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Transistor do nível da lógica HXY4616, MOSFET complementar de alta tensão do transistor 30V

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Transistor do nível da lógica HXY4616, MOSFET complementar de alta tensão do transistor 30V

Transistor do nível da lógica HXY4616, MOSFET complementar de alta tensão do transistor 30V
Transistor do nível da lógica HXY4616, MOSFET complementar de alta tensão do transistor 30V

Imagem Grande :  Transistor do nível da lógica HXY4616, MOSFET complementar de alta tensão do transistor 30V

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: HXY4616
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Transistor do nível da lógica HXY4616, MOSFET complementar de alta tensão do transistor 30V

descrição
Nome do produto: transistor de poder do mosfet Tipo: Transistor do Mosfet
Identificação do produto: 20G04S VDS: 40V
Características: Pacote de superfície da montagem VGS: ±20V
Realçar:

interruptor alto do mosfet da corrente

,

transistor de alta tensão

MOSFET complementar de HXY4616 30V

 

Descrição

 

Os usos HXY4616 avançados trench a tecnologia ao RDS provideexcellent (SOBRE) e à baixa carga da porta. Thiscomplementary N e P canaliza os configurationis do MOSFET ideais para baixas aplicações do inversor da tensão de entrada.

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Características elétricas do N-canal (T=25°C salvo disposição em contrário)
 
 
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A. O valor doθJAde R é medido com o dispositivo montado em 1in A =25°C. que o valor em toda a aplicação dada depende da placa específica da placa design.2 FR-4 do usuário com 2oz. Revista, em um ambiente de ar imóvel com T

B. A dissipação de poder PD é baseada em TJ(max) =150°C, usando a resistência térmica junção-à-ambiental do ≤ 10s. C. a avaliação repetitiva, largura de pulso limitada por avaliações da temperatura de junção TJ(max) =150°C. é baseada em de baixa frequência e em tempos de utilização para manter o initialTJ=25°C.

D. OθJAde R é a soma da impedância térmica da junção para conduzir oθJLde R e a conduzi-la a ambiental.

E. As características estáticas em figuras 1 6 são utilização obtida <300>

F. Estas curvas são baseadas na impedância térmica junção-à-ambiental que é medida com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com 2oz. Revista, supondo que uma temperatura de junção máxima de TJ(max) =150°C. a curva de SOA fornece um único ratin G. do pulso.

 

N-canal: CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS
 
 
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Contacto
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