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Detalhes do produto:
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| Nome do produto: | transistor de poder do mosfet | Aplicação: | Gestão do poder |
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| Matéria: | RDS excelente (sobre) | Transistor do Mosfet do poder: | MOSFET do poder do modo do realce |
| Número do modelo: | 12N10 | ||
| Realçar: | transistor do mosfet do canal de n,transistor de alta tensão |
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MOSFET do poder do modo do realce do N-canal HXY12N10
DESCRIÇÃO
O HXY12N10 usa tecnologia e projeto avançados da trincheira para fornecer o RDS excelente (SOBRE) a baixa carga da porta. Pode ser usado em uma grande variedade de aplicações.
CARACTERÍSTICAS
● VDS =100V, ID =12A
RDS (SOBRE) < 130m="">
Aplicação
Aplicação do interruptor do poder do ●
Circuitos duramente comutados e de alta frequência do ●
Fonte de alimentação ininterrupta do ●
| Parâmetro | Símbolo | Limite | Unidade |
| Tensão da Dreno-fonte | VDS | 100 | V |
| Tensão da Porta-fonte | VGS | ±20 | V |
| Drene Atual-contínuo | Identificação | 12 | A |
| Drene Atual-contínuo (TC=100℃) | MIMD (100℃) | 6,5 | A |
| Corrente pulsada do dreno | IDM | 38,4 | A |
| Dissipação de poder máxima | Paládio | 30 | W |
| Derating o fator | 0,2 | W/℃ | |
| Única energia da avalancha do pulso (nota 5) | EAS | 20 | mJ |
| Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento | TJ, TSTG | -55 a 175 | ℃ |
Nota: Atribuição de Pin: G: Porta D: Dreno S: Fonte
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TC = 25°С, salvo disposição em contrário)
| PARÂMETRO | SÍMBOLO | AVALIAÇÕES | UNIDADE | |
| Tensão da Dreno-fonte | VDSS | 600 | V | |
| Tensão da Porta-fonte | VGSS | ±30 | V | |
| Corrente contínua do dreno | MIMD | 10 | A | |
| Corrente pulsada do dreno (nota 2) | IDM | 40 | A | |
| Corrente da avalancha (nota 2) | IAR | 8,0 | A | |
| Energia da avalancha | Escolha pulsado (nota 3) | EAS | 365 | mJ |
| Repique a recuperação dv/dt do diodo (nota 4) | dv/dt | 4,5 | ns | |
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Dissipação de poder |
TO-220 |
PD |
156 | W |
| TO-220F1 | 50 | W | ||
| TO-220F2 | 52 | W | ||
| Temperatura de junção | TJ | +150 | °C | |
| Temperatura de armazenamento | TSTG | -55 ~ +150 | °C | |
Notas: 1. as avaliações máximas absolutas são aqueles valores além de que o dispositivo poderia permanentemente ser danificado.
As avaliações máximas absolutas são avaliações do esforço somente e a operação funcional do dispositivo não é implicada.
4. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que começa TJ = 25°C
6. Mim ≤ 2.0A doSD, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSSde V, começando TJ = 25°C
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TJ = 25°С, salvo disposição em contrário)
| Parâmetro | Símbolo | Circunstância | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| Fora das características | ||||||
| Tensão de divisão da Dreno-fonte | BVDSS | VGS=0V mimD=250μA | 100 | 110 | - | V |
| Corrente zero do dreno da tensão da porta | IDSS | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| Corrente do escapamento do Porta-corpo | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| Em características (nota 3) | ||||||
| Tensão do ponto inicial da porta | VGS (th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,8 | 2,5 | V |
| Resistência do Em-estado da Dreno-fonte | RDS (SOBRE) | VGS=10V, ID =8A | 98 | 130 | Ω de m | |
| Transcondutância dianteira | gFS | VDS=25V, ID=6A | 3,5 | - | - | S |
| Características dinâmicas (Note4) | ||||||
| Capacidade da entrada | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 690 | - | PF |
| Capacidade de saída | Coss | - | 120 | - | PF | |
| Capacidade reversa de transferência | Crss | - | 90 | - | PF | |
| Características do interruptor (nota 4) | ||||||
| Tempo de atraso de ligação | TD (sobre) |
VDD=30V, ID=2A, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω |
- | 11 | - | nS |
| Tempo de elevação de ligação | tr | - | 7,4 | - | nS | |
| Tempo de atraso da volta-Fora | TD (fora) | - | 35 | - | nS | |
| Tempo de queda da volta-Fora | tf | - | 9,1 | - | nS | |
| Carga total da porta | Qg |
VDS=30V, ID=3A, VGS=10V |
- | 15,5 | nC | |
| Carga da Porta-fonte | Qgs | - | 3,2 | - | nC | |
| Carga do Porta-dreno | Qgd | - | 4,7 | - | nC | |
| Características de diodo da Dreno-fonte | ||||||
| Tensão dianteira do diodo (nota 3) | VSD | VGS=0V, IS=9.6A | - | - | 1,2 | V |
| Corrente dianteira do diodo (nota 2) | MIMS | - | - | 9,6 | A | |
| Tempo de recuperação reversa | trr |
TJ = 25°C, SE =9.6A di/dt = 100A/μs(Note3) |
- | 21 | nS | |
| Carga reversa da recuperação | Qrr | - | 97 | nC | ||
| Tempo de ligação dianteiro | tonelada | O tempo de ligação intrínseco é insignificante (a tara é dominada por LS+LD) | ||||
Essencialmente independente da temperatura de funcionamento. Notas: 1. teste do pulso: ≤ 300µs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.
Pessoa de Contato: David
