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Tensão de saturação do circuito VCEO 400V do transistor de poder superior 3DD13002B baixa

Name: Tensão de saturação do circuito VCEO 400V do transistor de poder superior 3DD13002B baixa
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 3DD13002B

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(14)

Certificado

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações

Revisões do cliente

nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

—— -- Jason de Canadá

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Tensão de saturação do circuito VCEO 400V do transistor de poder superior 3DD13002B baixa

Imagem Grande : Tensão de saturação do circuito VCEO 400V do transistor de poder superior 3DD13002B baixa

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Shenzhen China
Marca:	Hua Xuan Yang
Certificação:	RoHS、SGS
Número do modelo:	3DD13002B

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1000-2000 PCes
Preço:	Negotiated
Detalhes da embalagem:	Encaixotado
Tempo de entrega:	1 - 2 semanas
Termos de pagamento:	L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte:	18,000,000PCS/pelo dia

Contato

Tensão de saturação do circuito VCEO 400V do transistor de poder superior 3DD13002B baixa

descrição

VCBO:	600v	VCEO:	400V
Tensão da Coletor-Base:	6v	Nome do produto:	tipo do triode do semicondutor
Transistor do Mosfet do poder:	TO-92 Plástico-encapsulam	Tipo:	Transistor do Triode
Realçar:	transistor da série da ponta , transistor do pnp do poder superior

TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 3DD13002B (NPN)

CARACTERÍSTICA

Aplicações do interruptor do poder

MARCAÇÃO

código 13002B=Device

O sólido dot=Green o dispositivo composto moldando, se nenhum, o dispositivo normal

XXX=Code

Tensão de saturação do circuito VCEO 400V do transistor de poder superior 3DD13002B baixa 0

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça	Pacote	Método da embalagem	Quantidade do bloco
3DD13002B	TO-92	Volume	1000pcs/Bag
3DD13002B-TA	TO-92	Fita	2000pcs/Box

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (T_um =25 Š salvo disposição em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade
VCBO	Tensão da Coletor-base	600	V
VCEO	Tensão do Coletor-emissor	400	V
VEBO	Tensão da Emissor-base	6	V
MIM_C	Corrente de coletor - contínua	0,8	A
P_C	Dissipação de poder do coletor	0,9	W
T_J	Temperatura de junção	150	℃
Tstg	Temperatura de armazenamento	-55 ~ 150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro	Símbolo	Condições de teste	Minuto	Tipo	Máximo	Unidade
tensão de divisão da Coletor-base	V (BR) CBO	Mim_C=100μA, ISTO É =0	600			V
tensão de divisão do Coletor-emissor	(BR) CEO V	Mim_C=1mA, I_B=0	400			V
tensão de divisão da Emissor-base	V (BR) EBO	ISTO É = 100μA, I_C=0	6			V
Corrente de interrupção de coletor	ICBO	V_CB= 600V, ISTO É =0			100	µA
	ICEO	V_CE= 400V, I_B=0			100	µA
Corrente da interrupção do emissor	IEBO	V_EB= 6 V, I_C=0			100	µA
Ganho urrent da C.C. c	hFE1	V_CE= 10 V, I_C=200mA	9		40
	hFE2	V_CE= 10 V, I_C=0.25mA	5
tensão de saturação do Coletor-emissor	VCE (sentado)	Mim_C=200mA, I_B=40mA			0,5	V
Tensão de saturação do emissor de base	VBE (sentado)	Mim_C=200mA, I_B=40mA			1,1	V
Frequência da transição	f_T	V_CE=10V, I_C=100mA f =1MHz	5			Megahertz
Tempo de queda	t_f	MIM_C=1A, I_B1=-IB2=0.2A V_CC=100V			0,5	µs
Tempo de armazenamento	t_s				2,5	µs

CLASSIFICAÇÃO DE_FEde h₍₂₎

Escala

9-15

15-20

20-25

25-30

30-35

35-40

Características típicas

Tensão de saturação do circuito VCEO 400V do transistor de poder superior 3DD13002B baixa 3

Dimensões do esboço do pacote TO-92

Símbolo	Dimensões nos milímetros		Dimensões nas polegadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TIPO		0,050 TIPOS
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
Φ		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

etiqueta:

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