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Interruptor de alimentação do MOSFET do ICS 0.833W 10A da LÓGICA de AP2322GN

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Interruptor de alimentação do MOSFET do ICS 0.833W 10A da LÓGICA de AP2322GN

Interruptor de alimentação do MOSFET do ICS 0.833W 10A da LÓGICA de AP2322GN
Interruptor de alimentação do MOSFET do ICS 0.833W 10A da LÓGICA de AP2322GN

Imagem Grande :  Interruptor de alimentação do MOSFET do ICS 0.833W 10A da LÓGICA de AP2322GN

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: AP2322GN
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiate
Detalhes da embalagem: CAIXA DA CAIXA
Tempo de entrega: semana 4~5
Termos de pagamento: L/C T/T WESTERN UNION
Habilidade da fonte: 10,000/Month

Interruptor de alimentação do MOSFET do ICS 0.833W 10A da LÓGICA de AP2322GN

descrição
Number modelo:: AP2322GN Marca:: original
Estado:: Novo original Tipo:: LÓGICA ICS
Prazo de execução: Em estoque D/C:: Mais novo
Realçar:

interruptor de alimentação do MOSFET 10A

,

interruptor de alimentação do MOSFET 0.833W

,

Transistor de poder do MOSFET de AP2322GN

O interruptor de uso geral original IC do poder Transistor/MOSFET/Power de AP2322GN lasca-se

 

Este produto é sensível à descarga eletrostática, segura por favor com cuidado.

 

Este produto não é autorizado para ser usado como um componente crítico de um sistema de manutenção das funções vitais ou de outros sistemas similares.

 

O APEC não será responsável para nenhuma responsabilidade que levanta-se da aplicação ou o uso de todo o produto ou circuito descreveu neste acordo, nem atribuirá qualquer licença sob seus direitos de patente ou atribuirá os direitos de outro.

 

O APEC reserva o direito de fazer sem aviso prévio mudanças a todo o produto neste acordo melhorar a confiança, a função ou o projeto.

 

Descrição

 

Os MOSFETs avançados do poder utilizaram técnicas de processamento avançadas para conseguir a mais baixa em-resistência possível, extremamente eficiente e o dispositivo da rentabilidade.

O pacote de SOT-23S é preferido extensamente para aplicações de superfície comercial-industriais da montagem e serido para aplicações da baixa tensão tais como conversores de DC/DC.

 

Ratings@Tj máximo absoluto =25oC (salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Avaliação Unidades
VDS Tensão da Dreno-fonte 20 V
VGS Tensão da Porta-fonte +8 V
ID@TA =25℃ Drene a corrente3, VGS @ 4.5V 2,5
ID@TA =70℃ Drene a corrente3, VGS @ 4.5V 2,0
IDM Corrente pulsada1do dreno 10
PD@TA =25℃ Dissipação de poder total 0,833 W
TSTG Variação da temperatura do armazenamento -55 a 150
TJ Variação da temperatura de funcionamento da junção -55 a 150

 

Dados térmicos

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
Rthj-a Resistência térmica máxima,3Junção-ambientais 150 ℃/W

 

AP2322G

 

Characteristics@Tj elétrico =25oC (salvo disposição em contrário)

Símbolo Parâmetro Condições de teste Mínimo. Tipo. Máximo. Unidades
BVDSS Tensão de divisão da Dreno-fonte VGS =0V, IDENTIFICAÇÃO =250UA 20 - - V
RDS (SOBRE) Em-resistência estática2da Dreno-fonte VGS =4.5V, IDENTIFICAÇÃO =1.6A - - 90 mΩ
VGS =2.5V, IDENTIFICAÇÃO =1A - - 120 mΩ
VGS =1.8V, IDENTIFICAÇÃO =0.3A - - 150 mΩ
VGS (th) Tensão do ponto inicial da porta VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =1MA 0,25 - 1 V
gfs Transcondutância dianteira VDS =5V, IDENTIFICAÇÃO =2A - 2 - S
IDSS Corrente do escapamento da Dreno-fonte VDS =20V, VGS =0V - - 1 A
IGSS Escapamento da Porta-fonte VGS =+8V, VDS =0V - - +100 nA
Qg Carga total da porta

Identificação =2.2A

VDS =16V VGS =4.5V

- 7 11 nC
Qgs Carga da Porta-fonte - 0,7 - nC
Qgd Carga do Porta-dreno (“Miller”) - 2,5 - nC
TD (sobre) Tempo de atraso de ligação

IDENTIFICAÇÃO =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V

VGS =5V

- 6 - ns
tr Tempo de elevação - 12 - ns
TD (fora) Tempo de atraso da volta-fora - 16 - ns
tf Tempo de queda - 4 - ns
Ciss Capacidade entrada

V.GS=0V VDS =20V

f=1.0MHz

- 350 560 PF
Coss Capacidade de saída - 55 - PF
Crss Capacidade reversa de transferência - 48 - PF
Rg Resistência da porta f=1.0MHz - 3,2 4,8 Ω

 

Diodo do Fonte-dreno

 

Símbolo Parâmetro Condições de teste Mínimo. Tipo. Máximo. Unidades
VSD Envie na tensão2 É =0.7A, VGS =0V - - 1,2 V
trr Tempo de recuperação reversa

É =2A, VGS =0V,

dI/dt=100A/µs

- 20 - ns
Qrr Carga reversa da recuperação - 13 - nC

 

Notas:

 

largura 1.Pulse limitada pela temperatura de junção máxima.

teste 2.Pulse

3.Surface montou em 1 na almofada2 de cobre FR4 da placa, t<> 10sec; 360 ℃/W quando montado na almofada de cobre mínima.

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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