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Interruptor de circuito do transistor de poder 2A do Mosfet do canal de N 600V para a movimentação do diodo emissor de luz

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Interruptor de circuito do transistor de poder 2A do Mosfet do canal de N 600V para a movimentação do diodo emissor de luz

Interruptor de circuito do transistor de poder 2A do Mosfet do canal de N 600V para a movimentação do diodo emissor de luz
Interruptor de circuito do transistor de poder 2A do Mosfet do canal de N 600V para a movimentação do diodo emissor de luz

Imagem Grande :  Interruptor de circuito do transistor de poder 2A do Mosfet do canal de N 600V para a movimentação do diodo emissor de luz

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: 5N20DY TO-252
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: negociação
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Interruptor de circuito do transistor de poder 2A do Mosfet do canal de N 600V para a movimentação do diodo emissor de luz

descrição
Nome do produto: transistor de poder do mosfet Tipo: Canal de N
Número do modelo: 5N20DY TO-252 tensão da Dreno-fonte: 200 V
Tensão da Porta-Fonte: ±20V Aplicações: Movimentação do diodo emissor de luz
Realçar:

transistor do mosfet do canal de n

,

transistor de alta tensão

Interruptor de circuito do transistor de poder 2A do Mosfet do canal de N 600V para a movimentação do diodo emissor de luz

 

Descrição do transistor de poder do Mosfet

 

A trincheira avançada dos usos de AP50N20D

tecnologia para fornecer o RDS excelente (SOBRE) e a baixa carga da porta.

Os MOSFETs complementares podem ser usados para formar um interruptor lateral alto deslocado nível, e para um anfitrião de outro

 

Características gerais do transistor de poder do Mosfet


V DS =200V, I D =5A
R DS (SOBRE) <520m>

 

Aplicação do transistor de poder do Mosfet

 

Interruptor da carga

Comutado duramente e a alta frequência circuita a fonte de alimentação ininterrupta

 

Marcação do pacote e informação pedindo

 

Identificação do produto Bloco Marcação Qty (PCS)
5N20D TO-252 5N20D 3000
5N20Y TO-251 5N20Y 4000

 

Avaliações máximas absolutas (TA=25℃unless notáveis de outra maneira)

 

Parâmetro Símbolo Limite Unidade
Tensão da Dreno-fonte VDS 200 V
Tensão da Porta-fonte VGS ±20 V
Drene Atual-contínuo Identificação 5 A
Drene Atual-pulsado (nota 1) IDM 20 A
Dissipação de poder máxima Paládio 30 W
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento TJ, TSTG -55 a 150

 

Característica térmica

 

Resistência térmica, Junção-à-ambiental (nota 2) RθJA 4,17 ℃/W

 

Características elétricas (TA=25℃unless notáveis de outra maneira)

 

Parâmetro Símbolo Circunstância Minuto Tipo Máximo Unidade
Fora das características
Tensão de divisão da Dreno-fonte BVDSS VGS=0V ID=250μA 200 - - V
Corrente zero do dreno da tensão da porta IDSS VDS=200V, VGS=0V - - 1 μA
Corrente do escapamento do Porta-corpo IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
Em características (nota 3)
Tensão do ponto inicial da porta VGS (th) VDS=VGS, ID=250μA 1,2 1,7 2,5 V
Resistência do Em-estado da Dreno-fonte RDS (SOBRE) VGS=10V, ID=2A - 520 580 mΩ
Transcondutância dianteira gFS VDS=15V, ID=2A - 8 - S
Características dinâmicas (Note4)
Capacidade da entrada Clss

 

VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz

- 580 - PF
Capacidade de saída Coss - 90 - PF
Capacidade reversa de transferência Crss - 3 - PF
Características do interruptor (nota 4)
Tempo de atraso de ligação TD (sobre)

 

VDD=100V, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω

- 10 - nS
Tempo de elevação de ligação tr - 12 - nS
Tempo de atraso da volta-Fora TD (fora) - 15 - nS
Tempo de queda da volta-Fora tf - 15 - nS
Carga total da porta Qg

 

VDS=100V, ID=2A, VGS=10V

- 12   nC
Carga da Porta-fonte Qgs - 2,5 - nC
Carga do Porta-dreno Qgd - 3,8 - nC
Características de diodo da Dreno-fonte
Tensão dianteira do diodo (nota 3) VSD VGS=0V, IS=2A - - 1,2 V
Corrente dianteira do diodo (nota 2) É   - - 5 A

 

Notas:

  1. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
  2. Superfície montada FR4 na placa, segundo do ≤ 10 de t.
  3. Teste do pulso: ≤ 300μs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.
  4. Garantido pelo projeto, não sujeito à produção

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Símbolo

Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
Mínimo. Máximo. Mínimo. Máximo.
A 2,200 2,400 0,087 0,094
A1 0,000 0,127 0,000 0,005
b 0,660 0,860 0,026 0,034
c 0,460 0,580 0,018 0,023
D 6,500 6,700 0,256 0,264
D1 5,100 5,460 0,201 0,215
D2 0,483 TIPOS. 0,190 TIPOS.
E 6,000 6,200 0,236 0,244
e 2,186 2,386 0,086 0,094
L 9,800 10,400 0,386 0,409
L1 2,900 TIPO. 0,114 TIPOS.
L2 1,400 1,700 0,055 0,067
L3 1,600 TIPO. 0,063 TIPOS.
L4 0,600 1,000 0,024 0,039
Φ 1,100 1,300 0,043 0,051
θ
h 0,000 0,300 0,000 0,012
V 5,350 TIPO. 0,211 TIPOS.

 

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