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Baixo transistor de poder do Mosfet da carga da porta para a gestão de sistemas do inversor

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Revisões do cliente
nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

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Baixo transistor de poder do Mosfet da carga da porta para a gestão de sistemas do inversor

Baixo transistor de poder do Mosfet da carga da porta para a gestão de sistemas do inversor
Baixo transistor de poder do Mosfet da carga da porta para a gestão de sistemas do inversor

Imagem Grande :  Baixo transistor de poder do Mosfet da carga da porta para a gestão de sistemas do inversor

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: 4306W-A
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: negociação
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Baixo transistor de poder do Mosfet da carga da porta para a gestão de sistemas do inversor

descrição
Nome do produto: transistor de poder do mosfet Número do modelo: 4306W-A
Poder: 60V/230A R DS (SOBRE) =  de m (tipo.): @ V GS =10V
Matéria: Baixa carga da porta Aplicação: Switching
Realçar:

transistor do mosfet do canal de n

,

transistor de alta tensão

Baixo transistor de poder do Mosfet da carga da porta para a gestão de sistemas do inversor

 

Que é um transistor de poder do Mosfet?

 

Um MOSFET do poder é um tipo especial de transistor de efeito de campo do semicondutor de óxido de metal. É projetado especialmente segurar poderes de nível elevado. Os MOSFET do poder são construídos em uma configuração de V. Consequentemente, é chamada igualmente como V-MOSFET, VFET. Os símbolos do MOSFET do poder do canal do n & do canal do p são mostrados na figura abaixo.

 

Descrição do transistor de poder do Mosfet

 

60V/230A
R DS (SOBRE) =  de m (tipo.) @ V GS =10V
Reliableand áspero
Ligação FreeandGreenDevicesAvailable
(RoHSCompliant)

 

Aplicações do transistor de poder do Mosfet

 

Aplicação do interruptor

Gestão do poder para sistemas do inversor.

 

Informação pedindo e de marcação

 

Nota: Os produtos sem chumbo de HUAYI contêm compostos do molde/morrem materiais do anexo e placa de lata Termi- do resíduo metálico de 100%
Revestimento da nação; quais são inteiramente complacentes com RoHS. Os produtos sem chumbo de HUAYI encontram ou excedem o sem chumbo exigem
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para a classificação de MSL na temperatura máxima sem chumbo do reflow. HUAYI define
“Verde” para significar sem chumbo (RoHS complacente) e o halogênio livre (o Br ou o Cl não excedem 900ppm por peso dentro
o material e o total homogêneos de Br e de Cl não excedem 1500ppm por peso).
HUAYI reserva o direito de fazer mudanças, correções, realces, alterações, e melhorias a este PR
oduct e/ou a este documento a qualquer hora sem aviso prévio.

 

Avaliações máximas absolutas

 

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Características de funcionamento típicas

 

Baixo transistor de poder do Mosfet da carga da porta para a gestão de sistemas do inversor 1

 

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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