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Transistor de poder de comutação rápido AP6H06S do Mosfet 6A 60V personalizado

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Revisões do cliente
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Transistor de poder de comutação rápido AP6H06S do Mosfet 6A 60V personalizado

Transistor de poder de comutação rápido AP6H06S do Mosfet 6A 60V personalizado
Transistor de poder de comutação rápido AP6H06S do Mosfet 6A 60V personalizado Transistor de poder de comutação rápido AP6H06S do Mosfet 6A 60V personalizado

Imagem Grande :  Transistor de poder de comutação rápido AP6H06S do Mosfet 6A 60V personalizado

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: AP6H06S
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: negociação
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Transistor de poder de comutação rápido AP6H06S do Mosfet 6A 60V personalizado

descrição
Nome do produto: transistor de poder do mosfet modelo: AP6H06S
Bloco: SOP-8 Marcação: AP6H06S
Tensão da VDSDrain-fonte: 60V Tensão do rce de VGSGate-Sou: ±20A
Realçar:

transistor do mosfet do canal de n

,

transistor de alta tensão

Transistor de poder de comutação rápido AP6H06S do Mosfet 6A 60V personalizado

 

Introdução do transistor de poder do Mosfet

 

A tecnologia do MOSFET é ideal para o uso em muitas aplicações do poder, onde o baixo interruptor na resistência permite níveis elevados de eficiência de ser alcançado.

Há um número de variedades diferentes de MOSFET do poder disponíveis dos fabricantes diferentes, de cada um com suas próprias características e das capacidades.

Muitos MOSFETs do poder incorporam uma topologia vertical da estrutura. Isto permite o interruptor atual alto com eficiência elevada dentro de um relativamente pequeno morre área. Igualmente permite o dispositivo de apoiar o interruptor da alta atual e tensão.

 

 

Características gerais


VDS = 60V IDENTIFICAÇÃO =6 A
RDS (SOBRE) < 35m="">

 

Aplicação

 

Proteção da bateria
Interruptor da carga
Fonte de alimentação ininterrupta

 

 

Marcação do pacote e informação pedindo

 

Identificação do produto Bloco Marcação Qty (PCS)
AP6H06S SOP-8 AP6H06S 3000

 

Avaliações máximas absolutas (Ta =25℃unless notável de outra maneira)

 

Parâmetro Símbolo Limite Unidade
Tensão da Dreno-fonte VDS 60 V
Tensão da Porta-fonte VGS ±20 V
Drene Atual-contínuo Identificação 6 A
Drene Atual-contínuo (TC=100℃) Identificação (100℃) 3,5 A
Corrente pulsada do dreno IDM 24 A
Dissipação de poder máxima Paládio 2 W
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento TJ, TSTG -55 a 150
Resistência térmica, Junção-à-ambiental (nota 2) RθJA 62,5 ℃/W

 

Características elétricas (Ta =25℃unless notável de outra maneira)

 

 

Parâmetro Símbolo Circunstância Minuto Tipo Máximo Unidade
Tensão de divisão da Dreno-fonte BVDSS VGS=0V ID=250μA 60 - - V
Corrente zero do dreno da tensão da porta IDSS VDS=60V, VGS=0V - - 1 μA
Corrente do escapamento do Porta-corpo IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
Tensão do ponto inicial da porta VGS (th) VDS=VGS, ID=250μA 1,2 1,6 2,5 V

 

Resistência do Em-estado da Dreno-fonte

RDS (SOBRE) VGS=10V, ID=5A - 26 35 mΩ
RDS (SOBRE) VGS=4.5V, ID=5A - 32 45 mΩ
Transcondutância dianteira gFS VDS=5V, ID=5A 11 - - S
Capacidade da entrada Clss   - 979 - PF
Capacidade de saída Coss - 120 - PF
Capacidade reversa de transferência Crss - 100 - PF
Tempo de atraso de ligação TD (sobre)   - 5,2 - nS
Tempo de elevação de ligação

r

t

- 3 - nS
Tempo de atraso da volta-Fora TD (fora) - 17 - nS
Tempo de queda da volta-Fora

f

t

- 2,5 - nS
Carga total da porta Qg

 

VDS=30V, ID=5A,

- 22   nC
Carga da Porta-fonte Qgs - 3,3   nC
Carga do Porta-dreno Qgd - 5,2   nC
Tensão dianteira do diodo (nota 3) VSD VGS=0V, IS=5A -   1,2 V
Corrente dianteira do diodo (nota 2)

S

Mim

  - - 5 A
Tempo de ligação dianteiro tonelada O tempo de ligação intrínseco é insignificante (a tara é dominada por LS+LD)

 

Notas:

 

1. avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima. 2. superfície montada FR4 na placa, segundo do ≤ 10 de t.

3. Teste do pulso: ≤ 300μs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.

4. Garantido pelo projeto, não sujeito à produção

5. condição de EAS: Tj=25℃, VDD=30V, VG=10V, L=0.5mH, Ω Rg=25

 

Atenção

 

1, algum e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto não tem as especificações que podem segurar as aplicações que exigem extremamente níveis elevados de confiança, tais como sistemas de manutenção das funções vitais, sistemas de controlo de avião, ou outras aplicações cuja a falha pode razoavelmente ser esperada conduzir a dano físico e/ou material sério. Consulte-o com seu mais próximo representativo da microeletrônica de APM antes de usar algum produto da microeletrônica de APM descrito ou contido nisto em tais aplicações.

2, microeletrônica de APM não supõem nenhuma responsabilidade para as falhas de equipamento que resultam de usar produtos nos valores que excedem, mesmo momentaneamente, os valores avaliados (tais como avaliações máximas, escalas da condição operacional, ou outros parâmetros) alistados em especificações de produtos de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto.

3, especificações de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descreveram ou contiveram aqui o instipulate o desempenho, as características, e as funções dos produtos descritos no estado independente, e não são garantias do desempenho, das características, e das funções dos produtos descritos como montado nos produtos ou no equipamento do cliente. Para verificar os sintomas e os estados que não podem ser avaliados em um dispositivo independente, o cliente deve sempre avaliar e testar os dispositivos montados nos produtos ou no equipamento do cliente.

4, semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD. esforçam-se para fornecer os produtos altos de alta qualidade da confiança. Contudo, alguns e todos os produtos de semicondutor falham com alguma probabilidade. É possível que estas falhas probabilísticas poderiam causar os acidentes ou os eventos que poderiam pôr em perigo as vidas humanas que poderiam causar o fumo ou o fogo, ou que poderiam causar dano à outra propriedade. O equipamento de Whendesigning, adota medidas de segurança de modo que estes tipos dos acidentes ou dos eventos não possam ocorrer. Tais medidas incluem mas não são limitadas aos circuitos protetores e aos circuitos da prevenção de erro para o projeto seguro, o projeto redundante, e o projeto estrutural.

5, caso exister ou todos os produtos da microeletrônica de APM (que incluem dados, serviços técnicos) descritos ou contidos nisto forem controlados sob alguns de leis e de regulamentos aplicáveis de controlo de exportações locais, tais produtos não devem ser exportados sem obter a licença de exportação das autoridades referidas de acordo com a lei acima.

6, nenhuma parte desta publicação podem ser reproduzidos ou transmitido em todo o formulário ou por qualquer meio, eletrônico ou mecânico, incluindo a fotocópia e a gravação, ou o qualquer sistema de armazenamento ou de recuperação de informação, ou de outra maneira, sem a autorização escrita prévia do semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD.

7, informação (incluindo esquemas de circuito e parâmetros do circuito) são nisto por exemplo somente; não se garante para a produção de volume. A microeletrônica de APM acredita que a informação nisto é exata e segura, mas nenhuma garantia está feita ou implicada em relação a seu uso ou a todas as infrações dos direitos de propriedade intelectual ou dos outros direitos de terceiros.

, Alguns e toda a informação descritos ou contidos nisto são sujeitos mudar sem aviso prévio devido ao produto/melhoria da tecnologia, etc. Ao projetar o equipamento, refira da “a especificação entrega” para o produto da microeletrônica de APM que você pretende usar.

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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