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Detalhes do produto:
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| Nome do produto: | transistor de poder superior | Características: | Alta potência |
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| Número do modelo: | 30P06D TO-252 | tensão da Dreno-fonte: | -60 V |
| Tensão da Porta-Fonte: | ±20 V | O outro nome: | Transistor de efeito de campo |
| Realçar: | transistor do mosfet do canal de n,transistor de alta tensão |
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Transistor de poder superior de 30P06D TO-252, transistor de efeito de campo feito sob encomenda
DESCRIÇÃO do transistor de poder superior
A trincheira avançada dos usos 30P06D
tecnologia para fornecer R excelente DS (SOBRE)
e baixa carga da porta. Este dispositivo é
apropriado para o uso como um interruptor da carga ou dentro
Aplicações de PWM.
GENERAL CARACTERÍSTICAS do transistor de poder superior
V DS = - 60V, I D =-30A
R do poder superior do DS (SOBRE < 40m="">
) R DS (SOBRE < 55m="">
) e capacidade entregando atual
O produto sem chumbo é adquirido
Pacote de superfície da montagem
Aplicação do transistor de poder superior
Aplicações de PWM
Gestão do poder
Marcação do pacote e informação pedindo
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TA=25℃unless notáveis de outra maneira)
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TA=25℃unless notável de outra maneira)
NOTAS:
1. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
2. superfície montada em 1in 2 FR4 placa, segundo do ≤ 10 de t.
3. teste do pulso: ≤ 300μs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever. 4. garantido pelo projeto, não sujeito aos testes de produção.
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS
Informação do pacote TO-252
Pessoa de Contato: David
