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O plástico do transistor de efeito de campo SOT-23 do MOS do canal 20-V de HXY2312 N (D-S) encapsula

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Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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O plástico do transistor de efeito de campo SOT-23 do MOS do canal 20-V de HXY2312 N (D-S) encapsula

O plástico do transistor de efeito de campo SOT-23 do MOS do canal 20-V de HXY2312 N (D-S) encapsula
O plástico do transistor de efeito de campo SOT-23 do MOS do canal 20-V de HXY2312 N (D-S) encapsula

Imagem Grande :  O plástico do transistor de efeito de campo SOT-23 do MOS do canal 20-V de HXY2312 N (D-S) encapsula

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: HXY2312
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia
Contato

O plástico do transistor de efeito de campo SOT-23 do MOS do canal 20-V de HXY2312 N (D-S) encapsula

descrição
Nome do produto: transistor de poder do mosfet Temperatura de junção:: 150℃
Materiais: silício Número do modelo: HXY2312
Processo: Fita/bandeja/carretel Tipo: Transistor do Mosfet
Realçar:

transistor atual alto

,

interruptor do mosfet da lógica

 
 
SOT-23 Plástico-encapsulam o MOSFET do N-canal 20-V dos MOSFETS HXY2312 (D-S)
 

 

Sumário do produto

 

ID= 6,0 A VDSS=20v
RDS (sobre) <32 m="">
RDS (sobre) <40 m="">
 
 
CARACTERÍSTICA 
 
MOSFET do poder de TrenchFET
 
 
APLICAÇÃO
 
 
Conversores de DC/DC
Interruptor da carga para aplicações portáteis
 
 
Avaliações máximas (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
O plástico do transistor de efeito de campo SOT-23 do MOS do canal 20-V de HXY2312 N (D-S) encapsula 0
 
T =25 um ℃ salvo disposição em contrário
 
O plástico do transistor de efeito de campo SOT-23 do MOS do canal 20-V de HXY2312 N (D-S) encapsula 1
 
O plástico do transistor de efeito de campo SOT-23 do MOS do canal 20-V de HXY2312 N (D-S) encapsula 2O plástico do transistor de efeito de campo SOT-23 do MOS do canal 20-V de HXY2312 N (D-S) encapsula 3

etiqueta:

interruptor do mosfet da lógica,

motorista do mosfet que usa o transistor,

transistor atual alto

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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sobre

transistor de poder do mosfet

Transistor do nível da lógica HXY4616, MOSFET complementar de alta tensão do transistor 30V

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