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Identificação 6.5A do MOSFET do modo do realce do transistor de poder do Mosfet de 6G03S 30V

Name: Identificação 6.5A do MOSFET do modo do realce do transistor de poder do Mosfet de 6G03S 30V
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 6G03S

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Estabilizador IC da tensão
(14)

Certificado

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações

Revisões do cliente

nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

—— -- Jason de Canadá

Sob a recomendação de meu amigo, nós sabemos sobre Hua Xuan Yang, um perito superior no semicondutor e na indústria dos componentes eletrônicos, que nos permitiu de reduzir nosso tempo precioso e não tem que arriscar a tentativa outras fábricas.

—— -- Виктор de Rússia

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Identificação 6.5A do MOSFET do modo do realce do transistor de poder do Mosfet de 6G03S 30V

Imagem Grande : Identificação 6.5A do MOSFET do modo do realce do transistor de poder do Mosfet de 6G03S 30V

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Shenzhen China
Marca:	Hua Xuan Yang
Certificação:	RoHS、SGS
Número do modelo:	6G03S

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1000-2000 PCes
Preço:	Negotiated
Detalhes da embalagem:	Encaixotado
Tempo de entrega:	1 - 2 semanas
Termos de pagamento:	L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte:	18,000,000PCS/pelo dia

Contato

Identificação 6.5A do MOSFET do modo do realce do transistor de poder do Mosfet de 6G03S 30V

descrição

Nome do produto:	transistor de poder do mosfet	RDS (SOBRE):	< 37m="">
Número do modelo:	6G03S	Identificação:	6.5A
Matéria:	Baixa carga da porta	VGS:	-10V
Realçar:	transistor do mosfet do canal de n , interruptor alto do mosfet da corrente

MOSFET do modo do realce de 6G03S 30V N+P-Channel

Descrição

A trincheira avançada dos usos 6G03S

tecnologia para fornecer R excelente_DS(SOBRE) e baixa carga da porta.

Os MOSFETs complementares podem ser usados para formar a

o nível deslocou o interruptor lateral alto, e para um anfitrião de outro

aplicações

Características gerais

P-canal do N-canal

N-canal

V_DS = 30V, I_D =6.5A

R_DS(SOBRE)< 16m=""> GS=10V

P-canal

V_DS = -30V, I_D = -7A

R_DS(SOBRE)< 37m=""> GS=-10V

Poder superior e capacidade entregando atual

O produto sem chumbo é adquirido

Pacote de superfície da montagem

Aplicação

Aplicação do interruptor do poder do ●

Circuitos duramente comutados e de alta frequência do ●

Fonte de alimentação ininterrupta do ●

Marcação do pacote e informação pedindo

Identificação 6.5A do MOSFET do modo do realce do transistor de poder do Mosfet de 6G03S 30V 0

Avaliações máximas absolutas (TC=25℃unless notáveis de outra maneira)

Características elétricas de N-CH (TA=25℃unless notável de outra maneira)

Identificação 6.5A do MOSFET do modo do realce do transistor de poder do Mosfet de 6G03S 30V 2

Notas:

1. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.

2. Superfície montada FR4 na placa, segundo do ≤ 10 de t.

3. Teste do pulso: ≤ 300μs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.

4. Garantido pelo projeto, não sujeito à produção

características elétricas do canal de 30V N+P-Channel EnhancemeN- e térmicas típicas (curvas)

etiqueta:

Pessoa de Contato: David

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