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Interruptor B772 de baixa velocidade encapsulado plástico dos transistor de poder TO-251-3L da ponta de PNP

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Interruptor B772 de baixa velocidade encapsulado plástico dos transistor de poder TO-251-3L da ponta de PNP

Interruptor B772 de baixa velocidade encapsulado plástico dos transistor de poder TO-251-3L da ponta de PNP
Interruptor B772 de baixa velocidade encapsulado plástico dos transistor de poder TO-251-3L da ponta de PNP

Imagem Grande :  Interruptor B772 de baixa velocidade encapsulado plástico dos transistor de poder TO-251-3L da ponta de PNP

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: B772
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Interruptor B772 de baixa velocidade encapsulado plástico dos transistor de poder TO-251-3L da ponta de PNP

descrição
Tensão da VoltageCollector-base da Coletor-base: 40V Tensão do Coletor-Emissor: 30V
tensão da Emissor-base: -6V Nome do produto: tipo do triode do semicondutor
TJ: 150℃ Tipo: Transistor do Triode
Realçar:

transistor do pnp da ponta

,

transistor da série da ponta

TRANSISTOR Plástico-encapsulado TO-126 dos transistor B772 (PNP)

 

 

CARACTERÍSTICA
 


Interruptor de baixa velocidade
 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)
 

SímboloParâmetroValorUnidade
VCBOTensão da Coletor-base-40V
VCEOTensão do Coletor-emissor-30V
VEBOTensão da Emissor-base-6V
MIMCCorrente de coletor - contínua-3A
PCDissipação de poder do coletor1,25W
RӨJAResistência térmica, junção a ambiental100℃/W
TjTemperatura de junção150
TstgTemperatura de armazenamento-55-150

 
 
 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

ParâmetroSímboloCondições de testeMinutoTipoMáximoUnidade
tensão de divisão da Coletor-baseV (BR) CBOMimC=-100μA, ISTO É =0-40  V
tensão de divisão do Coletor-emissor(BR) CEO VMIMC= -10MA, IB=0-30  V
tensão de divisão da Emissor-baseV (BR) EBOISTO É = -100ΜA, IC=0-6  V
Corrente de interrupção de coletorICBOVCB= -40V, ISTO É =0  -1μA
Corrente de interrupção de coletorICEOVCE=-30V, IB=0  -10μA
Corrente da interrupção do emissorIEBOVEB=-6V, IC=0  -1μA
Ganho atual de C.C.hFEVCE= -2V, IC= -1A60 400 
tensão de saturação do Coletor-emissorVCE (sentado)MIMC=-2A, IB= -0.2A  -0,5V
Tensão de saturação do emissor de baseVBE (sentado)MIMC=-2A, IB= -0.2A  -1,5V

 

Frequência da transição

fT

VCE= -5V, IC=-0.1A

f =10MHz

 

50

 

80

 

 

Megahertz

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

GrauROYGR
Escala60-120100-200160-320200-400

 
 
 

 Dimensões do esboço do pacote
 

SímboloDimensões nos milímetrosDimensões nas polegadas
 MinutoMáximoMinutoMáximo
A3,3003,7000,1300,146
A11,1001,4000,0430,055
b0,3800,5500,0150,022
c0,3600,5100,0140,020
D4,3004,7000,1690,185
D13,430 0,135 
E4,3004,7000,1690,185
e1,270 TIPO0,050 TIPOS
e12,4402,6400,0960,104
L14,10014,5000,5550,571
0 1,600 0,063
h0,0000,3800,0000,015

 
 
Interruptor B772 de baixa velocidade encapsulado plástico dos transistor de poder TO-251-3L da ponta de PNP 0
 
 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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