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V transistor de efeito de campo N do MOS das configurações/modo do realce canal de P

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Revisões do cliente
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V transistor de efeito de campo N do MOS das configurações/modo do realce canal de P

V transistor de efeito de campo N do MOS das configurações/modo do realce canal de P
V transistor de efeito de campo N do MOS das configurações/modo do realce canal de P

Imagem Grande :  V transistor de efeito de campo N do MOS das configurações/modo do realce canal de P

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: 10P10 D-U
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

V transistor de efeito de campo N do MOS das configurações/modo do realce canal de P

descrição
Nome do produto: Transistor de efeito de campo do MOS V tensão da Dreno-fonte do DSS: -100 V
V tensão da Porta-fonte de GSS: ±20 V Temperatura de junção máxima de T J: °C 175
Variação da temperatura do armazenamento de T STG: °C -55 a 175 Tipo: V configurações
Realçar:

interruptor do mosfet da lógica

,

motorista do mosfet que usa o transistor

V transistor de efeito de campo N do MOS das configurações/modo do realce canal de P

 

Introdução do transistor de efeito de campo do MOS

 

A tecnologia do MOSFET é ideal para o uso em muitas aplicações do poder, onde o baixo interruptor na resistência permite níveis elevados de eficiência de ser alcançado.

Há um número de variedades diferentes de MOSFET do poder disponíveis dos fabricantes diferentes, de cada um com suas próprias características e das capacidades.

Muitos MOSFETs do poder incorporam uma topologia vertical da estrutura. Isto permite o interruptor atual alto com eficiência elevada dentro de um relativamente pequeno morre área. Igualmente permite o dispositivo de apoiar o interruptor da alta atual e tensão.

 

Descrição do Pin da característica do transistor de efeito de campo do MOS


-100V/-10A
R DS (SOBRE) = (tipo.) @V 187mΩ GS = -10V
R DS (SOBRE) = (tipo.) @V 208mΩ GS = -4.5V
100%Avalanche testado
Seguro e áspero
Halogênio livre e DevicesAvailable verde
(RoHSCompliant)

 

Aplicações do transistor de efeito de campo do MOS


Gestão do poder para sistemas do inversor

 

Informação pedindo e de marcação


Código do pacote


D: TO-252-2L U: TO-251-3L
Material do conjunto do código da data
YYXXX WW G: O halogênio livra


Nota: Os produtos sem chumbo de HUAYI contêm compostos do molde/morrem materiais do anexo e plateTermi- da lata do resíduo metálico de 100%
Revestimento da nação; quais são inteiramente complacentes com RoHS. Os produtos sem chumbo de HUAYI encontram ou excedem o sem chumbo exigem
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para a classificação de MSL na temperatura máxima sem chumbo do reflow. HUAYI define o “verde”
para significar sem chumbo (RoHS complacente) e o halogênio livre (o Br ou o Cl não excedem 900ppm por peso em homogêneo
material e total do Br e do Cl não excede 1500ppm por peso).
HUAYI reserva o direito de fazer mudanças, correções, realces, alterações, e melhorias a este PR
- oduct e/ou a este documento a qualquer hora sem aviso prévio

 

Avaliações máximas absolutas

 

V transistor de efeito de campo N do MOS das configurações/modo do realce canal de P 0

Nota: * avaliação repetitiva; largura de pulso limitada pela temperatura de max.junction.
** Limitado por T J máximo, começando T J =25°C, L = 0.5mH, VD=-80V, V GS =-10V.

 

Características elétricas (Tc =25°C UnlessOtherwiseNoted)

 

V transistor de efeito de campo N do MOS das configurações/modo do realce canal de P 1

Características elétricas (Cont.) (Tc =25°C UnlessOtherwiseNoted)

 

V transistor de efeito de campo N do MOS das configurações/modo do realce canal de P 2

Nota: teste do *Pulse, pulsewidth≤ 300us, dutycycle≤ 2%

 

V transistor de efeito de campo N do MOS das configurações/modo do realce canal de P 3

 

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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