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Transistor do Mosfet do canal do transistor de poder do Mosfet do modo do realce/N

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Revisões do cliente
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Transistor do Mosfet do canal do transistor de poder do Mosfet do modo do realce/N

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Imagem Grande :  Transistor do Mosfet do canal do transistor de poder do Mosfet do modo do realce/N

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: G120P06LR1D
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: negociação
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Transistor do Mosfet do canal do transistor de poder do Mosfet do modo do realce/N

descrição
Nome do produto: transistor de poder do mosfet V tensão da Dreno-fonte do DSS: -60 V
V tensão da Porta-fonte de GSS: ±20 V Temperatura de junção máxima de T J: 175°C
Variação da temperatura do armazenamento de T STG: °C -55 a 175 Mim fonte de S Atual-contínua (diodo do corpo): -55A
Realçar:

interruptor do mosfet da lógica

,

motorista do mosfet que usa o transistor

Transistor do Mosfet do canal do transistor de poder do Mosfet do modo do realce/N

 

Introdução do transistor de poder do Mosfet

 

A tecnologia do MOSFET é ideal para o uso em muitas aplicações do poder, onde o baixo interruptor na resistência permite níveis elevados de eficiência de ser alcançado.

Há um número de variedades diferentes de MOSFET do poder disponíveis dos fabricantes diferentes, de cada um com suas próprias características e das capacidades.

Muitos MOSFETs do poder incorporam uma topologia vertical da estrutura. Isto permite o interruptor atual alto com eficiência elevada dentro de um relativamente pequeno morre área. Igualmente permite o dispositivo de apoiar o interruptor da alta atual e tensão.

 

Característica do transistor de poder do Mosfet

 

-60V/-55A
R DS (SOBRE) = 12.5mΩ (tipo.) @ V GS = -10V
R DS (SOBRE) = 18mΩ (tipo.) @ V GS = -4.5V
100%avalanche testado
Seguro e áspero
Halogênio livre e DevicesAvailable verde
(RoHSCompliant)

 

Aplicações do transistor de poder do Mosfet

 

Gestão do poder no conversor de DC/DC.

Interruptor da carga.

Controlo do motor.

 

Informação pedindo e de marcação

 

D U V

G120P06L G120P06L G120P06L

 

Código do pacote

 

D: TO-252-2L U: TO-251-3L
V: TO-251-3S

 

Código da data

 

Nota: Os produtos sem chumbo de HUAYI contêm compostos do molde/morrem materiais do anexo e plateTermi- da lata do resíduo metálico de 100%
Revestimento da nação; quais são inteiramente complacentes com RoHS. Os produtos sem chumbo de HUAYI encontram ou excedem o sem chumbo exigem
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para a classificação de MSL na temperatura máxima sem chumbo do reflow. HUAYI define o “verde”
para significar sem chumbo (RoHS complacente) e o halogênio livre (o Br ou o Cl não excedem 900ppm por peso em homogêneo
material e total do Br e do Cl não excede 1500ppm por peso).
HUAYI reserva o direito de fazer mudanças, correções, realces, alterações, e melhorias a este PR
- oduct e/ou a este documento a qualquer hora sem aviso prévio.

 

Avaliações máximas absolutas

 

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Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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