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Detalhes do produto:
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| Nome do produto: | transistor de poder do mosfet | Aplicação: | Gestão do poder |
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| Matéria: | RDS excelente (sobre) | Transistor do Mosfet do poder: | MOSFET do poder do modo do realce |
| Número do modelo: | 4N60 | ||
| Realçar: | transistor do mosfet do canal de n,transistor de alta tensão |
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MOSFET do poder 2N60-TC3
2A, MOSFET do PODER do N-CANAL 600V
O UTC 4N60-R é um MOSFET de alta tensão do poder e é projetado ter melhores características, tais como o tempo rápido do interruptor, a baixa carga da porta, baixa resistência do em-estado e ter características ásperas altas de uma avalancha. Este MOSFET do poder é usado geralmente em aplicações de alta velocidade do interruptor em fontes de alimentação, em controlos do motor de PWM, na C.C. eficiente alta aos conversores de C.C. e nos circuitos de ponte.
CARACTERÍSTICAS
* RDS(SOBRE)< 2=""> GS = 10 V
* capacidade rápida do interruptor
* energia da avalancha especificada
* capacidade melhorada de dv/dt, aspereza alta
| Número pedindo | Pacote | Atribuição de Pin | Embalagem | |||
| Sem chumbo | O halogênio livra | 1 | 2 | 3 | ||
| 4N60L-TF1-T | 4N60G-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Tubo |
Nota: Atribuição de Pin: G: Porta D: Dreno S: Fonte
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS de n (TC = 25°С, salvo disposição em contrário)
| PARÂMETRO | SÍMBOLO | AVALIAÇÕES | UNIDADE | |
| Tensão da Dreno-fonte | VDSS | 600 | V | |
| Tensão da Porta-fonte | VGSS | ±30 | V | |
| Corrente da avalancha (nota 2) | IAR | 4 | A | |
| Drene a corrente | Contínuo | MIMD | 4,0 | A |
| Pulsado (nota 2) | IDM | 16 | A | |
| Energia da avalancha | Escolha pulsado (nota 3) | EAS | 160 | mJ |
| Repique a recuperação dv/dt do diodo (nota 4) | dv/dt | 4,5 | V/ns | |
| Dissipação de poder | PD | 36 | W | |
| Temperatura de junção | TJ | +150 | °С | |
| Temperatura de funcionamento | TOPR | -55 ~ +150 | °С | |
| Temperatura de armazenamento | TSTG | -55 ~ +150 | °С | |
Notas: 1. as avaliações máximas absolutas são aqueles valores além de que o dispositivo poderia permanentemente ser danificado.
As avaliações máximas absolutas são avaliações do esforço somente e a operação funcional do dispositivo não é implicada.
4. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que começa TJ = 25°C
6. Mim ≤ 2.0A doSD, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSSde V, começando TJ = 25°C
| PARÂMETRO | SÍMBOLO | AVALIAÇÕES | UNIDADE |
| Junção a ambiental | θJA | 62,5 | °С/W |
| Junção ao caso | θJc | 3,47 | °С/W |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TJ = 25°С, salvo disposição em contrário)
| PARÂMETRO | SÍMBOLO | CONDIÇÕES DE TESTE | MINUTO | TIPO | Max | UNIDADE | |
| FORA DAS CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Tensão de divisão da Dreno-fonte | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | V | |||
| Corrente do escapamento da Dreno-fonte | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 10 | μA | |||
| VDS=480V, TC=125°С | 100 | µA | |||||
| Corrente do escapamento da Porta-fonte | Dianteiro | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | nA | ||
| Reverso | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | nA | ||||
| Coeficiente de temperatura da tensão de divisão | △BVDSS/△TJ | MimD=250μA, provido a 25°C | 0,6 | V/°С | |||
| EM CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Tensão do ponto inicial da porta | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 3,0 | 5,0 | V | ||
| Resistência estática do Em-estado da Dreno-fonte | RDS (SOBRE) | VGS=10 V, MIMD=2.2A | 2,3 | 2,5 | Ω | ||
| CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS | |||||||
| Capacidade da entrada | CISS |
VDS =25V, VGS=0V, f =1MHz |
440 | 670 | PF | ||
| Capacidade de saída | COSS | 50 | 100 | PF | |||
| Capacidade reversa de transferência | CRSS | 6,8 | 20 | PF | |||
| CARACTERÍSTICAS DO INTERRUPTOR | |||||||
| Tempo de atraso de ligação | TD (SOBRE) |
VDD=30V, ID=0.5A, RG=25Ω (Nota 1, 2) |
45 | 60 | ns | ||
| Tempo de elevação de ligação | tR | 35 | 55 | ns | |||
| Tempo de atraso da volta-Fora | TD (FORA) | 65 | 85 | ns | |||
| Tempo de queda da volta-Fora | tF | 40 | 60 | ns | |||
| Carga total da porta | QG | VDS=50V, ID=1.3A, ID=100μA VGS=10V (nota 1, 2) | 15 | 30 | nC | ||
| Carga da Porta-fonte | QGS | 5 | nC | ||||
| Carga do Porta-dreno | QGD | 15 | nC | ||||
| AVALIAÇÕES E CARACTERÍSTICAS DO DIODO DO DRENO DA FONTE | |||||||
| Tensão dianteira do diodo da Dreno-fonte | VSD | VGS=0V, IS=4.4A | 1,4 | V | |||
| O diodo contínuo máximo da Dreno-fonte envia a corrente | MIMS | 4,4 | A | ||||
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O máximo pulsou diodo da Dreno-fonte Corrente dianteira |
ISMO | 17,6 | A | ||||
| Tempo de recuperação reversa | trr |
VGS=0 V, MIMS=4.4A, dIF/dt=100 A/μs (nota 1) |
250 | ns | |||
| Carga reversa da recuperação | QRR | 1,5 | μC | ||||
Notas: 1. teste do pulso: ≤ 300µs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.
Pessoa de Contato: David
