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Transistor de poder do Mosfet do canal de AP5N10SI N para o sistema a pilhas

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Transistor de poder do Mosfet do canal de AP5N10SI N para o sistema a pilhas

Transistor de poder do Mosfet do canal de AP5N10SI N para o sistema a pilhas
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Imagem Grande :  Transistor de poder do Mosfet do canal de AP5N10SI N para o sistema a pilhas

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: AP5N10SI
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: negociação
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Transistor de poder do Mosfet do canal de AP5N10SI N para o sistema a pilhas

descrição
Nome do produto: Transistor de poder do Mosfet do canal de N modelo: AP5N10SI
Bloco: SOT89-3 Marcação: AP5N10SI YYWWWW
Tensão da VDSDrain-fonte: 100V Tensão do rce de VGSGate-Sou: ±20A
Realçar:

transistor do mosfet do canal de n

,

transistor de alta tensão

Transistor de poder do Mosfet do canal de AP5N10SI N para o sistema a pilhas

 

Descrição do transistor de poder do Mosfet do canal de N:

 

O AP5N10SI é a única lógica do N-canal

transistor de efeito de campo do poder do modo do realce a

forneça R excelente DS (sobre), baixos carga da porta e baixo

bloqueie a resistência. É até a tensão da operação 30V é poço - serido na fonte de alimentação do modo do interruptor, SMPS,

gestão e outro do poder do laptop

circuitos a pilhas.

 

Características do transistor de poder do Mosfet do canal de N:

 

RDS (SOBRE)<125m>

RDS (SOBRE)<135m>

Projeto high-density super da pilha para extremamente - baixo

Em-resistência excepcional do RDS (SOBRE) e corrente da C.C. do máximo

 

Aplicações do transistor de poder do Mosfet do canal de N:

 

Fonte de alimentação do interruptor, SMPS

Sistema a pilhas

Conversor de DC/DC

Conversor de DC/AC

Interruptor da carga

 

Marcação do pacote e informação pedindo

 

Identificação do produto Bloco Marcação Qty (PCS)
AP5N10SI SOT89-3 AP5N10SI YYWWWW 1000

 

Avaliações máximas da tabela 1.Absolute (Ta =25℃)

 

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VDS Tensão da Dreno-fonte (VGS=0V) 100 V
VGS Tensão da Porta-fonte (VDS=0V) ±25 V

 

D

Mim

Drene Atual-contínuo (o ℃ Tc=25) 5 A
Drene Atual-contínuo (o ℃ Tc=100) 3,1 A
IDM (pluse) Drene Current-Continuous@ Atual-pulsou (nota 1) 20 A
Paládio Dissipação de poder máxima 9,3 W
TJ, TSTG Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento -55 a 150
Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VDS Tensão da Dreno-fonte (VGS=0V) 100 V
VGS Tensão da Porta-fonte (VDS=0V) ±25 V

 

D

Mim

Drene Atual-contínuo (o ℃ Tc=25) 5 A
Drene Atual-contínuo (o ℃ Tc=100) 3,1 A
IDM (pluse) Drene Current-Continuous@ Atual-pulsou (nota 1) 20 A
Paládio Dissipação de poder máxima 9,3 W
TJ, TSTG Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento -55 a 150

 

Característica da tabela 2.Thermal

 

Símbolo Parâmetro Tipo Valor Unidade
R JA Resistência térmica, Junção-à-ambiental - 13,5 ℃/W

 

Características elétricas da tabela 3. (Ta =25℃unless notável de outra maneira)

 

Símbolo Parâmetro Circunstâncias Minuto Tipo Máximo Unidade
Estados de ligar/desligar          
BVDSS Tensão de divisão da Dreno-fonte VGS=0V ID=250μA 100     V
IDSS Corrente zero do dreno da tensão da porta VDS=100V, VGS=0V     100 μA
IGSS Corrente do escapamento do Porta-corpo VGS=±20V, VDS=0V     ±100 nA
VGS (th) Tensão do ponto inicial da porta VDS=VGS, μA ID=250 1 1,5 3 V

 

RDS (SOBRE)

 

Resistência do Em-estado da Dreno-fonte

VGS=10V, ID= 10A   110 125 m Ω
VGS=4.5V, ID=-5A   120 135 m Ω
Características dinâmicas
Ciss Capacidade da entrada

 

VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz

  690   PF
Coss Capacidade de saída   120   PF
Crss Capacidade reversa de transferência   90   PF
Tempos do interruptor
TD (sobre) Tempo de atraso de ligação     11   nS

r

t

Tempo de elevação de ligação   7,4   nS
TD (fora) Tempo de atraso da volta-Fora   35   nS

f

t

Tempo de queda da volta-Fora   9,1   nS
Qg Carga total da porta VDS=15V, ID=10A V GS=10V   15,5   nC
Qgs Carga da Porta-fonte   3,2   nC
Qgd Carga do Porta-dreno   4,7   nC
Características de diodo do Fonte-dreno
ISD Corrente do Fonte-dreno (diodo do corpo)       20 A
VSD Envia na tensão (nota 1) VGS=0V, IS=2A     0,8 V

 

Solda de Reflow:

 

A escolha do método de aquecimento pode ser influenciada pelo pacote plástico de QFP). Se o infravermelho ou o aquecimento da fase de vapor são usados e

o pacote não está absolutamente seco (menos de 0,1% índices de umidade por peso), vaporização da pequena quantidade de umidade

neles pode causar o rachamento do corpo plástico. O pré-aquecimento é necessário para secar a pasta e para evaporar o agente obrigatório. Duração do pré-aquecimento: 45 minutos em 45 °C.

 

A solda de Reflow exige a pasta da solda (uma suspensão de partículas finas da solda, de fluxo e de agente obrigatório) para ser aplicada à placa dos circuitos impressos a impressão, pela reprodução por meio de "stencil" ou pela pressão-seringa da tela dispensando antes da colocação do pacote. Diversos métodos existem reflowing; por exemplo, convecção ou convecção/aquecimento infravermelho em um tipo forno do transporte. Os tempos da taxa de transferência (pré-aquecimento, soldando e refrigerando) variam entre 100 e 200 segundos segundo o método de aquecimento.

 

Escala de temperaturas típica do pico do reflow de 215 ao °C 270 segundo o material da pasta da solda. A parte-superfície

temperatura dos pacotes se preferível ser mantido abaixo do °C 245 para densamente/grandes pacotes (pacotes com uma espessura

 

2,5 milímetros ou com um volume 350 milímetros

3

pacotes grossos/grandes assim chamados). A temperatura da parte-superfície dos pacotes deve

 

preferível seja mantido abaixo do °C 260 para pacotes finos/pequenos (pacotes com uma espessura < 2="">

 

Fase Circunstância Duração
1' Ram do st acima da taxa max3.0+/-2 /sec -
Pré-aqueça 150 ~200 segundo 60~180
2' Ram do nd acima max3.0+/-2 /sec -
Junção da solda 217 acima segundo 60~150
Temp máximo 260 +0/-5 segundo 20~40
Do Ram taxa para baixo 6 /sec máximo -

 

Solda da onda:

 

A única solda convencional da onda não é recomendada para os dispositivos de superfície (SMDs) da montagem ou as placas dos circuitos impressos com uma densidade componente alta, porque a construção de uma ponte sobre e a não-molhadela da solda podem apresentar problemas graves.

 

Solda do manual:

 

Fixe o componente primeiramente soldando duas ligações diagonal-opostas da extremidade. Use um ferro de solda da baixa tensão (24 V ou menos) aplicado à parte plana da ligação. O tempo do contato deve ser limitado a 10 segundos em até 300 °C. Ao usar uma ferramenta dedicada, todas ligações restantes podem ser soldadas em uma operação dentro de 2 a 5 segundos entre 270 e 320 °C.

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