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Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003

Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003
Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003 Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003

Imagem Grande :  Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: MJE13003
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003

descrição
Tipo: Transistor do Triode Materiais: silício
Transistor do Mosfet do poder: TO-126 Plástico-encapsulam Nome do produto: tipo do triode do semicondutor
TJ: 150℃
Realçar:

transistor da série da ponta

,

transistor do pnp do poder superior

TO-126 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor MJE13003 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Aplicações do interruptor do poder de Ÿ

 

 

MARCAÇÃO

Código de MJE13003=Device

Ponto contínuo = verde que molda o dispositivo composto, se nenhum, o dispositivo normal

Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003 0

 

Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003 1

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
MJE13003 TO-126 Volume 200pcs/Bag
MJE13003-TU TO-126 Tubo 60pcs/Tube


 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Coletor - tensão baixa 600 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 420 V
VEBO Tensão da Emissor-base 7 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 0,2 A
PC Dissipação de poder do coletor 0,75 W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55 ~150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC= 0.1mA, ISTO É =0 600     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC= 1mA, IB=0 400     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É =0.1MA, IC=0 6     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=600V, ISTO É =0     100 A
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE=400V, IB=0     100 A
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=7V, IC=0     10 A
Ganho atual de C.C. hFE (1) * VCE=10V, IC=200mA 20   30  
hFE (2) VCE=10V, IC=250μA 5    
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) 1 MimC=200mA, IB=40mA     0,5 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MimC=200mA, IB=40mA     1,1 V
Frequência da transição fT VCE=10V, IC=100mA, f=1MHz 5     Megahertz
Tempo de queda tf MimC=100mA     0,5 μs
Tempo de armazenamento tS* MimC=100mA 2   4

 

 
 Dimensões do esboço do pacote TO-92

 

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TIPO 0,090 TIPOS
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

 

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Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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