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Tensão baixa 400V do coletor do transistor de poder NPN do silicone de SOT-89-3L A44

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Tensão baixa 400V do coletor do transistor de poder NPN do silicone de SOT-89-3L A44

Tensão baixa 400V do coletor do transistor de poder NPN do silicone de SOT-89-3L A44
Tensão baixa 400V do coletor do transistor de poder NPN do silicone de SOT-89-3L A44

Imagem Grande :  Tensão baixa 400V do coletor do transistor de poder NPN do silicone de SOT-89-3L A44

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: SOT-89-3L A44
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Tensão baixa 400V do coletor do transistor de poder NPN do silicone de SOT-89-3L A44

descrição
Tensão da Coletor-Base: 400V Temperatura de junção: ℃ 150
Tstg: -55~+150℃ Materiais: silício
Corrente de coletor: 600 miliampères Dissipação de poder do coletor: 500mW
Realçar:

transistor do interruptor de alimentação

,

transistor do mosfet do poder

SOT-89-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor A44 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Baixa tensão de saturação do Coletor-emissor

Alta tensão da divisão

 

Marcação: A44

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 400 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 400 V
VEBO Tensão da Emissor-base 6 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 200 miliampère
ICM Corrente de coletor - pulsada 300 miliampère
PC Dissipação de poder do coletor 500 mW
RθJA Resistência térmica da junção a ambiental 250 ℃/W
Tj Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55~+150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

Parâmetro Símbolo Condições de T est Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MIMC=100ΜA, ISTO É =0 400     V
tensão de divisão do Coletor-emissor V (BR) CEO* MimC=1mA, IB=0 400     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É =10ΜA, IC=0 6     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=400V, ISTO É =0     0,1 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=4V, IC=0     0,1 µA

 

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) * VCE=10V, IC=1mA 40      
  hFE (2) * VCE=10V, IC=10mA 50   200  
  hFE (3) * VCE=10V, IC=50mA 45      
  hFE (4) * VCE=10V, IC=100mA 40      

 

tensão de saturação do Coletor-emissor

 

VCE (sentado) *

MimC=1mA, IB=0.1mA     0,4 V
    MimC=10mA, IB=1mA     0,5 V
    MimC=50mA, IB=5mA     0,75 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) * MimC=10mA, IB=1mA     0,75 V
Capacidade de saída do coletor Espiga VCB=20V, ISTO É =0, f=1MHz     7 PF
Capacidade da entrada do emissor Cib VBE=0.5V, IC=0, f=1MHz     130 PF

 
 
 

Características típicas

Tensão baixa 400V do coletor do transistor de poder NPN do silicone de SOT-89-3L A44 0

Tensão baixa 400V do coletor do transistor de poder NPN do silicone de SOT-89-3L A44 1

Tensão baixa 400V do coletor do transistor de poder NPN do silicone de SOT-89-3L A44 2

Tensão baixa 400V do coletor do transistor de poder NPN do silicone de SOT-89-3L A44 3

 


 

 
 

 

 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 REFERÊNCIA. 0,061 REFERÊNCIAS.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 TIPO. 0,060 TIPOS.
e1 3,000 TIPO. 0,118 TIPOS.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
 Disposição sugerida SOT-89-3L da almofada

 

Tensão baixa 400V do coletor do transistor de poder NPN do silicone de SOT-89-3L A44 4
 
Fita e carretel de SOT-89-3L
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Contacto
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