Casa Produtostransistor de poder do mosfet

Carga RoHS da porta do transistor de poder do Mosfet do elevado desempenho baixa complacente

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
Revisões do cliente
nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

—— -- Jason de Canadá

Sob a recomendação de meu amigo, nós sabemos sobre Hua Xuan Yang, um perito superior no semicondutor e na indústria dos componentes eletrônicos, que nos permitiu de reduzir nosso tempo precioso e não tem que arriscar a tentativa outras fábricas.

—— -- Виктор de Rússia

Estou Chat Online Agora

Carga RoHS da porta do transistor de poder do Mosfet do elevado desempenho baixa complacente

Carga RoHS da porta do transistor de poder do Mosfet do elevado desempenho baixa complacente
Carga RoHS da porta do transistor de poder do Mosfet do elevado desempenho baixa complacente

Imagem Grande :  Carga RoHS da porta do transistor de poder do Mosfet do elevado desempenho baixa complacente

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: AOD454A
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: negociação
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Carga RoHS da porta do transistor de poder do Mosfet do elevado desempenho baixa complacente

descrição
Nome do produto: transistor de poder do mosfet modelo: AOD454A
V DS (V): = 40V MIM D: = 20A (V GS = 10V)
R DS (SOBRE) < 30mΩ: (V GS = 10V) R DS (SOBRE) < 40mΩ: (V GS = 4.5V)
Realçar:

transistor do mosfet do canal de n

,

transistor de alta tensão

AOD454A
Transistor de efeito de campo do modo do realce do N-canal

 

Descrição geral

 

A tecnologia avançada da trincheira dos usos de AOD454A e
projete fornecer R excelente DS (SOBRE) a baixa porta
carga. Com a resistência térmica excelente do
O pacote de DPAK, este dispositivo é poço - serido para a elevação
aplicações atuais da carga.
- RoHS complacente
- Halogênio Free*

 

Parâmetros

 

Número da peça

Estado

Pacote

Polaridade

VDS (v)

VGS (±V)

Identificação (a)

PALÁDIO (W)

† do RDS (SOBRE) (mΩ máximo) em VGS=

VGS (th)
(V) máximo

Ciss
(PF)

Coss
(PF)

Crss
(PF)

Qg*
(nC)

Qgd
(nC)

TD (sobre)
(ns)

TD (fora)
(ns)

Trr
(ns)

Qrr
(nC)

25°C

25°C

10V

4.5V

2.5V

1.8V

AOD240

Produção completa

TO-252

N

40

20

70

150

3

3,9

 

 

2,2

3510

1070

68

22

7

11

38

21

58

AOD403

Não para projetos novos

TO-252

P

-30

25

-70

90

8

 

 

 

-3,5

2890

585

470

51*

16

16

45

18

11

AOD407

Produção completa

TO-252

P

-60

20

-12

50

115

150

 

 

-3

987

114

46

7,4

3,5

9

25

27,5

30

AOD418

Produção completa

TO-252

N

30

20

36

50

7,5

11

 

 

2,5

1150

180

105

9,5

5

6,5

17

8,7

13,5

AOD423

Não para projetos novos

TO-252

P

-30

25

-70

90

8

 

 

 

-3,5

2760

550

375

45*

12

13

35

15

30

AOD424

Produção completa

TO-252

N

20

12

45

100

4,4

5,7

 

 

1,6

3860

740

580

36

12

7

70

17

36

AOD424G

Produção completa

TO-252

N

20

12

46

50

 

4,9

6,3

 

1,25

3300

485

370

31

8

 

 

17

30

AOD442

Não para projetos novos

TO-252

N

60

20

38

60

20

25

 

 

3

1920

155

116

24,2

14,4

7,4

28,2

3

46

AOD442G

Produção completa

TO-252

N

60

20

40

60

18

23

 

 

2,7

1920

155

115

24

14,5

 

 

30

105

AOD444

Produção completa

TO-252

N

60

20

12

20

60

85

 

 

3

450

61

27

3,8

1,9

4,2

16

27

30

AOD454A

Não para projetos novos

TO-252

N

40

20

20

37

30

40

 

 

3

516

82

43

8,3

1,6

6,4

16,2

18

10

AOD464

Produção completa

TO-252

N

105

25

40

100

28

31*

 

 

4

2038

204

85

38.5*

10

12,7

31,5

59,6

161

AOD478

Produção completa

TO-252

N

100

20

11

45

140

152

 

 

2,8

445

29

16

5,1

2,4

8

17

21

97

AOD480

Não para projetos novos

TO-252

N

30

20

25

21

23

33

 

 

2,6

373

67

41

3,5

1,6

4,3

15,8

10,5

4,5

AOD482

Produção completa

TO-252

N

100

20

32

100

37

42

 

 

2,7

1630

100

50

18

9

7

29

32

200

AOD486A

Não para projetos novos

TO-252

N

40

20

50

50

9,8

13

 

 

3

1600

320

100

10,5

4,8

6,5

33

31

33

AOD508

Produção completa

TO-252

N

30

20

70

50

3

4,5

 

 

2,2

2010

898

124

17

8

7,5

37

14

20,3

AOD514

Não para projetos novos

TO-252

N

30

20

46

50

5,9

11,9

 

 

2,4

1187

483

60

8,8

3,6

7,3

21,8

14,7

24

AOD516

Não para projetos novos

TO-252

N

30

20

46

50

5

10

 

 

2,6

1333

512

42

8,5

2,5

7,5

23,3

14,1

16,2

AOD536

Produção completa

TO-252

N

30

20

46

37,5

8,5

14,7

 

 

2,2

1140

400

45

6,5

2,5

7

18,5

12

20

AOD538

Produção completa

TO-252

N

30

20

70

93

3,1

4,8

 

 

3,1

2160

915

115

14

6,3

8

29

16,5

34,2

AOD558

Produção completa

TO-252

N

30

20

50

50

5,4

9,5

 

 

2,4

1187

483

60

4,1

3,6

 

 

14,7

24

AOD2144

Produção completa

TO-252

N

40

20

120

156

2,3

4

 

 

2,4

5225

895

55

28

4,5

 

 

20

60

AOD2146

Produção completa

TO-252

N

40

20

54

100

3,1

4,2

 

 

2,5

3830

630

45

20

3

 

 

18,5

50

AOD2606

Produção completa

TO-252

N

60

20

46

150

6,8

 

 

 

3,5

4050

345

16,8

22

5

18

33

26

125

AOD2610E

Produção completa

TO-252

N

60

20

46

59,5

9,5

13,3

 

 

2,4

1100

300

28

7

3,5

 

 

19

65

AOD2910

Produção completa

TO-252

N

100

20

31

53,5

24

33

 

 

2,7

1190

95

7

7

2,5

7

20

30

145

AOD2910E

Produção completa

TO-252

N

100

20

37

71,5

23

33

 

 

2,7

1200

93

6,3

8

2,5

7

20

25

120

AOD2916

Produção completa

TO-252

N

100

20

25

50

34

43,5

 

 

2,7

870

68

3,5

5,5

2

7,5

23

20

88

AOD2922

Produção completa

TO-252

N

100

20

7

17

140

176

 

 

2,7

250

19

2,5

1,8

0,8

5

19

19

52

AOD21357

Novo

TO-252

P

-30

25

-70

78

8

13

 

 

-2,3

2830

430

365

35

12

12,5

125

32

62

AOD4126

Produção completa

TO-252

N

100

25

43

100

24

30*

 

 

4

1770

165

55

28*

10

12

17

20

82

AOD4130

Não para projetos novos

TO-252

N

60

20

30

52

24

30

 

 

2,8

1582

100

67

13,4

7,2

7,5

33

22

76

AOD4132

Produção completa

TO-252

N

30

20

85

100

4

6

 

 

3

3700

700

390

33

17,6

12

40

34

30

AOD4184A

Não para projetos novos

TO-252

N

40

20

50

50

7

9,5

 

 

2,6

1500

215

135

14

6

6

30

29

26

AOD4185

Produção completa

TO-252

P

-40

20

-40

62,5

15

20

 

 

-3

2550

280

190

18,6

8,6

9,4

55

38

47

AOD4186

Não para projetos novos

TO-252

N

40

20

35

50

15

19

 

 

2,7

980

130

80

9

4,5

6

26

12

31

AOD4189

Produção completa

TO-252

P

-40

20

-40

62,5

22

29

 

 

-3

1870

185

155

7,9

6,2

10

38

32

30

AOD4286

Produção completa

TO-252

N

100

20

14

30

68

92

 

 

2,9

390

30

3

2,8

1,2

6

18

15

53

AOD66406

Produção completa

TO-252

N

40

20

60

52

6,1

9,4

 

 

2,5

1480

245

13

8,5

3

 

 

11

21

AOD66616

Novo

TO-252

N

60

20

70

113

3,7

 

 

 

3,4

2870

940

38

42.5*

10

14,5

33

26

87

 

  1. O valor do θJA de R é medido com o dispositivo montado em 1in a placa 2 FR-4 com 2oz. Revista, em um ambiente de ar imóvel com T A =25°C. a dissipação de poder P DSM é baseada no θJA de R e a temperatura de junção reservada máximo de 150°C. o valor em toda a aplicação dada depende do projeto específico da placa do usuário, e a temperatura máxima de 175°C pode ser usada se o PWB a permite.
  2. A dissipação de poder P D é baseada em T J (max) =175°C, usando a resistência térmica do junção-à-caso, e é mais útil em ajustar o limite do upperdissipation para os casos onde heatsinking adicional é usado.
  3. A avaliação repetitiva, largura de pulso limitada por avaliações da temperatura de junção T J (max) =175°C. é baseada em de baixa frequência e em tempos de utilização para manter T inicial J =25°C.
  4. O θJA de R é a soma da impedância térmica da junção para encaixotar o θJC e a caixa de R a ambiental.
  5. As características estáticas em figuras 1 6 são utilização obtida <300>
  6. Estas curvas são baseadas na impedância térmica do junção-à-caso que é medida com o dispositivo montado a um grande dissipador de calor, supondo que uma temperatura de junção máxima de T J (max) =175°C. a curva de SOA fornece uma única avaliação do pulso.
  7. A avaliação atual máxima é pacote limitado.
  8. Estes testes são executados com o dispositivo montado em 1 na placa 2 FR-4 com 2oz. Revista, em um ambiente de ar imóvel com T A =25°C.

 

este produto foi projetado e qualificado para o mercado de consumidores. aplicações ou usos como crítico
os componentes em dispositivos ou em sistemas da manutenção das funções vitais não são autorizados. o aos não supõe nenhuma responsabilidade que levanta-se
fora de tais aplicações ou usos de seus produtos. o aos reserva o direito de melhorar o projeto de produto,
funções e confiança sem aviso prévio.

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS

 


Carga RoHS da porta do transistor de poder do Mosfet do elevado desempenho baixa complacente 0

Carga RoHS da porta do transistor de poder do Mosfet do elevado desempenho baixa complacente 1

Carga RoHS da porta do transistor de poder do Mosfet do elevado desempenho baixa complacente 2

 

 

 

Circuito & forma de onda do teste da carga da porta

 

Carga RoHS da porta do transistor de poder do Mosfet do elevado desempenho baixa complacente 3

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

Envie sua pergunta diretamente para nós (0 / 3000)

Deixe um recado

Ligaremos para você em breve!