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Detalhes do produto:
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| Nome do produto: | transistor de poder superior | V tensão da Dreno-fonte do DSS: | 40 V |
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| V tensão da Porta-fonte de GSS: | ±20 V | Temperatura de junção máxima de T J: | °C -55 a 175 |
| Variação da temperatura do armazenamento de T STG: | °C -55 a 175 | Mim fonte de S Atual-contínua (diodo do corpo): | 150A |
| Realçar: | interruptor do mosfet da lógica,motorista do mosfet que usa o transistor |
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transistor de poder superior 150A, transistor de efeito de campo do MOS do canal de 40V N
Aplicações do transistor de poder superior
A tecnologia do poder MOSEFET é aplicável a muitos tipos de circuito. As aplicações incluem:
Característica do transistor de poder superior
40V/150A
R DS (SOBRE) = (tipo.) @V 2.4mΩ GS = 10V
R DS (SOBRE) = (tipo.) @V 4.2mΩ GS = 4.5V
Avalancha 100% testada
Seguro e áspero
Halogênio livre e dispositivos verdes disponíveis
(RoHS complacente)
Informação pedindo e de marcação
D U V
G023N04 G023N04 G023N04
Código do pacote
D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S
Código da data
Nota: Os produtos sem chumbo de HUAYI contêm compostos do molde/morrem materiais do anexo e plateTermi- da lata do resíduo metálico de 100%
Revestimento da nação; quais são inteiramente complacentes com RoHS. Os produtos sem chumbo de HUAYI encontram ou excedem o sem chumbo exigem
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para a classificação de MSL na temperatura máxima sem chumbo do reflow. HUAYI define o “verde”
para significar sem chumbo (RoHS complacente) e o halogênio livre (o Br ou o Cl não excedem 900ppm por peso em homogêneo
material e total do Br e do Cl não excede 1500ppm por peso).
HUAYI reserva o direito de fazer mudanças, correções, realces, alterações, e melhorias a este PR
- oduct e/ou a este documento a qualquer hora sem aviso prévio.
Avaliações máximas absolutas
Pessoa de Contato: David
