e baixa carga da porta.

Os MOSFETs complementares podem ser usados para formar a

o nível deslocou o interruptor lateral alto, e para um anfitrião de outro

aplicações

 

Características gerais

N-canal

VDS = 30V, ID =10A

RDS(SOBRE)< 16m=""> GS=10V

P-canal

VDS = -30V, ID = -9A

RDS(SOBRE)< 37m=""> GS=-10V

Poder superior e capacidade entregando atual

O produto sem chumbo é adquirido

Pacote de superfície da montagem

 

Aplicação

Aplicação do interruptor do poder do ●

Circuitos duramente comutados e de alta frequência do ●

Fonte de alimentação ininterrupta do ●

 

 

Marcação do pacote e informação pedindo

 

10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet 0

Avaliações máximas absolutas (TC=25℃unless notáveis de outra maneira)
10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet 1
 
Características elétricas de N-CH (TA=25℃unless notável de outra maneira)

 

10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet 2

 

 

Características elétricas de P-CH (TA=25℃unless notáveis de outra maneira)
 
 
10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet 3
Notas:
1. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
2. Superfície montada FR4 na placa, segundo do ≤ 10 de t.
3. Teste do pulso: ≤ 300μs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.
4. Garantido pelo projeto, não sujeito à produção
 
Características típicas do N-canal
10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet 410G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet 510G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet 610G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet 710G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet 810G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet 9
 
 
 
 
Características típicas do P-canal
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etiqueta:

transistor de alta tensão,

transistor do mosfet do canal de n,

interruptor alto do mosfet da corrente

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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sobre

transistor de poder do mosfet

Transistor do nível da lógica HXY4616, MOSFET complementar de alta tensão do transistor 30V

Alta tensão VDS 40V VGS ±20v do transistor de poder ±20v do Mosfet HXY4616 VGS

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V

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