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MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V

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Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Revisões do cliente
nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

—— -- Jason de Canadá

Sob a recomendação de meu amigo, nós sabemos sobre Hua Xuan Yang, um perito superior no semicondutor e na indústria dos componentes eletrônicos, que nos permitiu de reduzir nosso tempo precioso e não tem que arriscar a tentativa outras fábricas.

—— -- Виктор de Rússia

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MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V
MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V

Imagem Grande :  MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: 20G04GD
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia
Contato

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V

descrição
Nome do produto: transistor de poder do mosfet Características: Pacote de superfície da montagem
Identificação: 20A Número do modelo: WST3078
VGS: -10V Aplicações: Gestão do poder
Realçar:

transistor do mosfet do canal de n

,

transistor de alta tensão

MOSFET do modo do realce de 20G04GD 40V N+P-Channel
 

 

Descrição

 

A trincheira avançada dos usos 20G04GD 

tecnologia para fornecer R excelenteDS(SOBRE)

e baixa carga da porta. Este dispositivo é

apropriado para o uso como um interruptor da carga ou dentro

Aplicações de PWM.

 

 

CARACTERÍSTICAS GERAIS
N-CH VDS =-40V, IDENTIFICAÇÃO =20A RDS (SOBRE) < 25m="">
 
Aplicação
Aplicações de PWM
Interruptor da carga
Gestão do poder
 
 
Marcação do pacote e informação pedindo
MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V 0
 

Ratings@T máximo absoluto =25oC (salvo disposição em contrário)

 

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V 1

N-CH Characteristics@ bonde T =25oC (salvo disposição em contrário)

 

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V 2

P-CH Characteristics@T bonde =25oC (salvo disposição em contrário)

 

 

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V 3

 
 
P-CH Characteristics@T bonde =25oC (salvo disposição em contrário)
 
MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V 4
 
 
MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V 5MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V 6MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V 7MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V 8MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V 9MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V 10MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V 11MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V 12MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V 13
 
 
 
 
 

etiqueta:

transistor de alta tensão,

transistor do mosfet do canal de n,

interruptor alto do mosfet da corrente

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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