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A42 transistor de poder do silicone NPN, transistor de poder de NPN altamente atual

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Imagem Grande :  A42 transistor de poder do silicone NPN, transistor de poder de NPN altamente atual

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: A42
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

A42 transistor de poder do silicone NPN, transistor de poder de NPN altamente atual

descrição
Tensão da Coletor-Base: 310V tensão da Emissor-base: 5V
Tstg: -55~+150℃ Materiais: silício
Corrente de coletor: 600 miliampères
Realçar:

transistor de alta frequência

,

transistor do mosfet do poder

SOT-89-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor A42 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Baixa tensão de saturação do Coletor-emissor

Alta tensão da divisão

 

Marcação: D965A

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 310 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 305 V
VEBO Tensão da Emissor-base 5 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 200 miliampère
ICM Corrente de coletor - pulsada 500 miliampère
PC Dissipação de poder do coletor 500 mW
RθJA Resistência térmica da junção a ambiental 250 ℃/W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55~+150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MIMC=100ΜA, ISTO É =0 310     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC=1mA, IB=0 305     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É =100ΜA, IC=0 5     V

 

Corrente de interrupção de coletor

ICBO VCB=200V, ISTO É =0     0,25 µA
 

 

ICEX

VCE=100V, VX=5V     5 µA
    VCE=300V, VX=5V     10 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=5V, IC=0     0,1 µA

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE=10V, IC=1mA 60      
  hFE (2) VCE=10V, IC=10mA 100   300  
  hFE (3) VCE=10V, IC=30mA 75      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC=20mA, IB=2mA     0,2 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MimC=20mA, IB=2mA     0,9 V
Frequência da transição fT VCE=20V, IC=10mA, f=30MHz 50     Megahertz

 

 

 
 

 Características típicas

 

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 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 REFERÊNCIA. 0,061 REFERÊNCIAS.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 TIPO. 0,060 TIPOS.
e1 3,000 TIPO. 0,118 TIPOS.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
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Disposição sugerida SOT-89-3L da almofada

 

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Fita e carretel de SOT-89-3L
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Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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