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Temperatura -55-150 do armazenamento da densidade de pilha da montagem da superfície dos transistor da série da ponta B772 alta

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Revisões do cliente
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Temperatura -55-150 do armazenamento da densidade de pilha da montagem da superfície dos transistor da série da ponta B772 alta

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Temperatura -55-150 do armazenamento da densidade de pilha da montagem da superfície dos transistor da série da ponta B772 alta

Imagem Grande :  Temperatura -55-150 do armazenamento da densidade de pilha da montagem da superfície dos transistor da série da ponta B772 alta

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: B772
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Temperatura -55-150 do armazenamento da densidade de pilha da montagem da superfície dos transistor da série da ponta B772 alta

descrição
Corrente de coletor - contínua: 3A VCEO: 30V
VCBO: 40V Nome do produto: tipo do triode do semicondutor
TJ: 150℃ Tipo: Transistor do Triode
Realçar:

transistor do pnp da ponta

,

transistor do pnp do poder superior

TO-126 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor D882 (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

Dissipação de poder

 

 

MARCAÇÃO

Código de D882=Device

Ponto contínuo = verde que molda o dispositivo composto, se nenhum, o dispositivo normal XX=Code

 

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INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
D882 TO-126 Volume 200pcs/Bag
D882-TU TO-126 Tubo 60pcs/Tube


 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 40 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 30 V
VEBO Tensão da Emissor-base 6 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 3 A
PC Dissipação de poder do coletor 1,25 W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55-150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MIMC = 100μA, ISTO É =0 40     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC = 10mA, IB=0 30     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = 100μA, IC=0 6     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB= 40 V, ISTO É =0     1 µA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE= 30 V, IB=0     10 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB= 6 V, IC=0     1 µA
Ganho atual de C.C. hFE VCE= 2 V, IC= 1A 60   400  
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC= 2A, IB= 0,2 A     0,5 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MimC= 2A, IB= 0,2 A     1,5 V

 

Frequência da transição

 

fT

VCE= 5V, IC=0.1A

f =10MHz

 

 

90

 

 

Megahertz

             

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

Grau R O Y GR
Escala 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Características típicas

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 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TIPO 0,090 TIPOS
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

 

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Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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