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Tipo do Triode do semicondutor dos transistor de poder VCBO da ponta 3DD13005HD55 600V

Name: Tipo do Triode do semicondutor dos transistor de poder VCBO da ponta 3DD13005HD55 600V
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 3DD13005HD55

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Certificado

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações

Revisões do cliente

nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

—— -- Jason de Canadá

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Tipo do Triode do semicondutor dos transistor de poder VCBO da ponta 3DD13005HD55 600V

Imagem Grande : Tipo do Triode do semicondutor dos transistor de poder VCBO da ponta 3DD13005HD55 600V

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Shenzhen China
Marca:	Hua Xuan Yang
Certificação:	RoHS、SGS
Número do modelo:	3DD13005HD55

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1000-2000 PCes
Preço:	Negotiated
Detalhes da embalagem:	Encaixotado
Tempo de entrega:	1 - 2 semanas
Termos de pagamento:	L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte:	18,000,000PCS/pelo dia

Contato

Tipo do Triode do semicondutor dos transistor de poder VCBO da ponta 3DD13005HD55 600V

descrição

Dissipação de poder do coletor:	1.5W	Temperatura de junção:	℃ 150
VCBO:	600v	Nome do produto:	tipo do triode do semicondutor
Corrente de coletor:	3.5A	Tipo:	Transistor do Triode
Realçar:	transistor da série da ponta , transistor do pnp do poder superior

TO-126 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 3DD13005HD55 (NPN)

CARACTERÍSTICA

Aplicações do interruptor do poder de Ÿ

Boa alta temperatura de Ÿ

Tensão de saturação de Ÿ baixa

Interruptor de alta velocidade de Ÿ

MARCAÇÃO

Código do logotipo 13005HD55=Device de JCET

Tipo do Triode do semicondutor dos transistor de poder VCBO da ponta 3DD13005HD55 600V 0

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça	Pacote	Método da embalagem	Quantidade do bloco
3DD13005HD55	TO-126	Volume	200pcs/Bag
3DD13005HD55-TU	TO-126	Tubo	60pcs/Tube

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (T_um =25 Š salvo disposição em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade
VCBO	Tensão da Coletor-base	800	V
VCEO	Tensão do Coletor-emissor	450	V
VEBO	Tensão da Emissor-base	9	V
MIM_C	Corrente de coletor	3,5	A
P_C	Dissipação de poder do coletor	1,5	W
RθJA	Resistência térmica da junção a ambiental	83,3	℃/W
T_j	Temperatura de junção	150	℃
Tstg	Temperatura de armazenamento	-55~+150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro	Símbolo	Condições de teste	Minuto	Tipo	Máximo	Unidade
tensão de divisão da Coletor-base	V (BR) CBO	Mim_C=1mA, ISTO É =0	800			V
tensão de divisão do Coletor-emissor	V (BR) CEO*	Mim_C=10mA, I_B=0	450			V
tensão de divisão da Emissor-base	V (BR) EBO	ISTO É = 1mA, I_C=0	9			V
Corrente de interrupção de coletor	ICBO	V_CB=700V, ISTO É =0			100	μA
Corrente de interrupção de coletor	ICEO	V_CE=450V, I_B=0			100	μA
Corrente da interrupção do emissor	IEBO	V_EB=9V, I_C=0			100	μA
Ganho atual de C.C.	hFE (1) *	V_CE=5V, I_C=1A	10		40
	hFE (2) *	V_CE=5V, I_C=5mA	10
	hFE (3) *	V_CE=5V, I_C=2A	5
tensão de saturação do Coletor-emissor	VCE (sentado) 1	Mim_C=1A, I_B=200mA			0,3	V
tensão de saturação do Coletor-emissor	VCE (sentado) 2	Mim_C=2A, I_B=500mA			0,6	V
Tensão de saturação do emissor de base	VBE (sentado) 1	Mim_C=2A, I_B=500mA			1,2	V
Tensão de saturação do emissor de base	VBE (sentado) 2	Mim_C=500mA, I_B=100mA			1	V
tensão dianteira do Emissor-coletor	_ECDE VF	MIM_C=2A			2	V
Frequência da transição	f_T	V_CE=10V, I_C=500mA	5			Megahertz
Tempo de armazenamento	ts	Mim_C=250mA (UI9600)			5	µs

Características típicas

Tipo do Triode do semicondutor dos transistor de poder VCBO da ponta 3DD13005HD55 600V 1

Dimensões do esboço do pacote TO-92

Símbolo	Dimensões nos milímetros		Dimensões nas polegadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	2,500	2,900	0,098	0,114
A1	1,100	1,500	0,043	0,059
b	0,660	0,860	0,026	0,034
b1	1,170	1,370	0,046	0,054
c	0,450	0,600	0,018	0,024
D	7,400	7,800	0,291	0,307
E	10,600	11,000	0,417	0,433
e	2,290 TIPO		0,090 TIPOS
e1	4,480	4,680	0,176	0,184
h	0,000	0,300	0,000	0,012
L	15,300	15,700	0,602	0,618
L1	2,100	2,300	0,083	0,091
P	3,900	4,100	0,154	0,161
Φ	3,000	3,200	0,118	0,126

Tipo do Triode do semicondutor dos transistor de poder VCBO da ponta 3DD13005HD55 600V 3

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