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Multi interruptor alto funcional do Mosfet da corrente do interruptor de alimentação do Mosfet/AP8810TS

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Multi interruptor alto funcional do Mosfet da corrente do interruptor de alimentação do Mosfet/AP8810TS

Multi interruptor alto funcional do Mosfet da corrente do interruptor de alimentação do Mosfet/AP8810TS
Multi interruptor alto funcional do Mosfet da corrente do interruptor de alimentação do Mosfet/AP8810TS Multi interruptor alto funcional do Mosfet da corrente do interruptor de alimentação do Mosfet/AP8810TS Multi interruptor alto funcional do Mosfet da corrente do interruptor de alimentação do Mosfet/AP8810TS

Imagem Grande :  Multi interruptor alto funcional do Mosfet da corrente do interruptor de alimentação do Mosfet/AP8810TS

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: AP8810TS
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: negociação
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Multi interruptor alto funcional do Mosfet da corrente do interruptor de alimentação do Mosfet/AP8810TS

descrição
Nome do produto: Interruptor de alimentação do Mosfet modelo: AP8810TS
Bloco: TSSOP-8 Marcação: AP8810E XXX YYYY
Tensão da VDSDrain-fonte: 20V Tensão do rce de VGSGate-Sou: ±12V
Realçar:

transistor do mosfet do canal de n

,

transistor de alta tensão

Multi interruptor alto funcional do Mosfet da corrente do interruptor de alimentação do Mosfet/AP8810TS

 

Descrição geral:

 

O transistor de efeito de campo do MOS é usado nos muitos fonte de alimentação e aplicações do poder geral, especialmente como interruptores. A variação s inclui MOSFETs planares, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs e outras marcas diferentes.

 

Características gerais

 

VDS = 20V, IDENTIFICAÇÃO = 7A
Avaliação do RDS (SOBRE < 28m=""> ) RDS (SOBRE < 26m=""> ) RDS (SOBRE < 22m=""> ) RDS (SOBRE < 20m=""> ) ESD: 2000V HBM

 

Aplicação

 

Proteção da bateria
Gestão do poder do interruptor da carga

 

Marcação do pacote e informação pedindo

 

Identificação do produto Bloco Marcação Qty (PCS)
AP8810TS TSSOP-8 AP8810E XXX YYYY 5000

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (de outra maneira notável TA=25 ℃unless)

 

 

Parâmetro Símbolo Limite Unidade
Tensão da Dreno-fonte VDS 20 V
Tensão da Porta-fonte VGS ±12 V

 

Drene Current-Continuous@ Atual-pulsou (nota 1)

Identificação 7 A
IDM 25 A
Dissipação de poder máxima Paládio 1,5 W
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento T J, T STG -55 a 150
Resistência térmica, Junção-à-ambiental (nota 2) RθJA 83 ℃/W
Parâmetro Símbolo Limite Unidade
Tensão da Dreno-fonte VDS 20 V
Tensão da Porta-fonte VGS ±12 V

 

Drene Current-Continuous@ Atual-pulsou (nota 1)

Identificação 7 A
IDM 25 A
Dissipação de poder máxima Paládio 1,5 W
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento T J, T STG -55 a 150
Resistência térmica, Junção-à-ambiental (nota 2) RθJA 83 ℃/W

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (de outra maneira notável TA=25 ℃unless)

 

Parâmetro Símbolo Circunstância Minuto Tipo Máximo Unidade
Tensão de divisão da Dreno-fonte BV DSS V μA de GS=0V ID=250 20     V
Corrente zero do dreno da tensão da porta IDSS V DS=20V, V GS=0V     1 μA

 

Corrente do escapamento do Porta-corpo

 

IGSS

V GS=±4.5V, V DS=0V     ±200 nA
V GS=±10V, VDS=0V     ±10 A
Tensão do ponto inicial da porta V GS (th) V DS=V GS, μA ID=250 0,6 0,75 1,2 V

 

Resistência do Em-estado da Dreno-fonte

 

RDS (SOBRE)

V GS=4.5V, ID=6.5A   14 20 Ω de m
V GS=4V, ID=6A   16 22 Ω de m
V GS=3.1V, ID=5.5A   19 26 Ω de m
V GS=2.5V, ID=5.5A   24 28 Ω de m
Transcondutância dianteira gFS V DS=10V, I D=6.5A   6,6   S
Capacidade da entrada Clss     650   PF
Capacidade de saída Coss   360   PF
Capacidade reversa de transferência Crss   154   PF
Tempo de atraso de ligação TD (sobre)     11 22 nS
Tempo de elevação de ligação

r

t

  12 28 nS
Tempo de atraso da volta-Fora TD (fora)   35 73 nS
Tempo de queda da volta-Fora

f

t

  33 65 nS
Carga total da porta Qg

 

V DS=10V, I D=7A, V GS=4.5V

  11 16 nC
Carga da Porta-fonte Qgs   2,5   nC
Carga do Porta-dreno Qgd   3,2   nC
Tensão dianteira do diodo (nota 3) V SD V GS=0V, IS=1.5A   0,84 1,2 V
Parâmetro Símbolo Circunstância Minuto Tipo Máximo Unidade
Tensão de divisão da Dreno-fonte BV DSS V μA de GS=0V ID=250 20     V
Corrente zero do dreno da tensão da porta IDSS V DS=20V, V GS=0V     1 μA

 

Corrente do escapamento do Porta-corpo

 

IGSS

V GS=±4.5V, V DS=0V     ±200 nA
V GS=±10V, VDS=0V     ±10 A
Tensão do ponto inicial da porta V GS (th) V DS=V GS, μA ID=250 0,6 0,75 1,2 V

 

Resistência do Em-estado da Dreno-fonte

 

RDS (SOBRE)

V GS=4.5V, ID=6.5A   14 20 Ω de m
V GS=4V, ID=6A   16 22 Ω de m
V GS=3.1V, ID=5.5A   19 26 Ω de m
V GS=2.5V, ID=5.5A   24 28 Ω de m
Transcondutância dianteira gFS V DS=10V, I D=6.5A   6,6   S
Capacidade da entrada Clss     650   PF
Capacidade de saída Coss   360   PF
Capacidade reversa de transferência Crss   154   PF
Tempo de atraso de ligação TD (sobre)     11 22 nS
Tempo de elevação de ligação

r

t

  12 28 nS
Tempo de atraso da volta-Fora TD (fora)   35 73 nS
Tempo de queda da volta-Fora

f

t

  33 65 nS
Carga total da porta Qg

 

V DS=10V, I D=7A, V GS=4.5V

  11 16 nC
Carga da Porta-fonte Qgs   2,5   nC
Carga do Porta-dreno Qgd   3,2   nC
Tensão dianteira do diodo (nota 3) V SD V GS=0V, IS=1.5A   0,84 1,2 V

 

NOTAS:

1. avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.

2. superfície montada FR4 na placa, segundo do ≤ 10 de t.

3. Teste do pulso: Μs do ≤ 300 da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.

4. Garantido pelo projeto, não sujeito aos testes de produção.

 

Atenção

 

1, algum e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto não tem as especificações que podem segurar as aplicações que exigem extremamente níveis elevados de confiança, tais como sistemas de manutenção das funções vitais, sistemas de controlo de avião, ou outras aplicações cuja a falha pode razoavelmente ser esperada conduzir a dano físico e/ou material sério. Consulte-o com seu mais próximo representativo da microeletrônica de APM antes de usar algum produto da microeletrônica de APM descrito ou contido nisto em tais aplicações.

2, microeletrônica de APM não supõem nenhuma responsabilidade para as falhas de equipamento que resultam de usar produtos nos valores que excedem, mesmo momentaneamente, os valores avaliados (tais como avaliações máximas, escalas da condição operacional, ou outros parâmetros) alistados em especificações de produtos de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto.

3, especificações de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descreveram ou contiveram aqui o instipulate o desempenho, as características, e as funções dos produtos descritos no estado independente, e não são garantias do desempenho, das características, e das funções dos produtos descritos como montado nos produtos ou no equipamento do cliente. Para verificar os sintomas e os estados que não podem ser avaliados em um dispositivo independente, o cliente deve sempre avaliar e testar os dispositivos montados nos produtos ou no equipamento do cliente.

4, semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD. esforçam-se para fornecer os produtos altos de alta qualidade da confiança. Contudo, alguns e todos os produtos de semicondutor falham com alguma probabilidade. É possível que estas falhas probabilísticas poderiam causar os acidentes ou os eventos que poderiam pôr em perigo as vidas humanas que poderiam causar o fumo ou o fogo, ou que poderiam causar dano à outra propriedade. O equipamento de Whendesigning, adota medidas de segurança de modo que estes tipos dos acidentes ou dos eventos não possam ocorrer. Tais medidas incluem mas não são limitadas aos circuitos protetores e aos circuitos da prevenção de erro para o projeto seguro, o projeto redundante, e o projeto estrutural.

5, caso exister ou todos os produtos da microeletrônica de APM (que incluem dados, serviços técnicos) descritos ou contidos nisto forem controlados sob alguns de leis e de regulamentos aplicáveis de controlo de exportações locais, tais produtos não devem ser exportados sem obter a licença de exportação das autoridades referidas de acordo com a lei acima.

6, nenhuma parte desta publicação podem ser reproduzidos ou transmitido em todo o formulário ou por qualquer meio, eletrônico ou mecânico, incluindo a fotocópia e a gravação, ou o qualquer sistema de armazenamento ou de recuperação de informação, ou de outra maneira, sem a autorização escrita prévia do semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD.

7, informação (incluindo esquemas de circuito e parâmetros do circuito) são nisto por exemplo somente; não se garante para a produção de volume. A microeletrônica de APM acredita que a informação nisto é exata e segura, mas nenhuma garantia está feita ou implicada em relação a seu uso ou a todas as infrações dos direitos de propriedade intelectual ou dos outros direitos de terceiros.

8, alguns e toda a informação descritos ou contidos nisto são sujeitos mudar sem aviso prévio devido ao produto/melhoria da tecnologia, etc. Ao projetar o equipamento, refira da “a especificação entrega” para o produto da microeletrônica de APM que você pretende usar.

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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