Detalhes do produto:
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Nome do produto: | N datilografa o transistor | V tensão da Dreno-fonte do DSS: | -30 V |
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V tensão da Porta-fonte de GSS: | ±20 V | Temperatura de junção máxima de T J: | °C 150 |
Variação da temperatura do armazenamento de T STG: | °C -55 a 150 | Mim fonte de S Atual-contínua (diodo do corpo): | -90 A |
Realçar: | interruptor do mosfet da lógica,motorista do mosfet que usa o transistor |
P canaliza o tipo transistor de N, Mosfet de alta tensão do poder de 19P03 D-U-V
N datilografa a introdução do transistor
Um MOSFET do poder é um tipo especial de transistor de efeito de campo do semicondutor de óxido de metal. É projetado especialmente segurar poderes de nível elevado. Os MOSFET do poder são construídos em uma configuração de V. Consequentemente, é chamada igualmente como V-MOSFET, VFET. Os símbolos do MOSFET do poder do canal do n & do canal do p são mostrados na figura abaixo.
N datilografa a característica do transistor
-30V/-90A
R DS (SOBRE) = 4.8mΩ (tipo.) @V GS = 10V
R DS (SOBRE) = 6.5mΩ (tipo.) @V GS = 4.5V
avalancha 100% testada
Seguro e áspero
Dispositivos sem chumbo e verdes
Disponível (RoHS complacente)
N datilografa aplicações do transistor
Aplicação do interruptor
Gestão do poder para sistemas do inversor.
Informação pedindo e de marcação
D U V
19P03 19P03 19P03
YYXXXJWW G YYXXXJWW G YYXXXJWW G
Código do pacote
D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S
Material do conjunto do código da data
YYXXX WW G: O halogênio livra
Nota: Os produtos sem chumbo de HUAYI contêm compostos do molde/morrem materiais do anexo e placa de lata do resíduo metálico de 100%
Revestimento da terminação; quais são inteiramente complacentes com RoHS. Os produtos sem chumbo de HUAYI encontram ou excedem a ligação
Exigências livres de IPC/JEDEC J-STD-020 para a classificação de MSL na temperatura máxima sem chumbo do reflow.
HUAYI define o “verde” para significar sem chumbo (RoHS complacente) e o halogênio livre (o Br ou o Cl não excedem
900ppm por peso no material e no total homogêneos de Br e de Cl não excede 1500ppm por peso).
HUAYI reserva o direito de fazer mudanças, correções, realces, alterações, e improveme nts a
este produto e/ou a este documento a qualquer hora sem aviso prévio.
Avaliações máximas absolutas
Nota: * avaliação repetitiva; largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
** Superfície montada na placa FR-4.
*** Limitado por T J máximo, começando T J =25°C, L = 0.3mH, R G = 25Ω, V GS =10V.
Características elétricas (Tc =25°C salvo disposição em contrário)
Características elétricas (Cont.) (Tc =25°C salvo disposição em contrário)
Nota: teste do *Pulse; ≤ 300us da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever
Pessoa de Contato: David