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Transistor complementar original AP5N10LI dos transistor de poder/efeito de campo

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Transistor complementar original AP5N10LI dos transistor de poder/efeito de campo

Transistor complementar original AP5N10LI dos transistor de poder/efeito de campo
Transistor complementar original AP5N10LI dos transistor de poder/efeito de campo Transistor complementar original AP5N10LI dos transistor de poder/efeito de campo Transistor complementar original AP5N10LI dos transistor de poder/efeito de campo

Imagem Grande :  Transistor complementar original AP5N10LI dos transistor de poder/efeito de campo

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: AP5N10LI
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: negociação
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Transistor complementar original AP5N10LI dos transistor de poder/efeito de campo

descrição
Nome do produto: Transistor de poder complementares modelo: AP5N10LI
Marcação: MA6S Bloco: SOT23
Tensão da VDSDrain-fonte: 100V Tensão do rce de VGSGate-Sou: ±20A
Realçar:

transistor do mosfet do canal de n

,

transistor de alta tensão

Transistor complementar original AP5N10LI dos transistor de poder/efeito de campo

 

Descrição complementar dos transistor de poder

 

O AP5N10LI usa tecnologia avançada da trincheira para fornecer R excelente DS (SOBRE), baixas carga da porta e operação com as tensões da porta tão baixas quanto 4.5V. Este dispositivo é apropriado para o uso como uma proteção da bateria ou na outra aplicação do interruptor.

 

Características complementares dos transistor de poder

 

VDS= 100V MIM D = 5A

 

RDS (SOBRE) < 140m="">

Proteção da bateria

 

Interruptor da carga

Fonte de alimentação ininterrupta

 

Marcação do pacote e informação pedindo

 

Identificação do produto Bloco Marcação Qty (PCS)
AP5N10LI SOT23-6 MA6S 3000

 

Avaliações máximas absolutas em Tj=25℃ salvo disposição em contrário

 

Parâmetro Símbolo Valor Unidade
Drene a tensão da fonte VDS 100 V
Tensão de fonte de porta VGS ±20 V
Corrente contínua do dreno, ℃ TC=25 Identificação 5 A
Corrente pulsada do dreno, ℃ do TC =25 Identificação, pulso 15 A
Dissipação de poder, ℃ de T C=25

P

D

17 W
Escolha a energia pulsada da avalancha 5) EAS 1,2 mJ
Temperatura da operação e de armazenamento Tstg, Tj -55 a 150
Resistência térmica, junção-caso RθJC 7,4 ℃/W
Resistência térmica, junction-ambient4) RθJA 62 ℃/W

 

Características elétricas no ℃ do MOSFET j=25 do modo do realce do N-canal de T AP5N10LI 100V salvo disposição em contrário

 

Símbolo Parâmetro Condição de teste Mínimo. Tipo. Máximo. Unidade
BVDSS tensão de divisão da Dreno-fonte V =0 V, μA ID=250 100     V
VGS (th) Tensão do ponto inicial da porta V =V, μA ID=250 1,2 1,5 2,5 V
RDS (SOBRE) resistência do em-estado da Dreno-fonte VGS=10 V, ID=5 A   110 140
RDS (SOBRE) resistência do em-estado da Dreno-fonte V =4.5 V, ID=3 A   160 180

 

IGSS

 

corrente do escapamento da Porta-fonte

V =20 V     100

 

nA

V =-20 V     -100
IDSS corrente do escapamento da Dreno-fonte VDS=100 V, VGS=0 V     1 A
Ciss Capacidade da entrada V =0 V,   206,1   PF
Coss Capacidade de saída   28,9   PF
Crss Capacidade reversa de transferência   1,4   PF
TD (sobre) Tempo de atraso de ligação

VGS=10 V,

VDS=50 V,

  14,7   ns
tr Tempo de elevação   3,5   ns
TD (fora) Tempo de atraso da volta-fora   20,9   ns

t

f

Tempo de queda   2,7   ns
Qg Carga total da porta     4,3   nC
Qgs carga da Porta-fonte   1,5   nC
Qgd carga do Porta-dreno   1,1   nC
Vplateau Tensão do platô da porta   5,0   V
É O diodo envia a corrente

 

VGS

    7

 

A

ISP Corrente de fonte pulsada     21
VSD Tensão dianteira do diodo IS=7 A, VGS=0 V     1,0 V

t

rr

Tempo de recuperação reversa     32,1   ns
Qrr Carga reversa da recuperação   39,4   nC
Irrm Corrente de recuperação reversa máxima   2,1   A
Símbolo Parâmetro Condição de teste Mínimo. Tipo. Máximo. Unidade
BVDSS tensão de divisão da Dreno-fonte V =0 V, μA ID=250 100     V
VGS (th) Tensão do ponto inicial da porta V =V, μA ID=250 1,2 1,5 2,5 V
RDS (SOBRE) resistência do em-estado da Dreno-fonte VGS=10 V, ID=5 A   110 140
RDS (SOBRE) resistência do em-estado da Dreno-fonte V =4.5 V, ID=3 A   160 180

 

IGSS

 

corrente do escapamento da Porta-fonte

V =20 V     100

 

nA

V =-20 V     -100
IDSS corrente do escapamento da Dreno-fonte VDS=100 V, VGS=0 V     1 A
Ciss Capacidade da entrada V =0 V,   206,1   PF
Coss Capacidade de saída   28,9   PF
Crss Capacidade reversa de transferência   1,4   PF
TD (sobre) Tempo de atraso de ligação

VGS=10 V,

VDS=50 V,

  14,7   ns
tr Tempo de elevação   3,5   ns
TD (fora) Tempo de atraso da volta-fora   20,9   ns

t

f

Tempo de queda   2,7   ns
Qg Carga total da porta     4,3   nC
Qgs carga da Porta-fonte   1,5   nC
Qgd carga do Porta-dreno   1,1   nC
Vplateau Tensão do platô da porta   5,0   V
É O diodo envia a corrente

 

VGS

    7

 

A

ISP Corrente de fonte pulsada     21
VSD Tensão dianteira do diodo IS=7 A, VGS=0 V     1,0 V

t

rr

Tempo de recuperação reversa     32,1   ns
Qrr Carga reversa da recuperação   39,4   nC
Irrm Corrente de recuperação reversa máxima   2,1   A

 

Nota

 

1) Corrente contínua calculada baseada no máximo - temperatura de junção permissível.

2) Avaliação repetitiva; largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.

3) O paládio é baseado na temperatura de junção máxima, usando a resistência térmica do junção-caso.

4) O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado em 1 na placa 2 FR-4 com 2oz. Revista, em um ambiente de ar imóvel com T um =25 °C. 5) VDD=50 V, RG=50 Ω, L=0.3 mH, começando Tj=25 °C.

 

Transistor complementar original AP5N10LI dos transistor de poder/efeito de campo 0

Atenção

 

1, algum e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto não tem as especificações que podem segurar as aplicações que exigem extremamente níveis elevados de confiança, tais como sistemas de manutenção das funções vitais, sistemas de controlo de avião, ou outras aplicações cuja a falha pode razoavelmente ser esperada conduzir a dano físico e/ou material sério. Consulte-o com seu mais próximo representativo da microeletrônica de APM antes de usar algum produto da microeletrônica de APM descrito ou contido nisto em tais aplicações.

2, microeletrônica de APM não supõem nenhuma responsabilidade para as falhas de equipamento que resultam de usar produtos nos valores que excedem, mesmo momentaneamente, os valores avaliados (tais como avaliações máximas, escalas da condição operacional, ou outros parâmetros) alistados em especificações de produtos de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto.

3, especificações de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descreveram ou contiveram aqui o instipulate o desempenho, as características, e as funções dos produtos descritos no estado independente, e não são garantias do desempenho, das características, e das funções dos produtos descritos como montado nos produtos ou no equipamento do cliente. Para verificar os sintomas e os estados que não podem ser avaliados em um dispositivo independente, o cliente deve sempre avaliar e testar os dispositivos montados nos produtos ou no equipamento do cliente.

4, semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD. esforçam-se para fornecer os produtos altos de alta qualidade da confiança. Contudo, alguns e todos os produtos de semicondutor falham com alguma probabilidade. É possível que estas falhas probabilísticas poderiam causar os acidentes ou os eventos que poderiam pôr em perigo as vidas humanas que poderiam causar o fumo ou o fogo, ou que poderiam causar dano à outra propriedade. O equipamento de Whendesigning, adota medidas de segurança de modo que estes tipos dos acidentes ou dos eventos não possam ocorrer. Tais medidas incluem mas não são limitadas aos circuitos protetores e aos circuitos da prevenção de erro para o projeto seguro, o projeto redundante, e o projeto estrutural.

5, caso exister ou todos os produtos da microeletrônica de APM (que incluem dados, serviços técnicos) descritos ou contidos nisto forem controlados sob alguns de leis e de regulamentos aplicáveis de controlo de exportações locais, tais produtos não devem ser exportados sem obter a licença de exportação das autoridades referidas de acordo com a lei acima.

6, nenhuma parte desta publicação podem ser reproduzidos ou transmitido em todo o formulário ou por qualquer meio, eletrônico ou mecânico, incluindo a fotocópia e a gravação, ou o qualquer sistema de armazenamento ou de recuperação de informação, ou de outra maneira, sem a autorização escrita prévia do semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD.

7, informação (incluindo esquemas de circuito e parâmetros do circuito) são nisto por exemplo somente; não se garante para a produção de volume. A microeletrônica de APM acredita que a informação nisto é exata e segura, mas nenhuma garantia está feita ou implicada em relação a seu uso ou a todas as infrações dos direitos de propriedade intelectual ou dos outros direitos de terceiros.

, Alguns e toda a informação descritos ou contidos nisto são sujeitos mudar sem aviso prévio devido ao produto/melhoria da tecnologia, etc. Ao projetar o equipamento, refira da “a especificação entrega” para o produto da microeletrônica de APM que você pretende usar.

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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