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Estrutura do vertical do transistor de poder do Mosfet de AP10H03S 10A 30V SOP-8

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Estrutura do vertical do transistor de poder do Mosfet de AP10H03S 10A 30V SOP-8

Estrutura do vertical do transistor de poder do Mosfet de AP10H03S 10A 30V SOP-8
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Imagem Grande :  Estrutura do vertical do transistor de poder do Mosfet de AP10H03S 10A 30V SOP-8

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: AP10H03S
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: negociação
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Estrutura do vertical do transistor de poder do Mosfet de AP10H03S 10A 30V SOP-8

descrição
Nome do produto: transistor de poder do mosfet modelo: AP10H03S
Bloco: SOP-8 Marcação: AP10H03S XXX YYYY
Tensão da VDSDrain-fonte: 30V Tensão do rce de VGSGate-Sou: ±20A
Realçar:

transistor do mosfet do canal de n

,

transistor de alta tensão

Estrutura do vertical do transistor de poder do Mosfet de AP10H03S 10A 30V SOP-8

 

Descrição do transistor de poder do Mosfet:

 

O AP10H03S é a trincheira do desempenho o mais alto
MOSFETs N-ch com densidade de pilha alta extrema,
quais fornecem RDSON excelente e bloqueiam a carga
para a maioria do interruptor pequeno do poder e
aplicações do interruptor da carga. A reunião o RoHS e
Exigência do produto com a confiança completa da função aprovada.

 

Características do transistor de poder do Mosfet

 

VDS = 30V IDENTIFICAÇÃO = 10A
RDS (SOBRE) < 12m=""> RDS (SOBRE) < 16="">

 

Aplicação do transistor de poder do Mosfet

 

Proteção da bateria
Interruptor da carga
Fonte de alimentação ininterrupta

 

Marcação do pacote e informação pedindo

 

Identificação do produto Bloco Marcação Qty (PCS)
AP10H03S SOP-8 AP10H03S XXX YYYY 3000

 

Avaliações máximas absolutas (TA=25℃unless notáveis de outra maneira)

 

 

Símbolo Parâmetro Avaliação Unidades
VDS Tensão da Dreno-fonte 30 V
VGS Tensão da Porta-fonte ±20 V
ID@TC =25℃ Corrente contínua do dreno, V GS @ 10V 1 10 A
℃ de ID@TC =100 Corrente contínua do dreno, V GS @ 10V 1 8,2 A
ID@TA =25℃ Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V1 9,5 A
ID@TA =70℃ Corrente contínua do dreno, V GS @ 10V 1 7,6 A
IDM Dreno pulsado Current2 75 A
EAS Única energia 3 da avalancha do pulso 24,2 mJ
IAS Corrente da avalancha 22 A
℃ de PD@TC =25 Poder total Dissipation4 26 W
℃ de PD@TA =25 Poder total Dissipation4 1,67 W
TSTG Variação da temperatura do armazenamento -55 a 150
TJ Variação da temperatura de funcionamento da junção -55 a 150
RθJA Resistência térmica 1 Junção-ambiental 75 ℃/W
RθJC Junção-caso 1 da resistência térmica 4,8 ℃/W

 

Características elétricas (de TJ =25, salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Circunstâncias Mínimo. Tipo. Máximo. Unidade
BVDSS Tensão de divisão da Dreno-fonte VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
△BVDSS/T J Coeficiente de temperatura de BVDSS Referência a 25℃, ID=1mA --- 0,023 --- V/℃
RDS (SOBRE) Em-resistência estática da Dreno-fonte VGS=10V, I D=15A --- --- 12

 

VGS=4.5V, I D=10A --- --- 16,5
VGS (th) Tensão do ponto inicial da porta

 

VGS=VDS, IDENTIFICAÇÃO =250UA

1,0 --- 2,5 V
△VGS (th) Coeficiente de temperatura de VGS (th) --- -5,08 --- mV/℃

 

IDSS

 

Corrente do escapamento da Dreno-fonte

VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1

 

A

VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
IGSS Corrente do escapamento da Porta-fonte VGS=±20V, V DS=0V --- --- ±100 nA
gfs Transcondutância dianteira VDS=5V, ID=15A --- 24,4 --- S
Rg Resistência da porta VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,8 --- Ω
Qg Carga total da porta (4.5V) VDS=15V, VGS=4.5V, ID=12A --- 9,82 ---  
Qgs Carga da Porta-fonte --- 2,24 ---
Qgd Carga do Porta-dreno --- 5,54 ---
TD (sobre) Tempo de atraso de ligação VDD=15V, VGS=10V, RG=1.5
ID=20A
--- 6,4 ---  
Tr Tempo de elevação --- 39 ---
TD (fora) Tempo de atraso da volta-Fora --- 21 ---
Tf Tempo de queda --- 4,7 ---
Ciss Capacidade da entrada VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 896 ---  
Coss Capacidade de saída --- 126 ---
Crss Capacidade reversa de transferência --- 108 ---
É Corrente de fonte contínua 1,5

 

VG=VD=0V, corrente da força

--- --- 37 A
ISMO Fonte pulsada Current2,5 --- --- 75 A
VSD O diodo envia Voltage2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1 V
Símbolo Parâmetro Circunstâncias Mínimo. Tipo. Máximo. Unidade
BVDSS Tensão de divisão da Dreno-fonte VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
△BVDSS/T J Coeficiente de temperatura de BVDSS Referência a 25℃, ID=1mA --- 0,023 --- V/℃
RDS (SOBRE) Em-resistência estática da Dreno-fonte VGS=10V, I D=15A --- --- 12

 

VGS=4.5V, I D=10A --- --- 16,5
VGS (th) Tensão do ponto inicial da porta

 

VGS=VDS, IDENTIFICAÇÃO =250UA

1,0 --- 2,5 V
△VGS (th) Coeficiente de temperatura de VGS (th) --- -5,08 --- mV/℃

 

IDSS

 

Corrente do escapamento da Dreno-fonte

VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1

 

A

VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
IGSS Corrente do escapamento da Porta-fonte VGS=±20V, V DS=0V --- --- ±100 nA
gfs Transcondutância dianteira VDS=5V, ID=15A --- 24,4 --- S
Rg Resistência da porta VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,8 --- Ω
Qg Carga total da porta (4.5V)   --- 9,82 ---  
Qgs Carga da Porta-fonte --- 2,24 ---
Qgd Carga do Porta-dreno --- 5,54 ---
TD (sobre) Tempo de atraso de ligação   --- 6,4 ---  
Tr Tempo de elevação --- 39 ---
TD (fora) Tempo de atraso da volta-Fora --- 21 ---
Tf Tempo de queda --- 4,7 ---
Ciss Capacidade da entrada   --- 896 ---  
Coss Capacidade de saída --- 126 ---
Crss Capacidade reversa de transferência --- 108 ---
É Corrente de fonte contínua 1,5

 

VG=VD=0V, corrente da força

--- --- 37 A
ISMO Fonte pulsada Current2,5 --- --- 75 A
VSD O diodo envia Voltage2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1 V

 

Nota:

1. Os dados testaram pela superfície montada em uma placa de 1 polegada FR-4 com cobre 2OZ.

2. Os dados testaram pelo pulsado, o ≦ 300us da largura de pulso, ciclo de dever ≦2%

3 . Os dados de EAS mostram a avaliação máxima. A condição de teste é VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=22A

4. A dissipação de poder é limitada pela temperatura de junção 175℃

5. Os dados são teoricamente os mesmos como I D e IDM, em aplicações reais, deve ser limitado pela dissipação de poder total.

 

Atenção

 

1, algum e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto não tem as especificações que podem segurar as aplicações que exigem extremamente níveis elevados de confiança, tais como sistemas de manutenção das funções vitais, sistemas de controlo de avião, ou outras aplicações cuja a falha pode razoavelmente ser esperada conduzir a dano físico e/ou material sério. Consulte-o com seu mais próximo representativo da microeletrônica de APM antes de usar algum produto da microeletrônica de APM descrito ou contido nisto em tais aplicações.

2, microeletrônica de APM não supõem nenhuma responsabilidade para as falhas de equipamento que resultam de usar produtos nos valores que excedem, mesmo momentaneamente, os valores avaliados (tais como avaliações máximas, escalas da condição operacional, ou outros parâmetros) alistados em especificações de produtos de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto.

3, especificações de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descreveram ou contiveram aqui o instipulate o desempenho, as características, e as funções dos produtos descritos no estado independente, e não são garantias do desempenho, das características, e das funções dos produtos descritos como montado nos produtos ou no equipamento do cliente. Para verificar os sintomas e os estados que não podem ser avaliados em um dispositivo independente, o cliente deve sempre avaliar e testar os dispositivos montados nos produtos ou no equipamento do cliente.

4, semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD. esforçam-se para fornecer os produtos altos de alta qualidade da confiança. Contudo, alguns e todos os produtos de semicondutor falham com alguma probabilidade. É possível que estas falhas probabilísticas poderiam causar os acidentes ou os eventos que poderiam pôr em perigo as vidas humanas que poderiam causar o fumo ou o fogo, ou que poderiam causar dano à outra propriedade. O equipamento de Whendesigning, adota medidas de segurança de modo que estes tipos dos acidentes ou dos eventos não possam ocorrer. Tais medidas incluem mas não são limitadas aos circuitos protetores e aos circuitos da prevenção de erro para o projeto seguro, o projeto redundante, e o projeto estrutural.

5, caso exister ou todos os produtos da microeletrônica de APM (que incluem dados, serviços técnicos) descritos ou contidos nisto forem controlados sob alguns de leis e de regulamentos aplicáveis de controlo de exportações locais, tais produtos não devem ser exportados sem obter a licença de exportação das autoridades referidas de acordo com a lei acima.

6, nenhuma parte desta publicação podem ser reproduzidos ou transmitido em todo o formulário ou por qualquer meio, eletrônico ou mecânico, incluindo a fotocópia e a gravação, ou o qualquer sistema de armazenamento ou de recuperação de informação, ou de outra maneira, sem a autorização escrita prévia do semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD.

7, informação (incluindo esquemas de circuito e parâmetros do circuito) são nisto por exemplo somente; não se garante para a produção de volume. A microeletrônica de APM acredita que a informação nisto é exata e segura, mas nenhuma garantia está feita ou implicada em relação a seu uso ou a todas as infrações dos direitos de propriedade intelectual ou dos outros direitos de terceiros.

8, alguns e toda a informação descritos ou contidos nisto são sujeitos mudar sem aviso prévio devido ao produto/melhoria da tecnologia, etc. Ao projetar o equipamento, refira da “a especificação entrega” para o produto da microeletrônica de APM que você pretende usar.

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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