|
Detalhes do produto:
|
| Nome do produto: | transistor de poder do mosfet | Aplicação: | Gestão do poder |
|---|---|---|---|
| Matéria: | RDS excelente (sobre) | Transistor do Mosfet do poder: | MOSFET do poder do modo do realce |
| VDS: | -100V | Número do modelo: | 2N60 |
| Realçar: | transistor do mosfet do canal de n,transistor de alta tensão |
||
MOSFET do poder 2N60-TC3
2A, MOSFET do PODER do N-CANAL 600V
O UTC 2N60-TC3 é um MOSFET de alta tensão do poder e é projetado ter melhores características, tais como o tempo rápido do interruptor, a baixa carga da porta, baixa resistência do em-estado e ter características ásperas altas de uma avalancha. Este MOSFET do poder é usado geralmente em aplicações de alta velocidade do interruptor em fontes de alimentação, em controlos do motor de PWM, na C.C. eficiente alta aos conversores de C.C. e nos circuitos de ponte.
CARACTERÍSTICAS
RDS (SOBRE) < 7="">
Velocidade de interruptor alta
| Número pedindo | Pacote | Atribuição de Pin | Embalagem | |||
| Sem chumbo | O halogênio livra | 1 | 2 | 3 | ||
| 2N60L-TF1-T | 2N60G-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Tubo |
| 2N60L-TF3-T | 2N60G-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Tubo |
| 2N60L-TM3-T | 2N60G-TM3-T | TO-251 | G | D | S | Tubo |
QW-R205-461.A
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS de n (TC = 25°С, salvo disposição em contrário)
| PARÂMETRO | SÍMBOLO | AVALIAÇÕES | UNIDADE | |
| Tensão da Dreno-fonte | VDSS | 600 | V | |
| Tensão da Porta-fonte | VGSS | ± 30 | V | |
| Drene a corrente | Contínuo | MIMD | 2 | A |
| Pulsado (nota 2) | IDM | 4 | A | |
| Energia da avalancha | Escolha pulsado (nota 3) | EAS | 84 | mJ |
| Repique a recuperação dv/dt do diodo (nota 4) | dv/dt | 4,5 | V/ns | |
| Dissipação de poder | TO-220F/TO-220F1 | PD | 23 | W |
| TO-251 | 44 | W | ||
| Temperatura de junção | TJ | +150 | °C | |
| Temperatura de armazenamento | TSTG | -55 ~ +150 | °C | |
Notas: 1. as avaliações máximas absolutas são aqueles valores além de que o dispositivo poderia permanentemente ser danificado.
As avaliações máximas absolutas são avaliações do esforço somente e a operação funcional do dispositivo não é implicada.
4. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que começa TJ = 25°C
6. Mim ≤ 2.0A doSD, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSSde V, começando TJ = 25°C
| PARÂMETRO | SÍMBOLO | AVALIAÇÕES | UNIDADE | |
| Junção a ambiental | TO-220F/TO-220F1 | θJA | 62,5 | °C/W |
| TO-251 | 100 | °C/W | ||
| Junção ao caso | TO-220F/TO-220F1 | θJC | 5,5 | °C/W |
| TO-251 | 2,87 | °C/W | ||
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS de n (TJ = 25°С, salvo disposição em contrário)
| PARÂMETRO | SÍMBOLO | CONDIÇÕES DE TESTE | MINUTO | TIPO | Max | UNIDADE | |
| FORA DAS CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Tensão de divisão da Dreno-fonte | BVDSS | VGS=0V, ID= 250μA | 600 | V | |||
| Corrente do escapamento da Dreno-fonte | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 1 | µA | |||
| Corrente do escapamento da Porta-fonte | Dianteiro | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | nA | ||
| Reverso | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | nA | ||||
| EM CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Tensão do ponto inicial da porta | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Resistência estática do Em-estado da Dreno-fonte | RDS (SOBRE) | VGS=10V, ID=1.0A | 7,0 | Ω | |||
| CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS | |||||||
| Capacidade da entrada | CISS |
VGS=0V, VDS=25V, f=1.0 megahertz |
190 | PF | |||
| Capacidade de saída | COSS | 28 | PF | ||||
| Capacidade reversa de transferência | CRSS | 2 | PF | ||||
| CARACTERÍSTICAS DO INTERRUPTOR | |||||||
| Carga total da porta (nota 1) | QG | VDS=200V, VGS=10V, ID=2.0A mimG=1mA (nota 1, 2) | 7 | nC | |||
| Carga de Gateource | QGS | 2,9 | nC | ||||
| Carga do Porta-dreno | QGD | 1,9 | nC | ||||
| Tempo de atraso de ligação (nota 1) | TD (SOBRE) |
VDS=300V, VGS=10V, ID=2.0A, RG=25Ω (nota 1, 2) |
4 | ns | |||
| Tempo de elevação | tR | 16 | ns | ||||
| Tempo de atraso da volta-fora | TD (FORA) | 16 | ns | ||||
| Queda-tempo | tF | 19 | ns | ||||
| AVALIAÇÕES E CARACTERÍSTICAS DO DIODO DO DRENO DA FONTE | |||||||
| Corrente contínua do Corpo-diodo máximo | MIMS | 2 | A | ||||
| O Corpo-diodo máximo pulsou corrente | ISMO | 8 | A | ||||
| Tensão dianteira do diodo da Dreno-fonte (nota 1) | VSD | VGS=0V, IS=2.0A | 1,4 | V | |||
| Tempo de recuperação reversa (nota 1) | trr |
VGS=0V, IS=2.0A, dIF/dt=100A/µs (Note1) |
232 | ns | |||
| Carga reversa da recuperação | Qrr | 1,1 | µC | ||||
Notas: 1. teste do pulso: ≤ 300µs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.
Pessoa de Contato: David
