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temperatura -55-150 do armazenamento da densidade de pilha da montagem da superfície dos transistor da série da ponta 2N3904 alta

Name: temperatura -55-150 do armazenamento da densidade de pilha da montagem da superfície dos transistor da série da ponta 2N3904 alta
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 2N3904

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(14)

Certificado

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações

Revisões do cliente

nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

—— -- Jason de Canadá

Sob a recomendação de meu amigo, nós sabemos sobre Hua Xuan Yang, um perito superior no semicondutor e na indústria dos componentes eletrônicos, que nos permitiu de reduzir nosso tempo precioso e não tem que arriscar a tentativa outras fábricas.

—— -- Виктор de Rússia

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temperatura -55-150 do armazenamento da densidade de pilha da montagem da superfície dos transistor da série da ponta 2N3904 alta

Imagem Grande : temperatura -55-150 do armazenamento da densidade de pilha da montagem da superfície dos transistor da série da ponta 2N3904 alta

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Shenzhen China
Marca:	Hua Xuan Yang
Certificação:	RoHS、SGS
Número do modelo:	2N3904

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1000-2000 PCes
Preço:	Negotiated
Detalhes da embalagem:	Encaixotado
Tempo de entrega:	1 - 2 semanas
Termos de pagamento:	L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte:	18,000,000PCS/pelo dia

Contato

temperatura -55-150 do armazenamento da densidade de pilha da montagem da superfície dos transistor da série da ponta 2N3904 alta

descrição

Nome do produto:	tipo do triode do semicondutor	Aplicação:	a fonte de alimentação móvel conduziu o motorista/controlo do motor
Materiais:	silício	tensão da Emissor-base:	6v
Processo:	Fita/bandeja/carretel
Realçar:	transistor do pnp da ponta , transistor do pnp do poder superior

SOT-89-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 2N3904 (NPN).

CARACTERÍSTICA

Transistor planar epitaxial do silicone de Ÿ NPN para a comutação e as aplicações do amplificador

Ÿ como o tipo complementar, o transistor 2N3906 de PNP é recomendado

Este transistor de Ÿ está igualmente disponível no caso SOT-23 com o tipo designação MMBT3904

temperatura -55-150 do armazenamento da densidade de pilha da montagem da superfície dos transistor da série da ponta 2N3904 alta 0

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça	Pacote	Método da embalagem	Quantidade do bloco
2N3904	TO-92	Volume	1000pcs/Bag
2N3904-TA	TO-92	Fita	2000pcs/Box

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta =25Š salvo disposição em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade
VCBO	Tensão da Coletor-base	60	V
VCEO	Tensão do Coletor-emissor	40	V
VEBO	Tensão da Emissor-base	6	V
MIM_C	Corrente de coletor - contínua	0,2	A
P_C	Dissipação de poder do coletor	0,625	W
T_J	Temperatura de junção	150	Š
Tstg	Temperatura de armazenamento	-55-150	Š

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro	Símbolo	Condições de teste	Minuto	Tipo	Máximo	Unidade
tensão de divisão da Coletor-base	V (BR) CBO	MIM_C=10ΜA, ISTO É =0	60			V
tensão de divisão do Coletor-emissor	(BR) CEO V	Mim_C= 1mA, I_B=0	40			V
tensão de divisão da Emissor-base	V (BR) EBO	ISTO É = 10µA, I_C=0	6			V
Corrente de interrupção de coletor	ICBO	V_CB=60V, ISTO É =0			0,1	µA
Corrente de interrupção de coletor	ICEX	V_CE=30V, V_EB(fora) =3V			0,05	µA
Corrente da interrupção do emissor	IEBO	V_EB= 5V, I_C=0			0,1	µA
Ganho atual de C.C.	hFE1	V_CE=1V, I_C=10mA	100		400
	hFE2	V_CE=1V, I_C=50mA	60
	hFE3	V_CE=1V, I_C=100mA	30
tensão de saturação do Coletor-emissor	VCE (sentado)	Mim_C=50mA, I_B=5mA			0,3	V
Tensão de saturação do emissor de base	VBE (sentado)	Mim_C=50mA, I_B=5mA			0,95	V
Frequência da transição	f_T	V_CE=20V, I_C=10mA, f=100MHz	300			MH_Z
Tempo de atraso	t_d	V_CC=3V, V_BE=0.5V, Mim_C=10mA, I_B1=1mA			35	ns
Tempo de elevação	t_r	V_CC=3V, V_BE=0.5V, Mim_C=10mA, I_B1=1mA			35	ns
Tempo de armazenamento	t_s	V_CC=3V, I_C=10mA Mim_B1=IB2=1mA			200	ns
Tempo de queda	t_f	V_CC=3V, I_C=10mA Mim_B1=IB2=1mA			50	ns

CLASSIFICAÇÃO de h_FE1

Grau	O	Y	G
Nge do Ra	100-200	200-300	300-400

Características típicas

temperatura -55-150 do armazenamento da densidade de pilha da montagem da superfície dos transistor da série da ponta 2N3904 alta 1

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Dimensões do esboço do pacote

Símbolo	Dimensões nos milímetros		Dimensões nas polegadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TIPO		0,050 TIPOS
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

Disposição sugerida SOT-89-3L da almofada

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Disposição sugerida TO-92 da almofada
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TO-92 7DSH DQG 5HHO

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AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta =25Š salvo disposição em contrário)

CLASSIFICAÇÃO de hFE1

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