Nome do produto:transistor de poder do mosfet
VDSS:20V
Materiais:silício
Nome do produto:transistor de poder do mosfet
VDS:30V
RDS (SOBRE) < 35mΩ:(VGS = 4.5V)
Nome do produto:transistor de poder do mosfet
Temperatura de junção::150℃
Materiais:silício
Nome do produto:transistor de poder do mosfet
VDS:30V
Identificação (em VGS=10V):13
Nome do produto:transistor de poder do mosfet
RDS (SOBRE) (em VGS=10V):< 24m="">
Materiais:silício
Nome do produto:transistor de poder do mosfet
Aplicação:Interruptor de alta frequência
Materiais:silício
Nome do produto:transistor de poder do mosfet
Temperatura de junção::150℃
Materiais:silício
Estrutura:estrutura vertical
V tensão da Dreno-fonte do DSS:-40 V
V tensão da Porta-fonte de GSS:±20 V
Nome do produto:transistor de poder do mosfet
V tensão da Dreno-fonte do DSS:-60 V
V tensão da Porta-fonte de GSS:±20 V
Nome do produto:Transistor de efeito de campo do MOS
V tensão da Dreno-fonte do DSS:30 V
V tensão da Porta-fonte de GSS:±20 V
Nome do produto:transistor de poder do mosfet
V tensão da Dreno-fonte do DSS:30 V
V tensão da Porta-fonte de GSS:±20 V
Nome do produto:Transistor de efeito de campo do MOS
V tensão da Dreno-fonte do DSS:60 V
V tensão da Porta-fonte de GSS:±25 V