Detalhes do produto:
|
Nome do produto: | transistor de poder do mosfet | Características: | Pacote de superfície da montagem |
---|---|---|---|
Número do modelo: | 60P03D TO-252 | tensão da Dreno-fonte: | -30 V |
Tensão da Porta-Fonte: | ±20 V | Aplicações: | Conversor de DC/DC para a exposição do LCD |
Realçar: | transistor do mosfet do canal de n,transistor de alta tensão |
P canaliza o transistor de poder 60P03D do Mosfet do modo do realce TO-252 30V
DESCRIÇÃO do transistor de poder do Mosfet
A tecnologia avançada da trincheira dos usos de AP60P03D
e projeto para fornecer R excelente DS (SOBRE) o ponto baixo
carga da porta. Thisdevice é poço - serido
para aplicações atuais altas da carga.
GENERAL CARACTERÍSTICAS do transistor de poder do Mosfet
V DS =-30V, I D =-60A
Projeto high-density da pilha de R DS <15m>
(SOBRE) R DS <20m>
(SOBRE) para Rdson ultra baixo
Tensão e corrente inteiramente caracterizadas de avalancha
Boas estabilidade e uniformidade com E alto COMO
Pacote excelente para a boa dissipação de calor
Aplicação do transistor de poder do Mosfet
Interruptor lateral alto para o conversor completo da ponte
Conversor de DC/DC para a exposição do LCD
Marcação do pacote e informação pedindo
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TA=25℃unless notáveis de outra maneira)
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TA=25℃unless notável de outra maneira)
NOTAS:
1. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
2. superfície montada em 1in 2 FR4 placa, segundo do ≤ 10 de t.
3. teste do pulso: ≤ 300μs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever. 4. garantido pelo projeto, não sujeito aos testes de produção.
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS
Informação do pacote DFN5X6-8
Pessoa de Contato: David