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Detalhes do produto:
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| Number modelo:: | AP2308GEN | Circunstância:: | novo e original |
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| Tipo:: | Conduza IC | Aplicação:: | Produtos eletrônicos |
| D/C:: | Novo | Folha de dados:: | os pls contactam-nos |
| Realçar: | Transistor de poder do Mosfet SOT-23,transistor de poder do Mosfet 3.6A,transistor do MOSFET 0.69W |
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Preço da vantagem do componente eletrônico AP2308GEN SOT-23 para o estoque original
Descrição
Os MOSFETs avançados do poder utilizaram técnicas de processamento avançadas para conseguir a mais baixa em-resistência possível, extremamente eficiente e o dispositivo da rentabilidade.
O pacote de SOT-23S é preferido extensamente para aplicações de superfície comercial-industriais da montagem e serido para aplicações da baixa tensão tais como conversores de DC/DC.
Ratings@Tj máximo absoluto =25oC (salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão da Dreno-fonte | 20 | V |
| VGS | Tensão da Porta-fonte | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Drene a corrente3, VGS @ 4.5V | 1,2 | |
| ID@TA =70℃ | Drene a corrente3, VGS @ 4.5V | 1 | |
| IDM | Corrente pulsada1do dreno | 3,6 | |
| PD@TA =25℃ | Dissipação de poder total | 0,69 | W |
| TSTG | Variação da temperatura do armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Variação da temperatura de funcionamento da junção | -55 a 150 | ℃ |
Dados térmicos
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
| Rthj-a | Resistência térmica máxima,3Junção-ambientais | 180 | ℃/W |
AP2308GE
Characteristics@Tj elétrico =25oC (salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| BVDSS | Tensão de divisão da Dreno-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (SOBRE) | Em-resistência estática2da Dreno-fonte | VGS =4.5V, IDENTIFICAÇÃO =1.2A | - | - | 600 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICAÇÃO =0.3A | - | - | 2 | Ω | ||
| VGS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 0,5 | - | 1,25 | V |
| gfs | Transcondutância dianteira | VDS =5V, IDENTIFICAÇÃO =1.2A | - | 1 | - | S |
| IDSS | Corrente do escapamento da Dreno-fonte | VDS =20V, VGS =0V | - | - | 1 | A |
| IGSS | Escapamento da Porta-fonte | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +30 | A |
| Qg | Carga total da porta |
IDENTIFICAÇÃO =1.2A VDS =16V VGS =4.5V |
- | 1,2 | 2 | nC |
| Qgs | Carga da Porta-fonte | - | 0,4 | - | nC | |
| Qgd | Carga do Porta-dreno (“Miller”) | - | 0,3 | - | nC | |
| TD (sobre) | Tempo de atraso de ligação |
IDENTIFICAÇÃO =1.2A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V |
- | 17 | - | ns |
| tr | Tempo de elevação | - | 36 | - | ns | |
| TD (fora) | Tempo de atraso da volta-fora | - | 76 | - | ns | |
| tf | Tempo de queda | - | 73 | - | ns | |
| Ciss | Capacidade entrada |
VGS =0V .VDS =10V f=1.0MHz |
- | 37 | 60 | PF |
| Coss | Capacidade de saída | - | 17 | - | PF | |
| Crss | Capacidade reversa de transferência | - | 13 | - | PF |
Diodo do Fonte-dreno
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| VSD | Envie na tensão2 | É =1.2A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
Notas:
largura 1.Pulse limitada pela temperatura de junção máxima.
teste 2.Pulse
3.Surface montou em 1 na almofada2 de cobre FR4 da placa, t<> 10s; 400℃/W quando montou na almofada de cobre mínima.
Artigos: AP2308GEN novo
Número da peça: AP2308GEN
Pacote: Componentes eletrônicos
Componentes eletrônicos: AP2308GEN
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