Alta frequência do transistor de efeito de campo do MOS do canal de AP10H06S N

Alta frequência do transistor de efeito de campo do MOS do canal de AP10H06S N

Tipos do transistor de efeito de campo do MOS do canal de N

Dentro da arena total de MOSFETs do poder, há um número de tecnologias específicas que foram desenvolvidas e endereçadas por fabricantes diferentes. Usam um número de técnicas diferentes que permitem os MOSFETs do poder de levar a corrente e de segurar mais eficientemente os níveis de poder. Como já mencionado incorporam frequentemente um formulário de vertical estruture

Os tipos diferentes de MOSFET do poder têm atributos diferentes e podem consequentemente particularmente ser seridos para aplicações dadas.

• MOSFET planar do poder: Este é o formulário básico do MOSFET do poder. É bom para avaliações de alta tensão porque a resistência é dominada SOBRE pela resistência da epi-camada. Esta estrutura é usada geralmente quando uma densidade de pilha alta não é precisada.
• VMOS: Os MOSFETs do poder de VMOS estiveram disponíveis por muitos anos. O conceito básico usa uma estrutura do sulco de V para permitir um fluxo mais vertical da corrente, desse modo fornecendo mais baixo em níveis de resistência e em melhores características do interruptor. Embora usado para o interruptor do poder, podem igualmente ser usados para amplificadores de potência pequenos de alta frequência do RF.
• UMOS: A versão de UMOS do MOSFET do poder usa um bosque similar àquele o FET de VMOS. Contudo o bosque tem-lhe uma parte inferior mais lisa e fornece-o algumas vantagens diferentes.
• HEXFET: Este formulário do MOSFET do poder usa uma estrutura sextavada para fornecer a capacidade atual.
• TrenchMOS: Outra vez o MOSFET do poder de TrenchMOS usa um bosque ou uma trincheira básica similar no silicone básico para fornecer a capacidade e as características melhor de manipulação. Em particular, os MOSFETs do poder da trincheira são usados principalmente para tensões acima de 200 volts devido a sua densidade do canal e daqui ao seu mais baixo na resistência.

Características do transistor de efeito de campo do MOS do canal de N

VDS = 60V IDENTIFICAÇÃO =10A
RDS (SOBRE) < 20m="">

Aplicação do transistor de efeito de campo do MOS do canal de N

Proteção da bateria
Interruptor da carga
Fonte de alimentação ininterrupta

Marcação do pacote e informação pedindo

Avaliações máximas absolutas (TC=25℃unless notáveis de outra maneira)

Características elétricas (TC=25℃unless notáveis de outra maneira)

Nota

1. avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.

2. superfície montada FR4 na placa, segundo do ≤ 10 de t.

3. Teste do pulso: Μs do ≤ 300 da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.

4. Garantido pelo projeto, não sujeito à produção

Atenção

1, algum e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto não tem as especificações que podem segurar as aplicações que exigem extremamente níveis elevados de confiança, tais como sistemas de manutenção das funções vitais, sistemas de controlo de avião, ou outras aplicações cuja a falha pode razoavelmente ser esperada conduzir a dano físico e/ou material sério. Consulte-o com seu mais próximo representativo da microeletrônica de APM antes de usar algum produto da microeletrônica de APM descrito ou contido nisto em tais aplicações.

2, microeletrônica de APM não supõem nenhuma responsabilidade para as falhas de equipamento que resultam de usar produtos nos valores que excedem, mesmo momentaneamente, os valores avaliados (tais como avaliações máximas, escalas da condição operacional, ou outros parâmetros) alistados em especificações de produtos de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto.

3, especificações de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descreveram ou contiveram aqui o instipulate o desempenho, as características, e as funções dos produtos descritos no estado independente, e não são garantias do desempenho, das características, e das funções dos produtos descritos como montado nos produtos ou no equipamento do cliente. Para verificar os sintomas e os estados que não podem ser avaliados em um dispositivo independente, o cliente deve sempre avaliar e testar os dispositivos montados nos produtos ou no equipamento do cliente.

4, semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD. esforçam-se para fornecer os produtos altos de alta qualidade da confiança. Contudo, alguns e todos os produtos de semicondutor falham com alguma probabilidade. É possível que estas falhas probabilísticas poderiam causar os acidentes ou os eventos que poderiam pôr em perigo as vidas humanas que poderiam causar o fumo ou o fogo, ou que poderiam causar dano à outra propriedade. O equipamento de Whendesigning, adota medidas de segurança de modo que estes tipos dos acidentes ou dos eventos não possam ocorrer. Tais medidas incluem mas não são limitadas aos circuitos protetores e aos circuitos da prevenção de erro para o projeto seguro, o projeto redundante, e o projeto estrutural.

5, caso exister ou todos os produtos da microeletrônica de APM (que incluem dados, serviços técnicos) descritos ou contidos nisto forem controlados sob alguns de leis e de regulamentos aplicáveis de controlo de exportações locais, tais produtos não devem ser exportados sem obter a licença de exportação das autoridades referidas de acordo com a lei acima.

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