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Detalhes do produto:
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| Nome do produto: | Interruptor duplo do Mosfet | modelo: | AP50N10D |
|---|---|---|---|
| Bloco: | TO-252 | Marcação: | AP50N10D XXX YYYY |
| Tensão da VDSDrain-fonte: | 100V | Tensão do rce de VGSGate-Sou: | ±20V |
| Realçar: | transistor do mosfet do canal de n,transistor de alta tensão |
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AP50N10D Dual transistor de poder superior do interruptor do Mosfet/50A 100V TO-252
Aplicações duplas do interruptor do Mosfet
Comute fontes de alimentação (SMPS) do modo
Iluminação residencial, comercial, arquitetónica e de rua
Conversores de DC-DC
Controlo do motor
Aplicações automotivos
Descrição dupla do interruptor do Mosfet:
A tecnologia avançada da trincheira dos usos de AP50N10D
para fornecer o RDS excelente (SOBRE), a baixa carga da porta e
operação com as tensões da porta tão baixas quanto 4.5V.
Este dispositivo é apropriado para o uso como a
Proteção da bateria ou na outra aplicação do interruptor.
Características duplas do interruptor do Mosfet
VDS = 100V IDENTIFICAÇÃO =50A
RDS (SOBRE) < 25m="">
Marcação do pacote e informação pedindo
| Identificação do produto | Bloco | Marcação | Qty (PCS) |
| AP50N10D | TO-252 | AP50N10D XXX YYYY | 2500 |
Avaliações máximas absolutas (TC =25℃unless notável de outra maneira)
| Símbolo | Parâmetro | Limite | Unidade |
| VDS | Tensão da Dreno-fonte | 100 | V |
| VGS | Tensão da Porta-fonte | ±20 | V |
| Identificação | Drene Atual-contínuo | 50 | A |
| Mim (100℃) | Drene Atual-contínuo (TC=100℃) | 21 | A |
| IDM | Corrente pulsada do dreno | 70 | A |
| Paládio | Dissipação de poder máxima | 85 | W |
| Derating o fator | 0,57 | W/℃ | |
| EAS | Única energia da avalancha do pulso (nota 5) | 256 | mJ |
| TJ, TSTG | Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento | -55 a 175 | ℃ |
| RθJC | Resistência térmica, Junção-à-caso (nota 2) | 1,8 | ℃/W |
Características elétricas (TC =25℃unless notável de outra maneira)
| Símbolo | Parâmetro | Circunstância | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| BVDSS | Tensão de divisão da Dreno-fonte | VGS=0V ID=250μA | 100 | - | V | |
| IDSS | Corrente zero do dreno da tensão da porta | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| IGSS | Corrente do escapamento do Porta-corpo | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| VGS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | VDS=VGS, μA ID=250 | 1 | 3 | V | |
| RDS (SOBRE) |
Em-estado da Dreno-fonte Resistência |
VGS=10V, ID=20A | - | 24 | 28 | mΩ |
| RDS (SOBRE) |
Em-estado da Dreno-fonte Resistência |
VGS=4.5V, ID=10A | - | 28 | 30 | mΩ |
| gFS | Transcondutância dianteira | VDS=5V, ID=10A | - | 15 | - | S |
| Clss | Capacidade da entrada | VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 2000 | - | PF |
| Coss | Capacidade de saída | - | 300 | - | PF | |
| Crss | Capacidade reversa de transferência | - | 250 | - | PF | |
| TD (sobre) | Tempo de atraso de ligação | VDD=50V, RL=5Ω VGS=10V, RGEN=3Ω |
- | 7 | - | nS |
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r t |
Tempo de elevação de ligação | - | 7 | - | nS | |
| TD (fora) | Tempo de atraso da volta-Fora | - | 29 | - | nS | |
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f t |
Tempo de queda da volta-Fora | - | 7 | - | nS | |
| Qg | Carga total da porta | VDS=50V, ID=10A, VGS=10V |
- | 39 | - | nC |
| Qgs | Carga da Porta-fonte | - | 8 | - | nC | |
| Qgd | Carga do Porta-dreno | - | 12 | - | nC | |
| VSD | Tensão dianteira do diodo (nota 3) | VGS=0V, IS=20A | - | - | 1,2 | V |
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S Mim |
Corrente dianteira do diodo (nota 2) | - | - | - | 30 | A |
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rr t |
Tempo de recuperação reversa |
TJ = 25°C, SE = 10A di/dt = 100A/μs (Note3) |
- | 32 | - | nS |
| Qrr | Carga reversa da recuperação | - | 53 | - | nC | |
| tonelada | Tempo de ligação dianteiro |
O tempo de ligação intrínseco é insignificante (a tara é dominada perto LS+LD) |
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Notas:
1, avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
2, surgem montado FR4 na placa, segundo do ≤ 10 de t.
3, teste do pulso: Μs do ≤ 300 da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.
4, garantido pelo projeto, não sujeito à produção
5, condição de EAS: Tj=25 ℃, VDD=50V, VG=10V, L=0.5mH, Rg=25Ω, IAS=32A
Atenção
1, algum e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto não tem as especificações que podem segurar as aplicações que exigem extremamente níveis elevados de confiança, tais como sistemas de manutenção das funções vitais, sistemas de controlo de avião, ou outras aplicações cuja a falha pode razoavelmente ser esperada conduzir a dano físico e/ou material sério. Consulte-o com seu mais próximo representativo da microeletrônica de APM antes de usar algum produto da microeletrônica de APM descrito ou contido nisto em tais aplicações.
2, microeletrônica de APM não supõem nenhuma responsabilidade para as falhas de equipamento que resultam de usar produtos nos valores que excedem, mesmo momentaneamente, os valores avaliados (tais como avaliações máximas, escalas da condição operacional, ou outros parâmetros) alistados em especificações de produtos de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto.
3, especificações de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descreveram ou contiveram aqui o instipulate o desempenho, as características, e as funções dos produtos descritos no estado independente, e não são garantias do desempenho, das características, e das funções dos produtos descritos como montado nos produtos ou no equipamento do cliente. Para verificar os sintomas e os estados que não podem ser avaliados em um dispositivo independente, o cliente deve sempre avaliar e testar os dispositivos montados nos produtos ou no equipamento do cliente.
4, semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD. esforçam-se para fornecer os produtos altos de alta qualidade da confiança. Contudo, alguns e todos os produtos de semicondutor falham com alguma probabilidade. É possível que estas falhas probabilísticas poderiam causar os acidentes ou os eventos que poderiam pôr em perigo as vidas humanas que poderiam causar o fumo ou o fogo, ou que poderiam causar dano à outra propriedade. O equipamento de Whendesigning, adota medidas de segurança de modo que estes tipos dos acidentes ou dos eventos não possam ocorrer. Tais medidas incluem mas não são limitadas aos circuitos protetores e aos circuitos da prevenção de erro para o projeto seguro, o projeto redundante, e o projeto estrutural.
5, caso exister ou todos os produtos da microeletrônica de APM (que incluem dados, serviços técnicos) descritos ou contidos nisto forem controlados sob alguns de leis e de regulamentos aplicáveis de controlo de exportações locais, tais produtos não devem ser exportados sem obter a licença de exportação das autoridades referidas de acordo com a lei acima.
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Pessoa de Contato: David
