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Detalhes do produto:
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| Number modelo:: | AP1332GEU-HF | Tipo:: | Componentes eletrônicos |
|---|---|---|---|
| Diodo:: | Transistor | Módulo de IGBT:: | Tubo de alta frequência |
| Indutor:: | Diodo emissor de luz | D/C:: | Mais novo |
| Realçar: | transistor de poder do Mosfet 2.5A,transistor de poder do Mosfet 0.35W,Transistor do Mosfet do diodo de AP1332GEU-HF |
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O preço de fábrica barato AP1332GEU-HF contacta por favor o negócio, realiza-se no mesmo dia prevalecerá
Descrição
As séries AP1332 são de poder avançado inovaram projeto e tecnologia de processamento do silicone conseguir o mais baixo possível na resistência e no desempenho de comutação rápido. Fornece o desenhista um dispositivo eficiente extremo para o uso em uma vasta gama de aplicações do poder.
Notas:
largura 1.Pulse limitada pela temperatura de junção máxima.
teste 2.Pulse.
3.Surface montou FR4 na placa, segundo do ≦ 10 de t.
Ratings@Tj máximo absoluto =25.oC (salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidade |
| VDS | Tensão da Dreno-fonte | 20 | V |
| VGS | Tensão da Porta-fonte | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Drene a corrente3, VGS @ 4.5V | 600 | miliampère |
| ID@TA =70℃ | Drene a corrente3, VGS @ 4.5V | 470 | miliampère |
| IDM | Corrente pulsada1do dreno | 2,5 | |
| PD@TA =25℃ | Dissipação de poder total | 0,35 | W |
| TSTG | Variação da temperatura do armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Variação da temperatura de funcionamento da junção | -55 a 150 | ℃ |
Dados térmicos
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
| Rthj-a | Resistência térmica máxima,3Junção-ambientais | 360 | ℃/W |
AP1332GEU-H
Characteristics@Tj elétrico =25oC (salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de divisão da Dreno-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (SOBRE) | Em-resistência estática2da Dreno-fonte | VGS =4.5V, IDENTIFICAÇÃO =600MA | - | - | 0,6 | Ω |
| VGS =2.5V, IDENTIFICAÇÃO =300MA | - | - | 2 | Ω | ||
| VGS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 0,5 | - | 1,25 | V |
| gfs | Transcondutância dianteira | VDS =5V, IDENTIFICAÇÃO =600MA | - | 1 | - | S |
| IDSS | Corrente do escapamento da Dreno-fonte | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | A |
| IGSS | Escapamento da Porta-fonte | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +30 | A |
| Qg | Carga total da porta |
IDENTIFICAÇÃO =600MA VDS =16V VGS =4.5V |
- | 1,3 | 2 | nC |
| Qgs | Carga da Porta-fonte | - | 0,3 | - | nC | |
| Qgd | Carga do Porta-dreno (“Miller”) | - | 0,5 | - | nC | |
| TD (sobre) | Tempo de atraso de ligação |
IDENTIFICAÇÃO =600MA RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V |
- | 21 | - | ns |
| tr | Tempo de elevação | - | 53 | - | ns | |
| TD (fora) | Tempo de atraso da volta-fora | - | 100 | - | ns | |
| tf | Tempo de queda | - | 125 | - | ns | |
| Ciss | Capacidade entrada |
VGS =0V V.DS=10V f=1.0MHz |
- | 38 | 60 | PF |
| Coss | Capacidade de saída | - | 17 | - | PF | |
| Crss | Capacidade reversa de transferência | - | 12 | - | PF |
Diodo do Fonte-dreno
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidade |
| VSD | Envie na tensão2 | É =300MA, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
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