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Transistor atual alto de AP30N10D, transistor de efeito de campo de 30A 100V TO-252

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Transistor atual alto de AP30N10D, transistor de efeito de campo de 30A 100V TO-252

Transistor atual alto de AP30N10D, transistor de efeito de campo de 30A 100V TO-252
Transistor atual alto de AP30N10D, transistor de efeito de campo de 30A 100V TO-252 Transistor atual alto de AP30N10D, transistor de efeito de campo de 30A 100V TO-252 Transistor atual alto de AP30N10D, transistor de efeito de campo de 30A 100V TO-252

Imagem Grande :  Transistor atual alto de AP30N10D, transistor de efeito de campo de 30A 100V TO-252

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: AP30N10D
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: negociação
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Transistor atual alto de AP30N10D, transistor de efeito de campo de 30A 100V TO-252

descrição
Nome do produto: Transistor atual alto modelo: AP30N10D
Bloco: TO-252-3L Marcação: AP30N10D XXX YYYY
Tensão da VDSDrain-fonte: 100V Tensão do rce de VGSGate-Sou: ±20V
Realçar:

transistor do mosfet do canal de n

,

transistor de alta tensão

Transistor atual alto de AP30N10D, transistor de efeito de campo de 30A 100V TO-252

 

Tipos atuais altos do transistor

 

Os MOSFETs podem ser de tipos diferentes, incluindo:

 

Modo de prostração: Normalmente SOBRE. Aplicar o VGS desligá-lo-ia.

Modo do realce: Normalmente FORA. Aplicar o VGS girá-lo-ia SOBRE.

MOSFETs do N-canal: tensões e correntes positivas.

MOSFETs do P-canal: tensões e correntes negativas.

MOSFETs da baixa tensão: BVDSS de 0 V a 200 V.

MOSFETs de alta tensão: Greather de BVDSS do que 200 V.

 

Características atuais altas do transistor

 

VDS = 100V IDENTIFICAÇÃO = 30A
RDS (SOBRE) < 47m="">

 

Uso atual alto do transistor

 

Proteção da bateria
Interruptor da carga
Fonte de alimentação ininterrupta

 

Marcação do pacote e informação pedindo

 

Identificação do produto Bloco Marcação Qty (PCS)
AP30N10D TO-252-3L AP30N10D XXX YYYY 2500

 

Avaliações máximas absolutas Tc=25℃ salvo disposição em contrário

 

Símbolo Parâmetro Avaliação Unidades
VDS Tensão da Dreno-fonte 100 V
VGS Tensão da Porta-fonte ±20 V
ID@TC =25℃ Corrente contínua do dreno, V GS @ 10V 1 30 A
℃ de ID@TC =100 Corrente contínua do dreno, V GS @ 10V 1 13,5 A
ID@TA =25℃ Corrente contínua do dreno, V GS @ 10V 1 4,2 A
ID@TA =70℃ Corrente contínua do dreno, V GS @ 10V 1 3,4 A
IDM Dreno pulsado Current2 45 A
EAS Única energia 3 da avalancha do pulso 36,5 mJ
IAS Corrente da avalancha 27 A
℃ de PD@TC =25 Poder total Dissipation4 52,1 W
℃ de PD@TA =25 Poder total Dissipation4 2 W
TSTG Variação da temperatura do armazenamento -55 a 150
TJ Variação da temperatura de funcionamento da junção -55 a 150
RθJA Resistência térmica 1 Junção-ambiental 62 ℃/W
RθJC Junção-caso 1 da resistência térmica 2,4 ℃/W
Símbolo Parâmetro Circunstâncias Mínimo. Tipo. Máximo. Unidade
BVDSS Tensão de divisão da Dreno-fonte VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
△BVDSS/T J Coeficiente de temperatura de BVDSS Referência a 25℃, ID=1mA --- 0,098 --- V/℃

 

RDS (SOBRE)

 

Em-resistência estática da Dreno-fonte

VGS=10V, I D=20A --- 38 47

 

VGS=4.5V, I D=15A --- 40 50
VGS (th) Tensão do ponto inicial da porta   1,3 --- 2,5 V
△VGS (th) Coeficiente de temperatura de VGS (th) --- -5,52 --- mV/℃
IDSS Corrente do escapamento da Dreno-fonte VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 10 A
VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 100
IGSS Corrente do escapamento da Porta-fonte VGS=±20V, V DS=0V --- --- ±100 nA
gfs Transcondutância dianteira VDS=5V, ID=20A --- 28,7 --- S
Rg Resistência da porta VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,6 3,2 Ω
Qg Carga total da porta (10V)   --- 60 84  
Qgs Carga da Porta-fonte --- 9,7 14
Qgd Carga do Porta-dreno --- 11,8 16,5
TD (sobre) Tempo de atraso de ligação   --- 10,4 21  
Tr Tempo de elevação --- 46 83
TD (fora) Tempo de atraso da volta-Fora --- 54 108
Tf Tempo de queda --- 10 20
Ciss Capacidade da entrada   --- 3848 5387  
Coss Capacidade de saída --- 137 192
Crss Capacidade reversa de transferência --- 82 115
É Corrente de fonte contínua 1,5 VG=VD=0V, corrente da força --- --- 22 A
ISMO Corrente de fonte pulsada 2,5 --- --- 45 A
VSD O diodo envia Voltage2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1,2 V
trr Tempo de recuperação reversa IF=20A, dI/dt=100A/µs, --- 30 --- nS
Qrr Carga reversa da recuperação --- 37 --- nC
Símbolo Parâmetro Circunstâncias Mínimo. Tipo. Máximo. Unidade
BVDSS Tensão de divisão da Dreno-fonte VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
△BVDSS/T J Coeficiente de temperatura de BVDSS Referência a 25℃, ID=1mA --- 0,098 --- V/℃

 

RDS (SOBRE)

 

Em-resistência estática da Dreno-fonte

VGS=10V, I D=20A --- 38 47

 

VGS=4.5V, I D=15A --- 40 50
VGS (th) Tensão do ponto inicial da porta   1,3 --- 2,5 V
△VGS (th) Coeficiente de temperatura de VGS (th) --- -5,52 --- mV/℃
IDSS Corrente do escapamento da Dreno-fonte VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 10 A
VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 100
IGSS Corrente do escapamento da Porta-fonte VGS=±20V, V DS=0V --- --- ±100 nA
gfs Transcondutância dianteira VDS=5V, ID=20A --- 28,7 --- S
Rg Resistência da porta VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,6 3,2 Ω
Qg Carga total da porta (10V)   --- 60 84  
Qgs Carga da Porta-fonte --- 9,7 14
Qgd Carga do Porta-dreno --- 11,8 16,5
TD (sobre) Tempo de atraso de ligação   --- 10,4 21  
Tr Tempo de elevação --- 46 83
TD (fora) Tempo de atraso da volta-Fora --- 54 108
Tf Tempo de queda --- 10 20
Ciss Capacidade da entrada   --- 3848 5387  
Coss Capacidade de saída --- 137 192
Crss Capacidade reversa de transferência --- 82 115
É Corrente de fonte contínua 1,5 VG=VD=0V, corrente da força --- --- 22 A
ISMO Corrente de fonte pulsada 2,5 --- --- 45 A
VSD O diodo envia Voltage2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1,2 V
trr Tempo de recuperação reversa IF=20A, dI/dt=100A/µs, --- 30 --- nS
Qrr Carga reversa da recuperação --- 37 --- nC

 

Nota:

os dados 1.The testaram pela superfície montada em uma placa de 1 polegada FR-4 com cobre 2OZ.

os dados 2.The testaram pelo pulsado, o ≦ 300us da largura de pulso, ≦ 2% do ciclo de dever

os dados de 3.The EAS mostram a avaliação máxima. A condição de teste é VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS =27A

a dissipação de poder 4.The é limitada pela temperatura de junção 150℃

os dados 5.The são teoricamente os mesmos como IDand IDM, em aplicações reais, deve ser limitado pela dissipação de poder total.

 

Atenção

 

1, algum e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto não tem as especificações que podem segurar as aplicações que exigem extremamente níveis elevados de confiança, tais como sistemas de manutenção das funções vitais, sistemas de controlo de avião, ou outras aplicações cuja a falha pode razoavelmente ser esperada conduzir a dano físico e/ou material sério. Consulte-o com seu mais próximo representativo da microeletrônica de APM antes de usar algum produto da microeletrônica de APM descrito ou contido nisto em tais aplicações.

2, microeletrônica de APM não supõem nenhuma responsabilidade para as falhas de equipamento que resultam de usar produtos nos valores que excedem, mesmo momentaneamente, os valores avaliados (tais como avaliações máximas, escalas da condição operacional, ou outros parâmetros) alistados em especificações de produtos de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto.

3, especificações de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descreveram ou contiveram aqui o instipulate o desempenho, as características, e as funções dos produtos descritos no estado independente, e não são garantias do desempenho, das características, e das funções dos produtos descritos como montado nos produtos ou no equipamento do cliente. Para verificar os sintomas e os estados que não podem ser avaliados em um dispositivo independente, o cliente deve sempre avaliar e testar os dispositivos montados nos produtos ou no equipamento do cliente.

4, semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD. esforçam-se para fornecer os produtos altos de alta qualidade da confiança. Contudo, alguns e todos os produtos de semicondutor falham com alguma probabilidade. É possível que estas falhas probabilísticas poderiam causar os acidentes ou os eventos que poderiam pôr em perigo as vidas humanas que poderiam causar o fumo ou o fogo, ou que poderiam causar dano à outra propriedade. O equipamento de Whendesigning, adota medidas de segurança de modo que estes tipos dos acidentes ou dos eventos não possam ocorrer. Tais medidas incluem mas não são limitadas aos circuitos protetores e aos circuitos da prevenção de erro para o projeto seguro, o projeto redundante, e o projeto estrutural.

5, caso exister ou todos os produtos da microeletrônica de APM (que incluem dados, serviços técnicos) descritos ou contidos nisto forem controlados sob alguns de leis e de regulamentos aplicáveis de controlo de exportações locais, tais produtos não devem ser exportados sem obter a licença de exportação das autoridades referidas de acordo com a lei acima.

6, nenhuma parte desta publicação podem ser reproduzidos ou transmitido em todo o formulário ou por qualquer meio, eletrônico ou mecânico, incluindo a fotocópia e a gravação, ou o qualquer sistema de armazenamento ou de recuperação de informação, ou de outra maneira, sem a autorização escrita prévia do semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD.

7, informação (incluindo esquemas de circuito e parâmetros do circuito) são nisto por exemplo somente; não se garante para a produção de volume. A microeletrônica de APM acredita que a informação nisto é exata e segura, mas nenhuma garantia está feita ou implicada em relação a seu uso ou a todas as infrações dos direitos de propriedade intelectual ou dos outros direitos de terceiros.

8, alguns e toda a informação descritos ou contidos nisto são sujeitos mudar sem aviso prévio devido ao produto/melhoria da tecnologia, etc. Ao projetar o equipamento, refira da “a especificação entrega” para o produto da microeletrônica de APM que você pretende usar.

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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