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Transistor de poder solar do Mosfet dos inversores 6A 20V com velocidade de interruptor alta

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

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Transistor de poder solar do Mosfet dos inversores 6A 20V com velocidade de interruptor alta

Transistor de poder solar do Mosfet dos inversores 6A 20V com velocidade de interruptor alta
Transistor de poder solar do Mosfet dos inversores 6A 20V com velocidade de interruptor alta Transistor de poder solar do Mosfet dos inversores 6A 20V com velocidade de interruptor alta Transistor de poder solar do Mosfet dos inversores 6A 20V com velocidade de interruptor alta

Imagem Grande :  Transistor de poder solar do Mosfet dos inversores 6A 20V com velocidade de interruptor alta

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: AP8205S
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: negociação
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Transistor de poder solar do Mosfet dos inversores 6A 20V com velocidade de interruptor alta

descrição
Nome do produto: transistor de poder do mosfet modelo: AP8205S
Bloco: SOT23-6 Marcação: 8205S
Tensão da VDSDrain-fonte: 20V Tensão do rce de VGSGate-Sou: ±12V
Realçar:

transistor do mosfet do canal de n

,

transistor de alta tensão

Transistor de poder solar do Mosfet dos inversores 6A 20V com velocidade de interruptor alta

 

Descrição do transistor de poder do Mosfet:

 

A tecnologia avançada da trincheira dos usos de AP8205S
para fornecer o RDS excelente (SOBRE), baixa carga da porta
e operação com as tensões da porta tão baixas quanto 2.5V.
Este dispositivo é apropriado para o uso como uma bateria
proteção ou na outra aplicação do interruptor.

 

Características do transistor de poder do Mosfet

 

VDS = 20V, IDENTIFICAÇÃO = 6A
RDS (SOBRE) < 20=""> RDS (SOBRE) < 27="">

 

 

Aplicação do transistor de poder do Mosfet

 

Proteção da bateria
Interruptor da carga
Fonte de alimentação ininterrupta

 

Marcação do pacote e informação pedindo

 

Identificação do produto Bloco Marcação Qty (PCS)
AP8205S SOT23-6 8205S 3000

 

Characteristics@Tj bonde =25C (salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Condições de teste Mínimo. Tipo. Máximo. Unidades
BVDSS Tensão de divisão da Dreno-fonte VGS=0V, ID=250uA 20 - - V
RDS (SOBRE) Em-resistência estática da Dreno-fonte VGS=4.5V, I D=6A - 20,5 27
VGS=2.5V, I D=4A - 27 37
VGS (th) Tensão do ponto inicial da porta VDS=VGS, ID=250uA - 0,75 1,2 V
gfs Transcondutância dianteira VDS=10V, ID=6A - 6 - S
IDSS Corrente do escapamento da Dreno-fonte VDS=20V, VGS=0V - - 25 A

Corrente do escapamento da Dreno-fonte

(Tj=70 C)

VDS=20V, VGS=0V - - 250 A
IGSS Escapamento da Porta-fonte VGS=+12V, VDS=0V - - +100 nA
Qg Carga total 2 da porta ID=6A - 11 17,6 nC
Qgs Carga da Porta-fonte - 1,1 - nC
Qgd Carga do Porta-dreno (“Miller”) - 4,1 - nC
TD (sobre) Tempo de atraso de ligação 2 VDS=10V - 4,2 - ns

r

t

Tempo de elevação - 9 - ns
TD (fora) Tempo de atraso da volta-fora - 23 - ns

f

t

Tempo de queda - 3,5 - ns
Ciss Capacidade da entrada

 

VGS=0V

- 570 910 PF
Coss Capacidade de saída - 90 - PF
Crss Capacidade reversa de transferência - 85 - PF
Rg Resistência da porta f=1.0MHz - 1,6 2,4 Ω
VSD Envie em Voltage2 IS=1.7A, VGS=0V - - 1,2 V
trr Tempo de recuperação reversa 2 IS=6A, VGS=0V, dI/dt=100A/µs - 21 - ns
Qrr Carga reversa da recuperação   - 14 - nC
Símbolo Parâmetro Condições de teste Mínimo. Tipo. Máximo. Unidades
BVDSS Tensão de divisão da Dreno-fonte VGS=0V, ID=250uA 20 - - V
RDS (SOBRE) Em-resistência estática da Dreno-fonte VGS=4.5V, I D=6A - 20,5 27
VGS=2.5V, I D=4A - 27 37
VGS (th) Tensão do ponto inicial da porta VDS=VGS, ID=250uA - 0,75 1,2 V
gfs Transcondutância dianteira VDS=10V, ID=6A - 6 - S
IDSS Corrente do escapamento da Dreno-fonte VDS=20V, VGS=0V - - 25 A

Corrente do escapamento da Dreno-fonte

(Tj=70 C)

VDS=20V, VGS=0V - - 250 A
IGSS Escapamento da Porta-fonte VGS=+12V, VDS=0V - - +100 nA
Qg Carga total 2 da porta ID=6A - 11 17,6 nC
Qgs Carga da Porta-fonte - 1,1 - nC
Qgd Carga do Porta-dreno (“Miller”) - 4,1 - nC
TD (sobre) Tempo de atraso de ligação 2 VDS=10V - 4,2 - ns

r

t

Tempo de elevação - 9 - ns
TD (fora) Tempo de atraso da volta-fora - 23 - ns

f

t

Tempo de queda - 3,5 - ns
Ciss Capacidade da entrada

 

VGS=0V

- 570 910 PF
Coss Capacidade de saída - 90 - PF
Crss Capacidade reversa de transferência - 85 - PF
Rg Resistência da porta f=1.0MHz - 1,6 2,4 Ω
VSD Envie em Voltage2 IS=1.7A, VGS=0V - - 1,2 V
trr Tempo de recuperação reversa 2 IS=6A, VGS=0V, dI/dt=100A/µs - 21 - ns
Qrr Carga reversa da recuperação   - 14 - nC

 

Atenção

 

1, algum e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto não tem as especificações que podem segurar as aplicações que exigem extremamente níveis elevados de confiança, tais como sistemas de manutenção das funções vitais, sistemas de controlo de avião, ou outras aplicações cuja a falha pode razoavelmente ser esperada conduzir a dano físico e/ou material sério. Consulte-o com seu mais próximo representativo da microeletrônica de APM antes de usar algum produto da microeletrônica de APM descrito ou contido nisto em tais aplicações.

2, microeletrônica de APM não supõem nenhuma responsabilidade para as falhas de equipamento que resultam de usar produtos nos valores que excedem, mesmo momentaneamente, os valores avaliados (tais como avaliações máximas, escalas da condição operacional, ou outros parâmetros) alistados em especificações de produtos de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto.

3, especificações de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descreveram ou contiveram aqui o instipulate o desempenho, as características, e as funções dos produtos descritos no estado independente, e não são garantias do desempenho, das características, e das funções dos produtos descritos como montado nos produtos ou no equipamento do cliente. Para verificar os sintomas e os estados que não podem ser avaliados em um dispositivo independente, o cliente deve sempre avaliar e testar os dispositivos montados nos produtos ou no equipamento do cliente.

4, semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD. esforçam-se para fornecer os produtos altos de alta qualidade da confiança. Contudo, alguns e todos os produtos de semicondutor falham com alguma probabilidade. É possível que estas falhas probabilísticas poderiam causar os acidentes ou os eventos que poderiam pôr em perigo as vidas humanas que poderiam causar o fumo ou o fogo, ou que poderiam causar dano à outra propriedade. O equipamento de Whendesigning, adota medidas de segurança de modo que estes tipos dos acidentes ou dos eventos não possam ocorrer. Tais medidas incluem mas não são limitadas aos circuitos protetores e aos circuitos da prevenção de erro para o projeto seguro, o projeto redundante, e o projeto estrutural.

5, caso exister ou todos os produtos da microeletrônica de APM (que incluem dados, serviços técnicos) descritos ou contidos nisto forem controlados sob alguns de leis e de regulamentos aplicáveis de controlo de exportações locais, tais produtos não devem ser exportados sem obter a licença de exportação das autoridades referidas de acordo com a lei acima.

6, nenhuma parte desta publicação podem ser reproduzidos ou transmitido em todo o formulário ou por qualquer meio, eletrônico ou mecânico, incluindo a fotocópia e a gravação, ou o qualquer sistema de armazenamento ou de recuperação de informação, ou de outra maneira, sem a autorização escrita prévia do semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD.

7, informação (incluindo esquemas de circuito e parâmetros do circuito) são nisto por exemplo somente; não se garante para a produção de volume. A microeletrônica de APM acredita que a informação nisto é exata e segura, mas nenhuma garantia está feita ou implicada em relação a seu uso ou a todas as infrações dos direitos de propriedade intelectual ou dos outros direitos de terceiros.

8, alguns e toda a informação descritos ou contidos nisto são sujeitos mudar sem aviso prévio devido ao produto/melhoria da tecnologia, etc. Ao projetar o equipamento, refira da “a especificação entrega” para o produto da microeletrônica de APM que você pretende usar.

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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