Detalhes do produto:
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Number modelo:: | AP2N1K2EN1 | Tipo do fornecedor: | Fabricante original, Odm, agência, varejista |
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Marca:: | Tipo original | Tipo do pacote: | SOT-723 (N1) |
D/c: | Mais novo | Descrição:: | Transistor |
Realçar: | transistor do MOSFET 800mA,transistor do MOSFET 0.15W,AP2N1K2EN1 IC Chips Transistor |
O componente eletrônico original do transistor AP2N1K2EN1 do MOSFET/IC lasca-se
Descrição
As séries de AP2N1K2E são de poder avançado inovaram projeto e tecnologia de processamento do silicone conseguir a mais baixa em-resistência possível e o desempenho de comutação rápido. Fornece o desenhista um dispositivo eficiente extremo para o uso em uma vasta gama de aplicações do poder.
O pacote SOT-723 com pegada muito pequena é apropriado para toda a aplicação de superfície comercial-industrial da montagem.
Notas:
largura 1.Pulse limitada pela temperatura de junção máxima.
teste 2.Pulse
3.Surface montou na almofada de cobre mínima da placa FR4
Este produto é sensível à descarga eletrostática, segura por favor com cuidado.
Este produto não é autorizado para ser usado como um componente crítico de um sistema de manutenção das funções vitais ou de outros sistemas similares.
O APEC não será responsável para nenhuma responsabilidade que levanta-se da aplicação ou o uso de todo o produto ou circuito descreveu neste acordo, nem atribuirá qualquer licença sob seus direitos de patente ou atribuirá os direitos de outro.
O APEC reserva o direito de fazer sem aviso prévio mudanças a todo o produto neste acordo melhorar a confiança, a função ou o projeto.
Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
VDS | Tensão da Dreno-fonte | 20 | V |
VGS | Tensão da Porta-fonte | +8 | V |
ID@TA =25℃ | Drene a corrente3, VGS @ 2.5V | 200 | miliampère |
IDM | Corrente pulsada1do dreno | 400 | miliampère |
IS@TA =25℃ | Corrente de fonte (diodo do corpo) | 125 | miliampère |
ISMO | Corrente de fonte pulsada1 (diodo do corpo) | 800 | miliampère |
PD@TA =25℃ | Dissipação de poder total | 0,15 | W |
TSTG | Variação da temperatura do armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
TJ | Variação da temperatura de funcionamento da junção | -55 a 150 | ℃ |
Dados térmicos
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
Rthj-a | Resistência térmica máxima,3Junção-ambientais | 833 | ℃/W |
AP2N1K2EN
Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
BVDSS | Tensão de divisão da Dreno-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 20 | - | - | V |
RDS (SOBRE) | Em-resistência estática2da Dreno-fonte | VGS =2.5V, IDENTIFICAÇÃO =200MA | - | - | 1,2 | Ω |
VGS =1.8V, IDENTIFICAÇÃO =200MA | - | - | 1,4 | Ω | ||
VGS =1.5V, IDENTIFICAÇÃO =40MA | - | - | 2,4 | Ω | ||
VGS =1.2V, IDENTIFICAÇÃO =20MA | - | - | 4,8 | Ω | ||
VGS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =1MA | 0,3 | - | 1 | V |
gfs | Transcondutância dianteira | VDS =10V, IDENTIFICAÇÃO =200MA | - | 1,8 | - | S |
IDSS | Corrente do escapamento da Dreno-fonte | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | A |
IGSS | Escapamento da Porta-fonte | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +30 | A |
Qg | Carga total da porta |
IDENTIFICAÇÃO =200MA VDS =10V VGS =2.5V |
- | 0,7 | - | nC |
Qgs | Carga da Porta-fonte | - | 0,2 | - | nC | |
Qgd | Carga do Porta-dreno (“Miller”) | - | 0,2 | - | nC | |
TD (sobre) | Tempo de atraso de ligação | VDS =10V | - | 2 | - | ns |
tr | Tempo de elevação | Identificação =150mA | - | 10 | - | ns |
TD (fora) | Tempo de atraso da volta-fora | RG =10Ω | - | 30 | - | ns |
tf | Tempo de queda | .VGS =5V | - | 16 | - | ns |
Ciss | Capacidade entrada |
VGS =0V VDS =10V f=1.0MHz |
- | 44 | - | PF |
Coss | Capacidade de saída | - | 14 | - | PF | |
Crss | Capacidade reversa de transferência | - | 10 | - | PF |
Diodo do Fonte-dreno
Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
VSD | Envie na tensão2 | É =0.13A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
Pessoa de Contato: David