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Tipo elevado desempenho da montagem da superfície do transistor de poder do Mosfet WST2078 

Certificado
de boa qualidade Transistor de poder da ponta para vendas
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Revisões do cliente
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Tipo elevado desempenho da montagem da superfície do transistor de poder do Mosfet WST2078 

China Tipo elevado desempenho da montagem da superfície do transistor de poder do Mosfet WST2078  fornecedor

Imagem Grande :  Tipo elevado desempenho da montagem da superfície do transistor de poder do Mosfet WST2078 

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: WST2078

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia
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Descrição de produto detalhada
Nome do produto: transistor de poder do mosfet Características: Pacote de superfície da montagem
RDSON: 30mΩ Número do modelo: WST2078
Processo: Fita/bandeja/carretel

MOSFET do N&P-canal WST2078

 

Descrição

 

O WST2078 é a trincheira do desempenho o mais alto

MOSFETs N-ch e P-ch com pilha alta extrema

densidade, que fornecem RDSON excelente e o bloqueiam

carregue para a maioria do interruptor pequeno do poder e

carregue aplicações do interruptor.

 

A reunião WST2078 o RoHS e o produto verde

exigência com a confiança completa da função aprovada.

 

 

 

Aplicações

 

  • Ponto--carga de alta frequência s síncrono
  • Interruptor pequeno do poder para MB/NB/UMPC/VGA
  • Sistema de energia dos trabalhos em rede DC-DC
  • Interruptor da carga

 

Características
  • Tecnologia alta avançada da trincheira da densidade de pilha
  • carga super da porta de z baixa
  • diminuição excelente do efeito de z Cdv/dt
  • dispositivo do verde de z disponível

 

Avaliações máximas absolutas

 

Tipo elevado desempenho da montagem da superfície do transistor de poder do Mosfet WST2078 

 

 

Dados térmicos
Tipo elevado desempenho da montagem da superfície do transistor de poder do Mosfet WST2078 
 
Características elétricas do N-canal (℃ TJ=25, salvo disposição em contrário)
Tipo elevado desempenho da montagem da superfície do transistor de poder do Mosfet WST2078 
 
 
Características de diodo do corpo da Dreno-fonte
 
Tipo elevado desempenho da montagem da superfície do transistor de poder do Mosfet WST2078 
 
 
Nota:
1. Os dados testaram pela superfície montada em uma 1 placa de inch2 FR-4 com cobre 2OZ.
2. Os dados testaram pelo pulsado, o ≦ 300us da largura de pulso, ≦ 2% do ciclo de dever
3. A dissipação de poder é limitada pela temperatura de junção 150℃
4. Os dados são teoricamente os mesmos como a identificação e IDM, em aplicações reais, devem ser limitados pela dissipação de poder total.
 
 
Características elétricas do P-canal (℃ TJ=25, salvo disposição em contrário)
 
 
Tipo elevado desempenho da montagem da superfície do transistor de poder do Mosfet WST2078 
 
 
Características de diodo do corpo da Dreno-fonte
 
Tipo elevado desempenho da montagem da superfície do transistor de poder do Mosfet WST2078 
 
 
Nota:
1. Os dados testaram pela superfície montada em um 1 inch2
Placa FR-4 com cobre 2OZ.
2. Os dados testaram pelo pulsado, o ≦ 300us da largura de pulso, ≦ 2% do ciclo de dever
3. A dissipação de poder é limitada por dados da temperatura de junção 150℃ 4.The é teoricamente a mesma como a identificação e IDM, em aplicações reais, devem ser limitados pela dissipação de poder total.
 
 
Características típicas do N-canal
 
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Características típicas do P-canal
 
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Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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