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B772 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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B772 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP

B772 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP
B772 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP

Imagem Grande :  B772 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: B772
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

B772 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP

descrição
Dissipação de poder do coletor: 1.25W VCEO: -30V
VEBO: -6V Nome do produto: tipo do triode do semicondutor
TJ: 150℃ Tipo: Transistor do Triode
Realçar:

transistor do pnp da ponta

,

transistor do pnp do poder superior

TO-126 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor B772 (PNP)

 

 

CARACTERÍSTICA
 


Interruptor de baixa velocidade

 

 

MARCAÇÃO

Código de B772=Device

Ponto contínuo = verde que molda o dispositivo composto, se nenhum, o dispositivo normal XX=Code

 

B772 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP 0

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
B772 TO-126 Volume 200pcs/Bag
B772-TU TO-126 Tubo 60pcs/Tube


 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base -40 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor -30 V
VEBO Tensão da Emissor-base -6 V
MIMC Corrente de coletor - contínua -3 A
PC Dissipação de poder do coletor 1,25 W
RӨJA Resistência térmica da junção a ambiental 100 ℃/W
Tj Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55-150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC=-100μA, ISTO É =0 -40     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MIMC= -10MA, IB=0 -30     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = -100ΜA, IC=0 -6     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB= -40V, ISTO É =0     -1 μA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE=-30V, IB=0     -10 μA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=-6V, IC=0     -1 μA
Ganho atual de C.C. hFE VCE= -2V, IC= -1A 60   400  
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MIMC=-2A, IB= -0.2A     -0,5 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MIMC=-2A, IB= -0.2A     -1,5 V

 

Frequência da transição

fT

VCE= -5V, IC=-0.1A

f =10MHz

 

50

 

80

 

 

Megahertz

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

Grau R O Y GR
Escala 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Características típicas

B772 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP 1B772 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP 2B772 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP 3

 

 

 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

B772 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP 4

 

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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