Detalhes do produto:
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Nome do produto: | transistor de poder do mosfet | Tipo: | Canal de N |
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Número do modelo: | 5N20DY TO-252 | tensão da Dreno-fonte: | 200 V |
Tensão da Porta-Fonte: | ±20V | Aplicações: | Movimentação do diodo emissor de luz |
Realçar: | transistor do mosfet do canal de n,transistor de alta tensão |
Interruptor de circuito do transistor de poder 2A do Mosfet do canal de N 600V para a movimentação do diodo emissor de luz
Descrição do transistor de poder do Mosfet
A trincheira avançada dos usos de AP50N20D
tecnologia para fornecer o RDS excelente (SOBRE) e a baixa carga da porta.
Os MOSFETs complementares podem ser usados para formar um interruptor lateral alto deslocado nível, e para um anfitrião de outro
Características gerais do transistor de poder do Mosfet
V DS =200V, I D =5A
R DS (SOBRE) <520m>
Aplicação do transistor de poder do Mosfet
Interruptor da carga
Comutado duramente e a alta frequência circuita a fonte de alimentação ininterrupta
Marcação do pacote e informação pedindo
Identificação do produto | Bloco | Marcação | Qty (PCS) |
5N20D | TO-252 | 5N20D | 3000 |
5N20Y | TO-251 | 5N20Y | 4000 |
Avaliações máximas absolutas (TA=25℃unless notáveis de outra maneira)
Parâmetro | Símbolo | Limite | Unidade |
Tensão da Dreno-fonte | VDS | 200 | V |
Tensão da Porta-fonte | VGS | ±20 | V |
Drene Atual-contínuo | Identificação | 5 | A |
Drene Atual-pulsado (nota 1) | IDM | 20 | A |
Dissipação de poder máxima | Paládio | 30 | W |
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento | TJ, TSTG | -55 a 150 | ℃ |
Característica térmica
Resistência térmica, Junção-à-ambiental (nota 2) | RθJA | 4,17 | ℃/W |
Características elétricas (TA=25℃unless notáveis de outra maneira)
Parâmetro | Símbolo | Circunstância | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
Fora das características | ||||||
Tensão de divisão da Dreno-fonte | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 200 | - | - | V |
Corrente zero do dreno da tensão da porta | IDSS | VDS=200V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
Corrente do escapamento do Porta-corpo | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
Em características (nota 3) | ||||||
Tensão do ponto inicial da porta | VGS (th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,7 | 2,5 | V |
Resistência do Em-estado da Dreno-fonte | RDS (SOBRE) | VGS=10V, ID=2A | - | 520 | 580 | mΩ |
Transcondutância dianteira | gFS | VDS=15V, ID=2A | - | 8 | - | S |
Características dinâmicas (Note4) | ||||||
Capacidade da entrada | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 580 | - | PF |
Capacidade de saída | Coss | - | 90 | - | PF | |
Capacidade reversa de transferência | Crss | - | 3 | - | PF | |
Características do interruptor (nota 4) | ||||||
Tempo de atraso de ligação | TD (sobre) |
VDD=100V, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω |
- | 10 | - | nS |
Tempo de elevação de ligação | tr | - | 12 | - | nS | |
Tempo de atraso da volta-Fora | TD (fora) | - | 15 | - | nS | |
Tempo de queda da volta-Fora | tf | - | 15 | - | nS | |
Carga total da porta | Qg |
VDS=100V, ID=2A, VGS=10V |
- | 12 | nC | |
Carga da Porta-fonte | Qgs | - | 2,5 | - | nC | |
Carga do Porta-dreno | Qgd | - | 3,8 | - | nC | |
Características de diodo da Dreno-fonte | ||||||
Tensão dianteira do diodo (nota 3) | VSD | VGS=0V, IS=2A | - | - | 1,2 | V |
Corrente dianteira do diodo (nota 2) | É | - | - | 5 | A |
Notas:
Símbolo |
Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
Mínimo. | Máximo. | Mínimo. | Máximo. | |
A | 2,200 | 2,400 | 0,087 | 0,094 |
A1 | 0,000 | 0,127 | 0,000 | 0,005 |
b | 0,660 | 0,860 | 0,026 | 0,034 |
c | 0,460 | 0,580 | 0,018 | 0,023 |
D | 6,500 | 6,700 | 0,256 | 0,264 |
D1 | 5,100 | 5,460 | 0,201 | 0,215 |
D2 | 0,483 TIPOS. | 0,190 TIPOS. | ||
E | 6,000 | 6,200 | 0,236 | 0,244 |
e | 2,186 | 2,386 | 0,086 | 0,094 |
L | 9,800 | 10,400 | 0,386 | 0,409 |
L1 | 2,900 TIPO. | 0,114 TIPOS. | ||
L2 | 1,400 | 1,700 | 0,055 | 0,067 |
L3 | 1,600 TIPO. | 0,063 TIPOS. | ||
L4 | 0,600 | 1,000 | 0,024 | 0,039 |
Φ | 1,100 | 1,300 | 0,043 | 0,051 |
θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
h | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
V | 5,350 TIPO. | 0,211 TIPOS. |
Pessoa de Contato: David