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Detalhes do produto:
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| Tipo: | Transistor de poder do silicone | Matéria: | Baixa em-resistência equivalente |
|---|---|---|---|
| Tensão do Coletor-Emissor: | 60V | A temperatura de armazenamento: | -55~+150℃ |
| Dissipação de poder do coletor: | 250mW | Corrente máxima do pulso: | 2A |
| Realçar: | transistor de alta frequência,transistor do mosfet do poder |
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SOT-23 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor FMMT491 (NPN)
Baixa em-resistência equivalente
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
| VCBO | Tensão da Coletor-base | 80 | V |
| VCEO | Tensão do Coletor-emissor | 60 | V |
| VEBO | Tensão da Emissor-base | 5 | V |
| IC | Corrente de coletor | 1 | A |
| ICM | Corrente máxima do pulso | 2 | A |
| PC | Dissipação de poder do coletor | 250 | mW |
| RΘJA | Resistência térmica da junção a ambiental | 500 | ℃/W |
| Tj | Temperatura de junção | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -55~+150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
| Parâmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| tensão de divisão da Coletor-base | V (BR) CBO | MimC=100μA, ISTO É =0 | 80 | V | ||
| tensão de divisão do Coletor-emissor | (BR) CEO V1 | MimC=10mA, IB=0 | 60 | V | ||
| tensão de divisão da Emissor-base | V (BR) EBO | ISTO É =100ΜA, IC=0 | 5 | V | ||
| Corrente de interrupção de coletor | ICBO | VCB=60V, ISTO É =0 | 0,1 | μA | ||
| Corrente da interrupção do emissor | IEBO | VEB=4V, IC=0 | 0,1 | μA | ||
Ganho atual de C.C. | hFE (1) | VCE=5V, IC=1mA | 100 | |||
| hFE (2) 1 | VCE=5V, IC=500mA | 100 | 300 | |||
| hFE (3) 1 | VCE=5V, IC=1A | 80 | ||||
| hFE (4) 1 | VCE=5V, IC=2A | 30 | ||||
tensão de saturação do Coletor-emissor | VCE (sentado) 1 1 | MimC=500mA, IB=50mA | 0,25 | V | ||
| VCE (sentado) 2 1 | MimC=1A, IB=100mA | 0,5 | V | |||
| Tensão de saturação do emissor de base | VBE (sentado) 1 | MimC=1A, IB=100mA | 1,1 | V | ||
| Tensão do emissor de base | 1 VBE | VCE=5V, IC=1A | 1 | V | ||
| Frequência da transição | fT | VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz | 150 | Megahertz | ||
| Capacidade de saída do coletor | Espiga | VCB=10V, f=1MHz | 10 | PF |
Medido sob circunstâncias pulsadas, pulso width=300μs, dever cycle≤2%.
Characterisitics típico
Dimensões do esboço do pacote
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
| b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
| E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
| E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| e | 0,950 TIPOS | 0,037 TIPOS | ||
| e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
| L | 0,550 REFERÊNCIAS | 0,022 REFERÊNCIAS | ||
| L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Pessoa de Contato: David
