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Material do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30V

Name: Material do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30V
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: B772M

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Certificado

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações

Revisões do cliente

nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

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Material do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30V

Imagem Grande : Material do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30V

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Shenzhen China
Marca:	Hua Xuan Yang
Certificação:	RoHS、SGS
Número do modelo:	B772M

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1000-2000 PCes
Preço:	Negotiated
Detalhes da embalagem:	Encaixotado
Tempo de entrega:	1 - 2 semanas
Termos de pagamento:	L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte:	18,000,000PCS/pelo dia

Contato

Material do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30V

descrição

VCBO:	-40v	VCEO:	-30V
A temperatura de armazenamento:	-55-150℃	Transistor do Mosfet do poder:	TO-251-3L Plástico-encapsulam
Materiais:	silício	Tipo:	Transistor do Triode
Realçar:	transistor da série da ponta , transistor do pnp do poder superior

TO-251-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor B772M (PNP)

CARACTERÍSTICAS

Interruptor de baixa velocidade

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (T_um =25 Š salvo disposição em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade
VCBO	Tensão da Coletor-base	-40	V
VCEO	Tensão do Coletor-emissor	-30	V
VEBO	Tensão da Emissor-base	-6	V
MIM_C	Corrente de coletor - contínua	-3	A
P_C	Dissipação de poder do coletor	1,25	W
RӨJA	Resistência térmica, junção a ambiental	100	℃/W
T_j	Temperatura de junção	150	℃
Tstg	Temperatura de armazenamento	-55-150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro	Símbolo	Condições de teste	Minuto	Tipo	Máximo	Unidade
tensão de divisão da Coletor-base	V (BR) CBO	Mim_C=-100μA, ISTO É =0	-40			V
tensão de divisão do Coletor-emissor	(BR) CEO V	MIM_C= -10MA, I_B=0	-30			V
tensão de divisão da Emissor-base	V (BR) EBO	ISTO É = -100ΜA, I_C=0	-6			V
Corrente de interrupção de coletor	ICBO	V_CB= -40V, ISTO É =0			-1	μA
Corrente de interrupção de coletor	ICEO	V_CE=-30V, I_B=0			-10	μA
Corrente da interrupção do emissor	IEBO	V_EB=-6V, I_C=0			-1	μA
Ganho atual de C.C.	hFE	V_CE= -2V, I_C= -1A	60		400
tensão de saturação do Coletor-emissor	VCE (sentado)	MIM_C=-2A, I_B= -0.2A			-0,5	V
Tensão de saturação do emissor de base	VBE (sentado)	MIM_C=-2A, I_B= -0.2A			-1,5	V
Frequência da transição	fT	V_CE= -5V, I_C=-0.1A f =10MHz	50	80		Megahertz

CLASSIFICAÇÃO DE_FEde h₍₂₎

Grau	R	O	Y	GR
Escala	60-120	100-200	160-320	200-400

Características típicas

Material do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30V 0

Símbolo	Dimensões nos milímetros		Dimensões nas polegadas
Símbolo	Mínimo.	Máximo.	Mínimo.	Máximo.
A	2,200	2,380	0,087	0,094
A1	0,000	0,100	0,000	0,004
B	0,800	1,400	0,031	0,055
b	0,710	0,810	0,028	0,032
c	0,460	0,560	0,018	0,022
c1	0,460	0,560	0,018	0,022
D	6,500	6,700	0,256	0,264
D1	5,130	5,460	0,202	0,215
E	6,000	6,200	0,236	0,244
e	2,286 TIPO.		0,090 TIPOS.
e1	4,327	4,727	0,170	0,186
M	1.778REF.		0.070REF.
N	0.762REF.		0.018REF.
L	9,800	10,400	0,386	0,409
L1	2.9REF.		0.114REF.
L2	1,400	1,700	0,055	0,067
V	4,830 REFERÊNCIA.		0,190 REFERÊNCIAS.
ĭ	1,100	1,300	0,043	0.0±1

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Tensão do Coletor-Emissor: 30V
tensão da Emissor-base: -6V
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Dissipação de poder do coletor: 1.25W
VCEO: -30V
VEBO: -6V
Nome do produto: tipo do triode do semicondutor

Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003

Tipo: Transistor do Triode
Materiais: silício
Transistor do Mosfet do poder: TO-126 Plástico-encapsulam
Nome do produto: tipo do triode do semicondutor

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Tensão da VoltageCollector-base da Coletor-base: 40V
Tensão do Coletor-Emissor: 30V
tensão da Emissor-base: 6v
Transistor do Mosfet do poder: TO-126 Plástico-encapsulam

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VCEO: -50V
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